MG150HF12TLC2
Descripción:
Transistores - IGBT - módulos C2
Categoría:
Módulos de IGBT
En existencia:
En stock
Método de pago:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union,
Método de envío:
LCL, AIR, FCL, Express
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
Los IGBT
Módulos IGBT
Current - Collector (IC) (Max):
150 A
Estado del producto:
activo
Tipo de montaje:
Monte del chasis
Paquete:
a granel
Serie:
-
Paquete / estuche:
Módulo
VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC:
2.05V @ 15V, 150A
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máximo):
1200 V
Paquete de dispositivos de proveedor:
-
MFR:
Tecnología Yangjie
Temperatura de funcionamiento:
-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)
Actual - Corte de colección (Max):
1 MA
Tipo IGBT:
Foso
Potencia - Max:
833 W
Aporte:
Estándar
Capacitancia de entrada (CIE) @ VCE:
11 nF @ 25 V
Configuración:
Solo interruptor
Termistor NTC:
NO
Introducción
Modulo IGBT con interruptor único 1200 V 150 A 833 W montado en el chasis
Envíe el RFQ
Las existencias:
In Stock
Cuota de producción: