APT35GT120JU3
Descripción:
Se aplicará el método de control de las emisiones de gases de efecto invernadero.
Categoría:
Módulos de IGBT
En existencia:
En stock
Método de pago:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union,
Método de envío:
LCL, AIR, FCL, Express
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
Los IGBT
Módulos IGBT
Current - Collector (IC) (Max):
55 A
Estado del producto:
activo
Tipo de montaje:
Monte del chasis
Paquete:
a granel
Serie:
-
Paquete / estuche:
ISOTOP
VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC:
2.1V @ 15V, 35A
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máximo):
1200 V
Paquete de dispositivos de proveedor:
El SOT-227
MFR:
Tecnología de microchip
Temperatura de funcionamiento:
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Actual - Corte de colección (Max):
5 Ma
Tipo IGBT:
Parada de campo de trinchera
Potencia - Max:
260 W
Aporte:
Estándar
Capacitancia de entrada (CIE) @ VCE:
2.53 nF @ 25 V
Configuración:
Soltero
Termistor NTC:
NO
Número de producto base:
Apte35GT120
Introducción
Módulo IGBT Parada de campo de zanja única 1200 V 55 A 260 W Montado de chasis SOT-227
Envíe el RFQ
Las existencias:
In Stock
Cuota de producción: