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Keywords [ field effect transistor ] Übereinstimmung 19 Produkte.
| Bild | Teil # | Beschreibung | Hersteller | Lagerbestand | RFQ | |
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NCEP15T14LL TOLL N-Kanal MOSFET Transistor 150V 170A Feldwirkungstransistor |
NCEP15T14LL TOLL n-Kanal 150V 170A Leistungs-MOSFET Feldeffekttransistor
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NTTFS4C10NTAG WDFN-8 Feldwirkungstransistor 30V 8.2A N-Kanal Bildschirmdruck 4C10 |
NTTFS4C10NTAG WDFN-8 Feldwirkung MOSFET 30V 8.2A N-Kanal Bildschirmdruck 4C10
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IRF8714TRPBF SOP-8 N Kanal MOS Feldwirkung Transistor IC Elektronische Komponenten |
IRF8714TRPBF SOP-8 N Kanal MOS Feldwirkung Transistor IC Elektronische Komponenten komplett neu Orig
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NCE2030K TO-252 20V 30A N-Kanal MOS-Chip Feldeffekttransistor |
NCE2030K TO-252 20V 30A N-Kanal MOS-Feldeffekttransistor-Chip
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Halbleiter-N-Kanal 40V90A MOS-Feldwirkungstransistor von IPD036N04L SOT-252 SMPS schnellschaltendes MOSFET |
Halbleiter-N-Kanal 40V90A MOS-Feldwirkungstransistor von IPD036N04L SOT-252 SMPS schnellschaltendes
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Halbleiter-N-Kanal 40V90A MOS-Feldwirkungstransistor von IPD036N04L SOT-252 SMPS schnellschaltendes MOSFET |
Halbleiter-N-Kanal 40V90A MOS-Feldwirkungstransistor von IPD036N04L SOT-252 SMPS schnellschaltendes
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IRF7905TRPBF SOIC-8 Transistor Monolithischer integrierter Schaltkreis IC MOS Feldeffekttransistor N-Kanal |
IRF7905TRPBF SOIC-8 Transistor Monolithischer integrierter Schaltkreis IC MOS Feldeffekttransistor N
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BSS138LT1G SOT-23-3 Hochwertiger Chip Integrierter Schaltkreis Elektronisches Bauelement MOS Feldeffekttransistor |
BSS138LT1G SOT-23-3 Hochwertiger Chip Integrierter Schaltkreis Elektronisches Bauelement MOS Feldeff
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AP3010 SOP-8 Bildschirmgedruckte MOS FET-Transistor Widerstandsspannung von 30V 10A |
AP3010 SOP-8 Siebdruck-N-Kanal-MOSFET mit 30 V Spannungsfestigkeit und 10 A
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Neuer Original-Transistor mit N-Kanal-Oberflächenhalter SOT-23 AO3400A MOS FET 2.5A |
Neuer Original-Transistor mit N-Kanal-Oberflächenhalter SOT-23 AO3400A MOS FET 2.5A
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Original MOSFET Inverter MOS Leistungstransistor HY3912W TO-247 190A 125V N-Kanal verbessertes MOSFET |
Original MOSFET Inverter MOS Leistungstransistor HY3912W TO-247 190A 125V N-Kanal verbessertes MOSFE
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Original Transistor BT136 TO-220 800 Hochleistungs-Bidirektionsthyristor elektronisches Bauelement |
Original Transistor BT136 TO-220 800 Hochleistungs-Bidirektionsthyristor elektronisches Bauelement
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Original Thyristor Mosfet TO-252-3 n-Kanal 150V 3A Metalloxid Halbleiterröhre IRFR4615TRLPBF |
Original Thyristor Mosfet TO-252-3 n-Kanal 150V 3A Metalloxid Halbleiterröhre IRFR4615TRLPBF
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Brandneue importierte Original-IRFP260N TO-247 MOS FET mit hoher Leistung von 200V/50A |
Brandneue importierte Original-IRFP260N TO-247 MOS FET mit hoher Leistung von 200V/50A
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Neuer Originaltransistor FDP18N50 TO-220-3 18A/500V Leistung Mosfet IC-Chip |
Neuer Originaltransistor FDP18N50 TO-220-3 18A/500V Leistung Mosfet IC-Chip
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SIR422DP-T1-GE3 QFN8 SMD MOSFET-Transistorchip N-Kanal 40V/20,5A |
SIR422DP-T1-GE3 QFN8 N-Kanal 40V/20,5A SMD MOSFET Chip
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C3M0016120K TO-247-4 Silicon Carbide Power N-Typ MOSFET Elektronische Komponente Silicon Carbide SIC FET IC Chip |
C3M0016120K TO-247-4 Silicon Carbide Power N-Typ MOSFET Elektronische Komponente Silicon Carbide SIC
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SI2301CDS-T1-GE3 P Kanal MOSFET FET Chip Elektronische Komponenten IC SOT-23 Verpackung |
SI2301CDS-T1-GE3 SOT-23 P-Kanalpatch MOSFET FET-Chip IC elektronische Komponenten
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TGAN40N60F2DS TO-3P Integrierter Schaltkreis IC Elektronische Komponente IC |
TGAN40N60F2DS TO-3P Integrierte Schaltkreise Neu Original Lagerbestand Lc Chips Elektronische Kompon
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