FP10R12W1T4PBPSA1
Especificações
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos
Transistores
IGBTs
Módulos IGBT
Corrente - Coletor (IC) (Max):
20 A
Status do produto:
ativo
Tipo de montagem:
Montagem do chassi
Pacote:
bandeja
Série:
EasyPIMTM 1B
Pacote / caso:
Módulo
Vce (on) (max) @ vge, ic:
2.25V @ 15V, 10A
Tensão - colapso do emissor de colecionador (max):
1200 v
Pacote de dispositivo de fornecedor:
Módulo
Mfr:
Tecnologias Infineon
Temperatura operacional:
-40 ° C ~ 150 ° C.
Corrente - Corte de colecionador (MAX):
1 MA
Tipo IGBT:
Parada de campo da trincheira
Poder - máx:
20 mW
Entrada:
retificador de ponte trifásico
Capacitância de entrada (CIES) @ VCE:
600 pF @ 25 V
Configuração:
Inversor de três fases
NTC Termistor:
sim
Número do produto base:
FP10R12
Introdução
Módulo IGBT Paragem de campo de trincheira Inverter de três fases 1200 V 20 A 20 mW Módulo montado no chassi
Envie o RFQ
Resíduos:
In Stock
MOQ: