Siehe auch:
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
IGBTs
IGBT-Module
Strom - Sammler (IC) (max):
100 A
Produktstatus:
aktiv
Montagetyp:
Chassis -Berg
Paket:
Schüttgut
Serie:
- -
Paket / Fall:
SP1
VCE (ON) (max) @ vge, IC:
1.9V @ 15V, 75A
Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max):
600 V
Lieferantengerätepaket:
SP1
Mfr:
Mikrochip -Technologie
Betriebstemperatur:
-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)
Strom - Sammler Cutoff (max):
250 µA
IGBT -Typ:
Grabenfeld Stopp
Kraft - Max:
250 Watt
Eingang:
Standard
Eingabekapazität (Cies) @ vce:
4.62 nF @ 25 V
Konfiguration:
Halbbrücke
NTC Thermistor:
Ja
Grundproduktnummer:
APTGT75
Einleitung
IGBT-Modul Gräbenfeldstop Halbbrücke 600 V 100 A 250 W Fahrgestell SP1
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Lagerbestand:
In Stock
MOQ: