T3160N16TOFVTXPSA1
Descripción:
Se aplicará el método de ensayo de las partidas de la matriz de la matriz.
Categoría:
Módulos de IGBT
En existencia:
En stock
Método de pago:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union,
Método de envío:
LCL, AIR, FCL, Express
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Las demás
Se aplicarán las siguientes condiciones:
Estado del producto:
activo
Tipo de montaje:
Monte del chasis
Paquete:
bandeja
Voltaje - Estado fuera:
1,8 kilovoltios
Serie:
-
Current - On State (IT (AV)) (Max):
Las demás
MFR:
Infineon Technologies
Current - on State (IT (RMS)) (Max):
7000 A
Voltaje - disparador de puerta (VGT) (máximo):
2.5 V
Temperatura de funcionamiento:
-40 ° C ~ 125 ° C
Actual - disparador de puerta (IGT) (máximo):
250 mA
Estructura:
Soltero
Paquete / estuche:
DO-200AE
Actual - no representante Surge 50, 60Hz (ITSM):
Las emisiones de gases de efecto invernadero se calcularán en función de la temperatura de la atmósf
Current - Hold (IH) (Max):
300 mA
Número de producto base:
T3160N16
Número de SCR, diodos:
1 SCR
Introducción
Módulo SCR de 1.8 kV 7000 A montado en un solo chasis DO-200AE
Envíe el RFQ
Las existencias:
In Stock
Cuota de producción: