APTGT75A60T1G
Mô tả:
MÔ-ĐUN IGBT 600V 100A 250W SP1
Nhóm:
Mô-đun IGBT
Trong kho:
Trong kho
phương thức thanh toán:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union,
Phương pháp vận chuyển:
LCL, Air, FCL, Express
Thông số kỹ thuật
Loại:
Sản phẩm bán dẫn rời rạc Bóng bán dẫn IGBT Mô-đun IGBT
Hiện tại - Bộ thu (Ic) (Tối đa):
100 A
Tình trạng sản phẩm:
tích cực
Loại gắn kết:
khung gầm
Bưu kiện:
số lượng lớn
Loạt:
-
Gói / trường hợp:
SP1
Vce(bật) (Tối đa) @ Vge, Ic:
1.9V @ 15V, 75A
Điện áp - Sự cố bộ phát Collector (Tối đa):
600 V
Gói thiết bị nhà cung cấp:
SP1
Mfr:
Công nghệ vi mạch
Nhiệt độ hoạt động:
-40°C ~ 175°C (TJ)
Hiện tại - Collector Cutoff (Tối đa):
250 μA
Loại IGBT:
Rãnh trường dừng
Sức mạnh - Tối đa:
250W
Đầu vào:
Tiêu chuẩn
Điện dung đầu vào (Cies) @ Vce:
4,62 nF @ 25 V
Cấu hình:
Cầu nửa chừng
Nhiệt điện trở NTC:
Đúng
Số sản phẩm cơ sở:
APTGT75
Lời giới thiệu
Mô-đun IGBT Rãnh dừng trường nửa cầu 600 V 100 A 250 W Khung gầm SP1
Gửi RFQ
Sở hữu:
In Stock
MOQ: