المنزل

المنتجات

مصنعين

أرسل RFQ

تنزيل

المنزل>المنتجات>

mos chip

المرشحات

الفئات

المرشحات

دارة متكاملة

(424)

IGBT

(15)

وحدة التحكم الدقيقة

(78)

ترانزستور الديود التايريستور

(9)

موصل IC

(5)

ترددات الراديو IC

(8)

المكونات الإلكترونية جيم

(43)

مكبرات الموجات الدقيقة

(1)

رقاقة RFID IC

(2)

المكون السلبي

(1)

ترانزستور موس

(57)

مستشعر IC

(37)

ذاكرة IC

(29)

مكبر للصوت IC

(119)

وحدة التحكم بالمرور

(5)

NCE2030K TO-252 20V 30A قناة شمالية MOS رقاقة ترانزستور تأثير المجال

NCE2030K TO-252 20V 30A قناة شمالية MOS رقاقة ترانزستور تأثير المجال

NCE2030K TO-252 20V 30A N-channel MOS Field Effect Chip

BSS138LT1G SOT-23-3 رقاقة عالية الجودة الدائرة المتكاملة المكون الإلكتروني ترانزستور تأثير المجال MOS

BSS138LT1G SOT-23-3 رقاقة عالية الجودة الدائرة المتكاملة المكون الإلكتروني ترانزستور تأثير المجال MOS

BSS138LT1G SOT-23-3 رقاقة عالية الجودة الدائرة المتكاملة المكون الإلكتروني ترانزستور تأثير المجال MO

SI4401A SOP-8 جديد أصلي واحد MOS FET CHIP COMPONATION BOM BOM

SI4401A SOP-8 جديد أصلي واحد MOS FET CHIP COMPONATION BOM BOM

SI4401A SOP-8 جديد أصلي واحد MOS FET CHIP COMPONATION BOM BOM

الدوائر المتكاملة من نوع BUK101-50DL TO-220 Power MOS ترانزستور تنتج رقائق هشة تستخدم عادة في لوحات الكمبيوتر الخاصة بالسيارات

الدوائر المتكاملة من نوع BUK101-50DL TO-220 Power MOS ترانزستور تنتج رقائق هشة تستخدم عادة في لوحات الكمبيوتر الخاصة بالسيارات

الدوائر المتكاملة من نوع BUK101-50DL TO-220 Power MOS ترانزستور تنتج رقائق هشة تستخدم عادة في لوحات

IRFP9240PBF TO-247 طلب تسليم موحد لمكونات إلكترونية من أنبوب موسفت مجال طاقة الصوت عالي القدرة من النوع P

IRFP9240PBF TO-247 طلب تسليم موحد لمكونات إلكترونية من أنبوب موسفت مجال طاقة الصوت عالي القدرة من النوع P

IRFP9240PBF TO-247 طلب تسليم موحد لمكونات إلكترونية من أنبوب موسفت مجال طاقة الصوت عالي القدرة من ال

AO3403 حزمة SOT-23-3 MOSFET رقائق مكونات إلكترونية جديدة أصلية

AO3403 حزمة SOT-23-3 MOSFET رقائق مكونات إلكترونية جديدة أصلية

AO3403 حزمة SOT-23-3 MOS FET CHIP IC المكونات الإلكترونية للمكونات التوزيع الواحد

2SD2059 TO-220 مكون إلكتروني NPN Transistor IC Chip هي جديدة وأصلية

2SD2059 TO-220 مكون إلكتروني NPN Transistor IC Chip هي جديدة وأصلية

2SD2059 TO-220 مكون إلكتروني NPN Transistor IC Chip هي جديدة وأصلية

SS8550 إلى 92-3 1.5A/-25V SMD Transistor NPN Power Transistor Chip هي جديدة وأصلية

SS8550 إلى 92-3 1.5A/-25V SMD Transistor NPN Power Transistor Chip هي جديدة وأصلية

SS8550 إلى 92-3 1.5A/-25V SMD Transistor NPN Power Transistor Chip هي جديدة وأصلية

MOSFET العاكس MOS MOS Power Transistor HY3912W TO-247 190A 125V N قناة MOSFET

MOSFET العاكس MOS MOS Power Transistor HY3912W TO-247 190A 125V N قناة MOSFET

MOSFET العاكس MOS MOS Power Transistor HY3912W TO-247 190A 125V N قناة MOSFET

AP3010 SOP-8 الشاشة المطبوعة MOS FET الترانزستور مقاومة الجهد من 30V 10A

AP3010 SOP-8 الشاشة المطبوعة MOS FET الترانزستور مقاومة الجهد من 30V 10A

AP3010 SOP-8 المطبوعة على الشاشة 3010 N-channel mos fet مع الجهد 30 فولت 10A

	صورة	جزء #	الوصف	الصانع	الأسهم	RFQ
		مكون جسر سريع الجسر الزجاجي مقطع إلكتروني GBP310 GBP جسر الجسر الجسر الجسر	مكون جسر سريع الجسر الزجاجي مقطع إلكتروني GBP310 GBP جسر الجسر الجسر الجسر
		BTA100-1200B BTA100-800B إلى 4PT SCR 800V SCR 800V تم إدخال	BTA100-1200B BTA100-800B إلى 4PT SCR 800V SCR 800V تم إدخال
		NCEP15T14D TO-263 150V 140A MOSFET ترانزستور قناة N للمنتجات الإلكترونية	ncep15t14d to-263 n-channel 150v 140a power mosfet fet

1 2

اتصل بنا

العنوان: الغرفة 3-1211A، رقم 8760 شارع باوان، مجتمع هونغشينغ، شارع سونغغانغ، منطقة باوان، مدينة شينشن

البريد الإلكتروني: 13434437778@163.com

الهاتف: 86-0775-13434437778

المنتجات

دارة متكاملة

IGBT

وحدة التحكم الدقيقة

ترانزستور الديود التايريستور

موصل IC

ترددات الراديو IC

المكونات الإلكترونية جيم

مكبرات الموجات الدقيقة

رقاقة RFID IC

المكون السلبي

حولنا

حولنا شهادة الأيزو مراقبة الجودة سياسة الخصوصية مركز المساعدة

سياسة الخصوصية | الصين جودة جيدة دارة متكاملة المورد. حقوق الطبع والنشر © 2009-2025 Shenzhen Anxinruo Technology Co., Ltd. جميع الحقوق محفوظة