MIP75R12E2ATN-BP
Especificações
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos
Transistores
IGBTs
Módulos IGBT
Corrente - Coletor (IC) (Max):
75 A
Status do produto:
ativo
Tipo de montagem:
Montagem do chassi
Pacote:
volume
Série:
-
Pacote / caso:
Módulo
Vce (on) (max) @ vge, ic:
2.15V @ 15V, 75A
Tensão - colapso do emissor de colecionador (max):
1200 v
Pacote de dispositivo de fornecedor:
E2A
Mfr:
Micro Comercial
Temperatura operacional:
-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)
Corrente - Corte de colecionador (MAX):
1 MA
Tipo IGBT:
-
Poder - máx:
476 W
Entrada:
retificador de ponte trifásico
Capacitância de entrada (CIES) @ VCE:
4.2 nF @ 25 V
Configuração:
Inversor de três fases
NTC Termistor:
sim
Número do produto base:
MIP75
Introdução
Módulo IGBT Inverter de três fases 1200 V 75 A 476 W Montador do chassi E2A
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Resíduos:
In Stock
MOQ: