FP25R12KT4B11BOSA1 y sus componentes
Descripción:
Se aplicará el método IGBT MOD 1200V 25A 160W
Categoría:
Módulos de IGBT
En existencia:
En stock
Método de pago:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union,
Método de envío:
LCL, AIR, FCL, Express
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
Los IGBT
Módulos IGBT
Current - Collector (IC) (Max):
25 A
Estado del producto:
Descontinuado en digi-key
Tipo de montaje:
Monte del chasis
Paquete:
a granel
Serie:
EconoPIM™ 2
Paquete / estuche:
Módulo
VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC:
2.15V @ 15V, 25A
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máximo):
1200 V
Paquete de dispositivos de proveedor:
Módulo
MFR:
Infineon Technologies
Temperatura de funcionamiento:
-40 ° C ~ 150 ° C
Actual - Corte de colección (Max):
1 MA
Tipo IGBT:
Parada de campo de trinchera
Potencia - Max:
160 W
Aporte:
Estándar
Capacitancia de entrada (CIE) @ VCE:
1.45 nF @ 25 V
Configuración:
Inversor de tres fases
Termistor NTC:
Sí
Número de producto base:
FP25R12
Introducción
Modulo IGBT Parada de campo de zanja Inverter de tres fases 1200 V 25 A 160 W Modulo de montaje del chasis
Envíe el RFQ
Las existencias:
In Stock
Cuota de producción: