Halbleiter-N-Kanal 40V90A MOS-Feldwirkungstransistor von IPD036N04L SOT-252 SMPS schnellschaltendes MOSFET
Spezifikationen
Betriebstemperatur:
- 55 C + 175 C - 55 C + 175 C
Reihe:
OptiMOS3
Beschreibung:
MOSFET TRENCH 40 V
Typ:
MOSFET
D/C:
23+
Art der Packung:
Oberflächenbefestigung
Anwendung:
MOSFET-Treiber, alle Arten von elektronischen Produkten
Lieferantenart:
Originalhersteller, ODM, Agentur, Händler
Kreuzbezüge:
IPD036N04LGATMA1
Verfügbare Medien:
Fotografie
Strom - Kollektor (Ic) (maximal):
90 A
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):
- 20 V + 20 V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic:
N-Kanal
Strom - Sammlergrenze (maximal):
90 A
Gleichstromgewinn (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
Stabil
Leistung - Max.:
Stabil
Häufigkeit - Übergang:
Stabil
Art der Montage:
Oberflächenberg, Oberflächenberg
Packung / Gehäuse:
SOT-252
Widerstand - Basis (R1):
3.9 MOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2):
3.9 MOhms
FET-Typ:
Stabil
Fet-Eigenschaft:
Stabil
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
40 V
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:
90 A
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
Stabil
Vgs(th) (Max) @ Id:
Stabil
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:
Stabil
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
Stabil
Häufigkeit:
Stabil
Leistungsbewertung (Ampere):
Stabil
Geräuschwerte:
Stabil
Leistung - Leistung:
Stabil
Nennspannung:
Stabil
Antriebs-Spannung (Max Rds On, Min Rds On):
Stabil
Vgs (maximal):
Stabil
IGBT-Typ:
Stabil
Ausstattung:
Stabil
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
Stabil
Eintrittskapazität (Cies) @ Vce:
Stabil
Eingabe:
Stabil
NTC-Thermistor:
Stabil
Spannungsausfall (V (BR) GSS):
Stabil
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0):
Stabil
Stromverbrauch (Identifikation) - maximal:
Stabil
Spannung - Identifikation der Abkürzungs-(VGS weg) @:
Stabil
Widerstand - RDS (an):
Stabil
Spannung - Ausgang:
Stabil
Spannung - Ausgleich (Vt):
Stabil
Gegenwärtig - Tor zum Anoden-Durchsickern (Igao):
Stabil
Gegenwärtig - Tal (iv):
Stabil
Gegenwärtig - Spitze:
Stabil
Transistortyp:
MOSFET
IC:
Prozessoren
Dienstleistungen:
Einmaliger Bom-Service
Qualität:
100% Original 100% Marke
Zahlungsbedingungen:
100% Vorauszahlung
Produktbezeichnung:
Einheitliche Datenbank (IPD)
Datenblatt:
Treten Sie mit uns bitte in Verbindung!
Die Situation:
Vorlage 100%
Gewährleistung:
1 bis 3 Jahre
Versand durch:
DHL\UPS\FedEx\EMS\HK Post
Hervorheben:
Original Mos Transistor
,Original-MOS-Feldwirkungstransistor
,Oberflächenmontage-Mos-Transistor
Einleitung
Beschreibung des Produkts
Produktart: | Halbleiter-N-Kanal eines schnellschaltenden MOSFET |
Modellnummer: | Einheitliche Datenbank (IPD) |
Reihe: | IPD036 |
Lieferant: | INFINEON |
Verpackung: | SOT-252 |
Installieren Sie den Stil: | Oberflächenbefestigung |
Neu und originell |
Einheitliche Datenbank (IPD)SOT-252 Halbleiter-N-Kanal eines schnellschaltenden MOSFETist einer unserer meistverkauften IC-Chips
Kontaktperson: | - Ich bin nicht hier. | ||
Tel: | +86 13434437778 | ||
E-Mail: | XCDZIC@163.COM | ||
Wechat: | 0086 13434437778 |
Verpackung und Lieferung
Menge (Stück) | 1 bis 100 | 100 bis 1000 | 1000 bis 10000 |
Vorlaufzeit (Tage) | 3-5 Jahre | 5 bis 8 | Unterhandelbar |




Unternehmensprofil











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