Las condiciones de las pruebas de seguridad se establecen en el anexo III.
Descripción:
Se aplicará el método de ensayo de las emisiones de gases de efecto invernadero.
Categoría:
Módulos de IGBT
En existencia:
En stock
Método de pago:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union,
Método de envío:
LCL, AIR, FCL, Express
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
Los IGBT
Módulos IGBT
Current - Collector (IC) (Max):
305 A
Estado del producto:
activo
Tipo de montaje:
Monte del chasis
Paquete:
a granel
Serie:
-
Paquete / estuche:
Sp6
VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC:
2.2V @ 15V, 200A
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máximo):
1200 V
Paquete de dispositivos de proveedor:
Sp6
MFR:
Tecnología de microchip
Temperatura de funcionamiento:
-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)
Actual - Corte de colección (Max):
2 MA
Tipo IGBT:
Parada de campo de trinchera
Potencia - Max:
1000 W
Aporte:
Estándar
Capacitancia de entrada (CIE) @ VCE:
12.3 NF @ 25 V
Configuración:
Inversor de tres niveles
Termistor NTC:
NO
Número de producto base:
Las condiciones de los productos:
Introducción
Modulo IGBT Parada de campo de zanja Inverter de tres niveles 1200 V 305 A 1000 W Montura del chasis SP6
Envíe el RFQ
Las existencias:
In Stock
Cuota de producción: