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Descripción:
El número de módulos de transmisión de la unidad IGBT será el número de módulos de transmisión de la
Categoría:
Módulos de IGBT
En existencia:
En stock
Método de pago:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union,
Método de envío:
LCL, AIR, FCL, Express
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
Los IGBT
Módulos IGBT
Current - Collector (IC) (Max):
50 A
Estado del producto:
activo
Tipo de montaje:
Monte del chasis
Paquete:
bandeja
Serie:
-
Paquete / estuche:
Módulo
VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC:
2.3V @ 15V, 50A
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máximo):
650 V
Paquete de dispositivos de proveedor:
AcepackTM 2
MFR:
STMicroelectrónica
Temperatura de funcionamiento:
-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)
Actual - Corte de colección (Max):
100 µA
Tipo IGBT:
Parada de campo de trinchera
Potencia - Max:
208,0 W
Aporte:
Estándar
Capacitancia de entrada (CIE) @ VCE:
4.15 nF @ 25 V
Configuración:
Inversor de tres fases
Termistor NTC:
Sí
Número de producto base:
A2C50
Introducción
Módulo IGBT Parada de campo de zanja Inverter de tres fases 650 V 50 A 208 W Chasis montado ACEPACKTM 2
Envíe el RFQ
Las existencias:
In Stock
Cuota de producción: