İzole Güç Kaynağı Entegre Devreleri için Seçim ve Teknik Kılavuz

^{4 Eylül 2025 Haberler — Endüstri 4.0 ve otomotiv zekasının hızlanmasıyla birlikte, yüksek performanslı izole güç çözümlerine olan talep artmaya devam ediyor. Texas Instruments'ın SN6505BDBVR düşük gürültülü transformatör sürücüsü, olağanüstü izole güç performansı nedeniyle sektörün odak noktası haline geliyor. Çip, 1A'ya kadar çıkış sürüş kapasitesi sunar, 2,25V ila 5,5V geniş bir giriş voltaj aralığını destekler ve harici transformatörler aracılığıyla çoklu izole çıkış voltajları sağlar, bu da onu çeşitli zorlu endüstriyel uygulama ortamları için mükemmel hale getirir.}

^{SN6505BDBVR, kompakt izole güç kaynakları için tasarlanmış düşük gürültülü, düşük EMI'li bir push-pull transformatör sürücüsüdür. 2,25V ila 5V DC güç kaynağından ince, orta kademeli transformatörleri sürer. Ultra düşük gürültü ve EMI özellikleri, çıkış anahtarlama voltajının kontrollü dönüş hızı ve yayılmış spektrum saat (SSC) teknolojisi ile elde edilir. Küçük bir 6 pinli SOT23 (DBV) paketinde bulunur ve alan kısıtlı uygulamalar için uygundur. -55°C ila 125°C çalışma sıcaklık aralığı ile zorlu ortamlara uyum sağlar. Cihaz ayrıca, büyük yük kapasitörleri ile güç açıldığında ani akımı etkili bir şekilde azaltmak ve yüksek dalgalanma akımlarını önlemek için yumuşak başlatma işlevine sahiptir.}

^{1. SN6505BDBVR, 5V giriş koşullarında mükemmel yük regülasyonu gösterir, 25mA'dan 925mA'ya kadar geniş bir yük aralığında kararlı çıkış voltajını koruyarak izole güç kaynağının güvenilir çalışmasını sağlar.}

^{2. Cihaz, 300-600mA yük aralığında %80'i aşan tepe verimliliğe ulaşır. Bu yüksek verimli dönüşüm, sistem güç tüketimini ve termal yönetim gereksinimlerini önemli ölçüde azaltarak kompakt son ürün tasarımları için avantajlar sağlar.}

^{1. Güç Kaynağı ve Etkinleştirme: 2,25V ila 5,5V geniş bir giriş voltaj aralığını destekler. EN pini aracılığıyla başlatma/durdurma kontrolü, 1µA'nın altında kapatma akımı ile.}

^{2. Salınım ve Modülasyon: Entegre yayılmış spektrum saat (SSC) teknolojisine sahip, elektromanyetik girişim (EMI)'yi etkili bir şekilde azaltan, dahili 420kHz osilatör.}

^{3. Güç Çıkışı: Transformatörün birincil sargısını doğrudan sürmek için push-pull konfigürasyonunda iki adet 1A N-MOSFET kullanır.}

^{4. Kapsamlı Koruma: Sistem güvenliğini sağlamak için 1,7A aşırı akım koruması, düşük voltaj kilidi ve 150°C termal kapatma sağlar.}

^{5. Yumuşak Başlatma Kontrolü: Ani akımı bastırmak ve EMI performansını optimize etmek için dahili yumuşak başlatma ve dönüş hızı kontrol devreleri.}

^{Temel İş Akışı}

• ^{Giriş voltajı VCC üzerinden sağlanır ve çip, EN pini yüksek ayarlandıktan sonra etkinleşir.}
• ^{Osilatör (OSC), yayılmış spektrum modülasyonundan (SSC) sonra sürücü mantığına iletilen yüksek frekanslı bir saat üretir.}
• ^{Sürücü devresi, transformatör birincilinde bir AC sinyali üreten iki MOSFET'in (push-pull çalışması) dönüşümlü iletimini kontrol eder.}
• ^{Transformatör ikincil, yükü beslemek için doğrultulmuş ve filtrelenmiş izole bir voltaj çıkışı sağlar.}
• ^{Koruma devresi, anormallik durumunda çıkışı derhal kapatarak akımı ve sıcaklığı sürekli olarak izler.}

^{​Uygulama Senaryoları}

^{Temel Devre Mimarisi}

^{SN6505BDBVR'nin tipik uygulama devresi şekilde gösterilmektedir. DC-AC dönüşümü elde etmek için bir push-pull topolojisi benimser ve bir transformatör aracılığıyla izole güç çıkışı sağlar. Tasarım öncelikle aşağıdaki bileşenlerden oluşur:}

^{1. Giriş Gücü: 3,3V/5V DC girişi destekler (aralık 2,25V-5,5V), 10μF elektrolitik kapasitör ile paralel olarak 0,1μF seramik kapasitör ile filtrelenir.}

^{2. Sürücü Çekirdeği: D1 ve D2 pinleri aracılığıyla transformatör birincilini sürer, 420kHz anahtarlama frekansı ile 1A çıkış kapasitesi sağlar.}

^{3. Doğrultma ve Filtreleme: Verimli filtreleme için bir LC ağı ile birleştirilmiş doğrultma için bir MBR0520L Schottky diyot kullanır.}

^{4. Düzenlenmiş Çıkış: ±%3 çıkış doğruluğu elde ederek hassas voltaj regülasyonu için isteğe bağlı olarak bir TPS76350 LDO entegre eder.}

^{Temel Devre Modülü Analizi}

^{1. Giriş Gücü Filtreleme:}

^{VCC pini, çip pinlerine mümkün olduğunca yakın yerleştirilmiş 10μF elektrolitik kapasitör (düşük frekanslı filtreleme) ve 100nF seramik kapasitör (yüksek frekanslı filtreleme) gerektirir.}

^{2. Transformatör Sürüşü:}

^{OUT1 ve OUT2, transformatörün birincil sargısını sürmek için 180 derecelik bir faz farkıyla dönüşümlü olarak iletir.}

^{Anahtarlama frekansı: SN6505B için 420kHz, SN6505A için 350kHz.}

^{3. Doğrultma Devresi:}

^{İki Schottky diyotlu (MBR0520L) bir tam dalga doğrultma topolojisi kullanır.}

^{Diyot seçim gereksinimleri: Hızlı kurtarma özellikleri ve düşük ileri voltaj düşüşü.}

^{4. Çıkış Filtreleme:}

^{LC filtreleme ağı, kapasitörlerin düşük ESR tipi olması önerilir.}

^{Çıkış dalgalanması: Tipik olarak <50mV.}

^{Tasarım Kılavuzları ve Bileşen Seçimi}
 

^{Transformatör Özellikleri:}

^{Tip: Orta kademeli transformatör}

^{Dönüş Oranı: Giriş/çıkış gereksinimlerine göre hesaplanır (örneğin, 5V'dan 6V'a dönüşüm için 1:1,2)}

^{Doyma Akımı: >1,5A}

^{Önerilen Modeller: Würth 750315240 veya Coilcraft CT05 serisi}

^{Uygulama Tasarımı Hususları}

^{1. Yerleşim Önerileri:}

^{Giriş kapasitörlerini VCC ve GND pinlerine mümkün olduğunca yakın yerleştirin.}

^{Transformatörden OUT1/OUT2'ye giden izleri kısa ve geniş tutun.}

^{Toprak düzleminin bütünlüğünü koruyun.}

^{2. Termal Yönetim:}

^{Sürekli tam yük çalışması sırasında ortam sıcaklığının 85°C'nin altında kalmasını sağlayın.}

^{Gerekirse ısı dağılımı için bakır folyo ekleyin.}

^{3. EMI Optimizasyonu:}

^{Çipin yerleşik yayılmış spektrum saat (SSC) özelliğini kullanın.}

^{Uygun şekilde RC snubber devreleri ekleyin.}

^{Sol: Modül Blok Şeması}

^{Şema, SN6505 çipindeki temel fonksiyonel modülleri ve sinyal akışını göstermektedir. Her bölümün işlevleri aşağıdaki gibidir:}

^{1. OSC (Osilatör): Tüm devre için "saat kaynağı" olarak hizmet veren orijinal salınım sinyalini (frekans foscfosc​) üretir.}

^{2. Frekans Bölücü: Sonraki kontrol mantığı için temel zamanlamayı sağlayan, iki tamamlayıcı sinyal (S‾S ve SS olarak etiketlenir) oluşturmak için osilatör çıkış sinyalini böler.}

<sup>3. Çıkış Transistörleri (Q1Q1​, Q2Q2​): D1D1​ ve D2D2​'den sinyallerin nihai olarak çıkışını sağlayan "alternatif iletim/kesme" elde etmek için G1G1​ ve G2G2​ tarafından kontrol edilir.
4. Güç ve Toprak (VCCVCC​, GND): Çip için çalışma gücü ve referans toprağı sağlar.</sup>

^{Sağ: Çıkış Zamanlama Diyagramı}

^{Sağdaki grafik, Q1Q1​ ve Q2Q2​'nin iletim/kesme durumlarını zaman ekseni üzerinde göstermek için zamanı yatay eksen olarak kullanır. Kilit nokta, "Break-Before-Make"in tezahürünü anlamaktır:}

^{1. Zamanlama diyagramında, mavi ve kırmızı dalga biçimleri sırasıyla Q1Q1​ ve Q2Q2​'nin kontrol sinyallerine (veya iletim durumlarına) karşılık gelir.}

^{2.Zaman ekseni boyunca yapılan gözlem, Q2Q2​'nin yalnızca Q1Q1​ tamamen kapalıyken ("Q1Q1​ kapalı") açıldığını gösterir; benzer şekilde, Q1Q1​ yalnızca Q2Q2​ tamamen kapalıyken açılır.}

^{3. "Birini yapmadan önce diğerini kırma" şeklindeki bu zamanlama dizisi, "Break-Before-Make" prensibinin doğrudan bir tezahürüdür ve her iki transistörün aynı anda iletiminden kaynaklanan arızaları etkili bir şekilde önler.}

^{SN6505BDBVR, 420kHz'lik yüksek anahtarlama frekansı, %80'in üzerinde dönüşüm verimliliği ve mükemmel EMI performansı ile endüstriyel izole güç kaynağı tasarımı için yeni bir ölçüt belirliyor. Kompakt SOT-23 paketi ve son derece entegre özellikleri, çevresel devre tasarımını önemli ölçüde basitleştirirken, sistem güvenilirliğini ve güç yoğunluğunu önemli ölçüde artırır. Verimli ve minyatür izole güç kaynaklarına olan talep artmaya devam edecektir.}

• Satın alma veya daha fazla ürün bilgisi için lütfen iletişime geçin: 86-0775-13434437778,

​Veya resmi web sitesini ziyaret edin:https://mao.ecer.com/test/icsmodules.com/ ,Ayrıntılar için ECER ürün sayfasını ziyaret edin: [İletişim]