ФС200Р12КТ4РБОСА1
Спецификации
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия
Транзисторы
IGBT
Модули IGBT
Current - Collector (IC) (макс):
280 А
Статус продукта:
активный
Монтажный тип:
Шасси
Упаковка:
поднос
Ряд:
-
Пакет / корпус:
Модуль
Vce (on) (max) @ vge, ic:
2,15 В при 15 В, 200 А
Напряжение - разбивка излучателя коллекционера (макс):
1200 В.
Пакет устройства поставщика:
Модуль
Млн:
Infineon Technologies
Рабочая температура:
-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)
Ток - срез коллекционера (макс):
1 мА
Тип IGBT:
Npt
Сила - Макс:
1000 Вт
Вход:
Стандартный
Входная емкость (CIES) @ VCE:
14 нФ при 25 В
Конфигурация:
Трехфазный инвертор
NTC Thermistor:
да
Базовый номер продукта:
ФС200Р12
Введение
Модуль IGBT NPT Трехфазный инвертор 1200 V 280 A 1000 W Модуль установки шасси
Отправьте RFQ
Запасы:
In Stock
МОК: