Shenzhen Anxinruo Technology Co., Ltd. Company resources

V. Package Pin Configuration DescriptionSeptember 5, 2025 News — With the increasing demand for precision measurement in industrial automation and IoT applications, high-resolution analog-to-digital converters have become core components of various sensing systems. The ADS1230IPWR 24-bit ΔΣ analog-to-digital converter, with its exceptional noise performance and low-power characteristics, is providing reliable signal conversion solutions for precision weighing, pressure detection, and industrial measurement applications. The device supports a wide power supply range of 2.7V to 5.3V, integrates a programmable gain amplifier and internal oscillator, and achieves up to 23.5 effective bits at a 10SPS output rate.   I. Core Technical Features   1.High-Precision Conversion Performance The ADS1230IPWR utilizes advanced ΔΣ modulation technology to deliver 24-bit no-missing-code accuracy. At a 10SPS data output rate, it achieves 23.5 effective bits of resolution, meeting the stringent requirements of precision weighing and pressure measurement applications. The device's built-in low-noise PGA ensures signal integrity during small-signal amplification.    2.Integrated Design This ADC integrates a complete measurement front-end, including a programmable gain amplifier, second-order ΔΣ modulator, and digital filter. The internal oscillator eliminates the need for external clock components, further simplifying system design. The device also provides additional features such as a temperature sensor and power-down mode.   3.Low-Power Characteristics Utilizing a proprietary low-power architecture, it consumes only 1.3mW typically at a 5V supply voltage. Supports multiple power-saving modes, including standby and power-down modes, significantly extending runtime in battery-powered applications.   II. Typical Characteristics Description   According to the manufacturer's test data, the ADS1230IPWR demonstrates excellent noise performance under typical operating conditions. The test conditions are: ambient temperature +25°C, analog supply voltage (AVDD) and digital supply voltage (DVDD) both at 5V, reference voltage (REFP) at 5V, and reference negative (REFN) connected to analog ground (AGND).   Noise Performance Analysis Figure 1: Noise Performance at 10SPS Data Rate Gain Setting: PGA = 64 Data Output Rate: 10SPS Noise Performance: Output code fluctuation remains within ±2 LSB Feature: Extremely high stability in low-speed sampling mode, suitable for high-precision measurement applications   Figure 2: Noise Performance at 80SPS Data Rate Gain Setting: PGA = 64 Data Output Rate: 80SPS Noise Performance: Output code fluctuation is approximately ±4 LSB Feature: Maintains good noise performance even at higher sampling rates, meeting rapid measurement requirements     Performance Summary The device exhibits excellent noise characteristics at the high gain setting of PGA=64, whether at 10SPS or 80SPS data rates. The 10SPS mode demonstrates superior noise performance, making it ideal for applications with extremely high precision requirements. The 80SPS mode provides a good balance between speed and accuracy, suitable for applications requiring faster sampling rates. Test data confirms the device's reliability and stability in precision measurement applications.   These characteristics make the ADS1230IPWR particularly suitable for applications requiring high-precision analog-to-digital conversion, such as electronic scales, pressure sensors, and industrial process control.   III. Core Analysis of Functional Block Diagram   1.Signal Processing Channel Differential Input: AINP/AINN directly connect to sensor signals Programmable Gain: 64/128× gain options to optimize small-signal amplification High-Precision Conversion: ΔΣ modulator achieves 24-bit no-missing-code conversion   2.Reference and Clock Reference Input: REFP/REFN support external reference sources Clock System: Built-in oscillator supports selectable 10/80SPS rates   3.Power Design Independent Power Supply: AVDD (Analog) and DVDD (Digital) with separate power inputs Ground Separation: AGND and DGND with independent grounding to reduce noise interference   4.Core Advantages High Integration: Reduces external component requirements Low-Noise Design: Noise < ±2 LSB at PGA=64 Low-Power Operation: Typical power consumption of 1.3mW Flexible Configuration: Programmable gain and data rate   This architecture provides a complete front-end solution for precision measurement, particularly suitable for weighing and pressure detection applications.   IV. Simplified Reference Input Circuit Analysis   Circuit Structure Description   The ADS1230IPWR adopts a differential reference voltage input design, comprising two main input terminals:   REFP:   Reference positive voltage input REFN:   Reference negative voltage input     Core Design Features   1.High-Impedance Input: Reference inputs feature high-impedance design Minimizes loading effects on the reference source Ensures reference voltage stability   2.Differential Architecture Advantages: Suppresses common-mode noise interference Improves reference voltage noise rejection ratio Supports floating reference applications   3.Decoupling Requirements A decoupling capacitor must be configured between REFP and REFN Recommended: 10μF tantalum capacitor in parallel with a 100nF ceramic capacitor Effectively suppresses power supply noise   Operating Characteristics Input Range: The reference voltage difference (REFP - REFN) determines the ADC full scale Impedance Characteristic: Typical input impedance >1MΩ Temperature Drift Impact: Reference source temperature drift directly affects conversion accuracy   V. Package Pin Configuration Description   Power Management Pins: Pin 1 (DVDD): Digital power supply positive terminal. Operating voltage range: 2.7-5.3V Pin 2 (DGND): Digital ground Pin 12 (AVDD): Analog power supply positive terminal. Operating voltage range: 2.7-5.3V Pin 11 (AGND): Analog ground   Analog Interface Pins: Pin 7 (AINP): Analog signal non-inverting input Pin 8 (AINN): Analog signal inverting input Pin 10 (REFP): Reference voltage positive input Pin 9 (REFN): Reference voltage negative input Pins 5-6 (CAP): Reference decoupling capacitor connection   Package Characteristics Type: TSSOP-16 Pin Pitch: 0.65mm Dimensions: 5.0×4.4mm Temperature Range: -40℃ to +105℃   Design Key Points Analog/digital power supplies require independent power sources Reference sources should adopt low-noise design Recommend parallel connection of 0.1μF decoupling capacitors to AVDD/DVDD pins Analog traces should be kept away from digital signal paths   This configuration provides a complete interface solution for high-precision ADC applications, particularly suitable for weighing systems and sensor measurement applications.   VI. Simplified Functional Diagram Analysis   Bypass Capacitor Filter Circuit The device constructs a low-pass filter using an external capacitor and an internal resistor: 1.External Component: 0.1μF bypass capacitor (CEXT) 2.Internal Structure: Integrated 2kΩ resistor (RINT) 3.Filter Characteristics: Forms a first-order low-pass filter 4.Cutoff Frequency: Calculated as 5.fc=12πRINTCEXT≈796Hzfc​=2πRINT​CEXT​1​≈796Hz 6.Functional Role: Effectively suppresses high-frequency noise and improves analog signal quality   Programmable Gain Amplifier (PGA) Architecture The PGA adopts a fully differential design structure: 1.Input Method: Supports differential signal input 2.Gain Configuration: Gain multiplier selected via external pins 3.Signal Processing: Utilizes chopper stabilization technology to reduce offset voltage 4.Noise Optimization: Built-in filtering network to optimize noise performance   Operating Characteristics The low-pass filter effectively suppresses high-frequency noise ≥800Hz The PGA provides high common-mode rejection ratio (CMRR) The overall architecture significantly improves signal chain noise performance Suitable for weak signal amplification scenarios such as load cell applications   Design Recommendations Use ceramic capacitors with stable temperature characteristics Minimize capacitor lead length Recommend X7R or X5R dielectric capacitors Place capacitors as close as possible to device pins during layout   VII. Clock Source Equivalent Circuit Analysis   Circuit Structure Composition The clock system adopts a dual-mode design architecture, comprising the following main modules:   Internal Oscillator Core Frequency: 76.8kHz RC oscillator Enable Control: Activated/deactivated via EN signal Automatic Detection: CLK_DETECT module monitors clock status   External Clock Interface Input Pin: CLKIN supports external clock input Compatibility: Compatible with square wave or sine wave clock sources Level Requirements: CMOS/TTL level compatible   Selection Switch Multiplexer (MUX): S0 control signal selects the channel Switching Logic: Selects internal or external clock source based on configuration Output Path: Transmits the selected clock to the ADC converter     Operating Modes     Internal Clock Mode   External Clock Mode   S0 selects the internal oscillator path   S0 selects the CLKIN input path   Provides a stable 76.8kHz reference clock   Supports external precision clock sources   No external components required, simplifying system design   Enables multi-device synchronous sampling   Configuration Method Controlled via a dedicated configuration register: S0 Control Bit: Selects clock source (0 = internal, 1 = external) EN Enable Bit: Internal oscillator enable control Status Detection: CLK_DETECT provides clock status monitoring   Design Recommendations When using an external clock, it is recommended to add a buffer Clock traces should be kept away from analog signal paths A small coupling capacitor should be added to the CLKIN pin For precise timing requirements, an external crystal oscillator can be used ​This clock architecture provides a flexible and stable clock solution for the ADC, meeting both the convenience needs of general applications and the external clock synchronization requirements of high-precision applications.     For procurement or further product information, please contact:86-0775-13434437778, Or visit the official website:https://mao.ecer.com/test/icsmodules.com/,Visit the ECER product page for details: [链接]                      

September 10, 2025 News — With increasing demands for power accuracy in portable electronic devices, low-dropout linear regulators (LDOs) play a critical role in signal processing circuits. The RT9193-33GB, manufactured using CMOS technology, supports an input voltage range of 2.5V to 5.5V and delivers a fixed 3.3V output with a maximum output current of 300mA. Featuring ±2% output voltage accuracy and 70dB power supply rejection ratio (PSRR), it is suitable for analog and digital circuits requiring stable power supply.   I. Core Technical Features   The RT9193-33GB utilizes CMOS technology, supporting an input voltage range of 2.5V to 5.5V while delivering a precise 3.3V±2% output voltage with 300mA load capability. The device features a 220mV low dropout voltage, 130μA quiescent current, and 70dB power supply rejection ratio (PSRR). It integrates overcurrent and thermal protection functions and is housed in a SOT-23-5 package, making it suitable for applications with stringent space and power qualityrequirements.   II. Application Scenario   1.Industrial Control: Provides stable reference voltage for PLC modules and sensors. 2.Communication Equipment: Powers RF front-end modules and base station interface circuits. 3.Medical Electronics: Supports precision power supply for portable monitoring devices and medical sensors. 4.Consumer Electronics: Applied in power management for audio codecs and smart wearable devices. 5.Automotive Electronics: Used in power supply for in-vehicle infotainment systems and driver assistance modules. 6.Test and Measurement: Delivers low-noise analog power for precision instruments.   III. Functional Block Diagram Detailed Explanation   RT9193-33GB is a high-performance low-dropout linear regulator (LDO) designed with advanced CMOS technology and integrated with multiple intelligent control functions. Below is a core module analysis based on its functional block diagram: Core Functional Modules   1.Enable Control Module: Employs a digital enable pin design compatible with standard TTL/CMOS logic levels. Typical enable voltage >1.5V, shutdown voltage 1.5V)   BP     Noise bypass pin, connecting an external 22nF capacitor can reduce output noise   VIN     Power input pin, supports 2.5V-5.5V input range     WDFN-6L 2x2 Package   Pin Name   Function Description EN   Enable control pin GND   Ground pin VIN   Power input pin NC   No connection VOUT   Regulated output pin BP   Noise bypass pin     MSOP-8 Package       Pin Name    Function Description          EN    Enable control pin        GND    Ground pin         VIN    Power input pin (2.5V-5.5V)          NC    No connection          NC    No connection       VOUT    Regulated output pin (requires ≥1μF ceramic capacitor)          BP    Noise bypass pin (connect 22nF capacitor to GND)          NC    No connection     Selection Recommendations   Space-constrained applications: Recommend WDFN-6L 2x2 package General applications: Recommend SOT-23-5 package High heat dissipation requirements: Recommend MSOP-8 package All packages comply with RoHS standards     For procurement or further product information, please contact:86-0775-13434437778,   Or visit the official website:https://mao.ecer.com/test/icsmodules.com/,Visit the ECER product page for details: [链接]            

Tin tức ngày 4 tháng 9 năm 2025 Với sự tăng tốc của Công nghiệp 4.0 và trí thông minh ô tô, nhu cầu về các giải pháp điện cách ly hiệu suất cao tiếp tục tăng lên.Động cơ biến áp tiếng ồn thấp SN6505BDBVR của Texas Instruments đang trở thành trọng tâm của ngành công nghiệp do hiệu suất điện cách ly đặc biệt của nóChip cung cấp khả năng ổ đĩa đầu ra lên đến 1A, hỗ trợ một phạm vi điện áp đầu vào rộng từ 2,25V đến 5,5V và cho phép nhiều điện áp đầu ra bị cô lập thông qua các biến áp bên ngoài,làm cho nó hoàn toàn phù hợp với các môi trường ứng dụng công nghiệp đòi hỏi khác nhau.   I. Đặc điểm chính của sản phẩm   SN6505BDBVR là một trình điều khiển biến áp đẩy kéo tiếng ồn thấp, EMI thấp được thiết kế cho các nguồn cung cấp điện tách biệt nhỏ gọn. Nó điều khiển các biến áp mỏng, ở giữa sử dụng nguồn điện DC 2,25V đến 5V.Các đặc điểm tiếng ồn cực thấp và EMI của nó được đạt được thông qua tốc độ chết được kiểm soát của điện áp chuyển mạch đầu ra và công nghệ đồng hồ phổ lan (SSC)Được đặt trong một gói SOT23 (DBV) 6 chân nhỏ, nó phù hợp với các ứng dụng không gian hạn chế. Với phạm vi nhiệt độ hoạt động từ -55 ° C đến 125 ° C, nó thích nghi với môi trường khắc nghiệt.Thiết bị cũng có chức năng khởi động mềm để làm giảm hiệu quả dòng điện vào và ngăn chặn dòng điện giật cao trong quá trình khởi động với tụ điện tải lớn.   II. Đặc điểm hiệu suất điển hình   1. SN6505BDBVR cho thấy điều chỉnh tải trọng tuyệt vời trong điều kiện đầu vào 5V, duy trì điện áp đầu ra ổn định trong phạm vi tải trọng rộng từ 25mA đến 925mA,đảm bảo hoạt động đáng tin cậy của nguồn cung cấp điện cô lập.   2Thiết bị đạt hiệu suất đỉnh vượt quá 80% trong phạm vi tải 300-600mA. Việc chuyển đổi hiệu quả cao này làm giảm đáng kể mức tiêu thụ điện của hệ thống và các yêu cầu quản lý nhiệt,mang lại lợi thế cho các thiết kế sản phẩm cuối cùng nhỏ gọn.   III. Biểu đồ khối chức năng Giải thích chi tiết   1.Thiết bị cung cấp điện và bật: Hỗ trợ một phạm vi điện áp đầu vào rộng từ 2,25V đến 5,5V. Điều khiển khởi động / dừng thông qua chân EN, với dòng tắt dưới 1μA.   2.Thay động và điều chế: Tích hợp bộ dao động 420kHz với công nghệ đồng hồ phổ phân tán tích hợp (SSC), giảm hiệu quả nhiễu điện từ (EMI).   3.Power Output: Sử dụng hai N-MOSFET 1A trong cấu hình đẩy-khai để trực tiếp điều khiển cuộn dây chính của biến áp.   4. Bảo vệ toàn diện: Cung cấp bảo vệ 1.7A hiện tại, khóa điện áp thấp và tắt nhiệt 150 °C để đảm bảo an toàn hệ thống.   5.Soft-Start Control: Các mạch kiểm soát tốc độ khởi động mềm và giảm tốc tích hợp để ngăn chặn dòng chảy và tối ưu hóa hiệu suất EMI.     Dòng công việc cốt lõi Điện áp đầu vào được cung cấp thông qua VCC, và chip được kích hoạt sau khi chân EN được đặt cao. Máy dao động (OSC) tạo ra một đồng hồ tần số cao, được truyền đến logic ổ đĩa sau khi điều chế phổ phổ (SSC). Vòng mạch truyền động điều khiển sự dẫn đổi của hai MOSFET (hoạt động đẩy-khai), tạo ra tín hiệu AC trên bộ biến áp chính. Máy biến áp phụ phát ra một điện áp cô lập, được điều chỉnh và lọc để cung cấp năng lượng cho tải. Vòng mạch bảo vệ liên tục giám sát dòng điện và nhiệt độ, ngay lập tức tắt đầu ra trong trường hợp bất thường. Các kịch bản ứng dụng Các nguồn điện công nghiệp cô lập: Cung cấp nguồn điện cô lập cho hệ thống bus RS-485 và CAN. Thiết bị y tế: Đặc điểm tiếng ồn thấp làm cho nó phù hợp với các thiết bị nhạy cảm như máy theo dõi ECG và máy theo dõi huyết áp. Hệ thống truyền thông: Cung cấp năng lượng cho các giao diện SPI và I2C cô lập. Điện tử ô tô: Phạm vi nhiệt độ rộng (-55 °C đến 125 °C) đáp ứng các yêu cầu cấp độ ô tô.       IV. Giải thích chi tiết về mạch ứng dụng điển hình   Kiến trúc mạch lõi   Vòng mạch ứng dụng điển hình của SN6505BDBVR được hiển thị trong hình. Nó áp dụng một cấu trúc đẩy-khai để đạt được chuyển đổi DC-AC, cung cấp công suất đầu ra cô lập thông qua một biến áp.Thiết kế chủ yếu bao gồm các thành phần sau:: 1Năng lượng đầu vào: Hỗ trợ 3.3V / 5V DC đầu vào (phạm vi 2.25V-5.5V), được lọc bằng tụ điện phân 10μF song song với tụ gốm 0,1μF. 2.Drive Core: Điều khiển bộ biến áp chính thông qua các chân D1 và D2, cung cấp khả năng đầu ra 1A với tần số chuyển đổi 420kHz. 3.Cửa và lọc: Sử dụng một MBR0520L Schottky diode để chỉnh sửa, kết hợp với một mạng LC để lọc hiệu quả. 4.Output được điều chỉnh: Tùy chọn tích hợp một TPS76350 LDO để điều chỉnh điện áp chính xác, đạt được độ chính xác đầu ra ± 3%.   V. Giải thích sơ đồ và phân tích thiết kế   Phân tích mô-đun mạch chính   1.Input Power Filtering: Kích VCC đòi hỏi một tụ điện phân 10μF (phát lọc tần số thấp) và một tụ gốm 100nF (phát lọc tần số cao), được đặt càng gần càng tốt với các chân chip.   2- Động cơ biến áp: OUT1 và OUT2 dẫn xen kẽ với sự khác biệt pha 180 độ để điều khiển cuộn dây chính của biến áp. Tần số chuyển đổi: 420kHz cho SN6505B, 350kHz cho SN6505A.   3.Đường mạch sửa chữa: Sử dụng topology chỉnh hình sóng đầy đủ với hai diode Schottky (MBR0520L). Yêu cầu lựa chọn diode: Đặc điểm phục hồi nhanh và giảm điện áp phía trước thấp.   4.Output Filtering: Mạng lọc LC, với tụ điện được khuyến cáo là loại ESR thấp. Động sóng đầu ra: Thông thường < 50mV.   Hướng dẫn thiết kế và lựa chọn thành phần   Thông số kỹ thuật của bộ biến áp: Loại: Máy biến áp trung tâm Tỷ lệ quay: Được tính dựa trên các yêu cầu đầu vào / đầu ra (ví dụ: 1:1.2 cho chuyển đổi 5V sang 6V) Điện bão hòa: > 1,5A Mô hình được khuyến cáo: Würth 750315240 hoặc loạt Coilcraft CT05   Các cân nhắc thiết kế ứng dụng 1- Khuyến nghị thiết kế: Đặt tụ điện đầu vào càng gần càng tốt đến các chân VCC và GND. Giữ các dấu vết từ biến áp đến OUT1/OUT2 ngắn và rộng. Duy trì tính toàn vẹn của mặt đất.   2- Quản lý nhiệt: Đảm bảo nhiệt độ môi trường xung quanh ở dưới 85 °C trong khi hoạt động liên tục với tải đầy đủ. Thêm tấm đồng để phân tán nhiệt nếu cần thiết.   3.EMI tối ưu hóa: Sử dụng tính năng đồng hồ phổ mở rộng (SSC) của chip. Tích hợp thêm các mạch RC snubber.   VI. Mô tả thời gian hoạt động chính   Bên trái: Biểu đồ khối module   Biểu đồ minh họa các mô-đun chức năng cốt lõi và lưu lượng tín hiệu trong chip SN6505. Các chức năng của mỗi phần như sau:   1.OSC (Oscillator): Tạo ra tín hiệu dao động ban đầu (tần số foscfosc), phục vụ như là "nguồn đồng hồ" cho toàn bộ mạch. 2. Frequency Divider: Chia tín hiệu đầu ra dao động để tạo ra hai tín hiệu bổ sung (được gắn nhãn S ̅S và SS), cung cấp thời gian cơ bản cho logic điều khiển tiếp theo. 3. Output Transistors (Q1Q1, Q2Q2 ): Được điều khiển bởi G1G1 và G2G2 để đạt được "chuyển đổi dẫn / ngắt", cuối cùng xuất tín hiệu từ D1D1 và D2D2.4.Power and Ground (VCCVCC, GND): Cung cấp sức mạnh hoạt động và địa điểm tham chiếu cho chip. Bên phải: Biểu đồ thời gian đầu ra Biểu đồ bên phải sử dụng thời gian như trục ngang để hiển thị trạng thái dẫn / cắt của Q1Q1 và Q2Q2 theo thời gian.   1Trong sơ đồ thời gian, các hình dạng sóng màu xanh và màu đỏ tương ứng với các tín hiệu điều khiển (hoặc trạng thái dẫn) của Q1Q1 và Q2Q2, tương ứng. 2.Quan sát dọc theo trục thời gian cho thấy Q2Q2 chỉ bật ("Q2Q2 on") sau khi Q1Q1 hoàn toàn tắt ("Q1Q1 off"); tương tự, Q1Q1 chỉ bật sau khi Q2Q2 hoàn toàn tắt. 3Dòng thời gian này của "bẻ gãy một trước khi tạo ra cái khác" là một biểu hiện trực tiếp của nguyên tắc "Bẻ gãy trước khi tạo ra".ngăn ngừa hiệu quả các lỗi do dẫn đồng thời của cả hai bóng bán dẫn.     SN6505BDBVR thiết lập một chuẩn mực mới cho thiết kế nguồn điện cô lập công nghiệp với tần số chuyển đổi cao 420kHz, hiệu suất chuyển đổi hơn 80% và hiệu suất EMI xuất sắc.Các gói SOT-23 nhỏ gọn và các tính năng tích hợp cao của nó đơn giản hóa đáng kể thiết kế mạch ngoại vi trong khi cải thiện đáng kể độ tin cậy và mật độ điện của hệ thốngNhu cầu về nguồn cung cấp điện cách ly hiệu quả và thu nhỏ sẽ tiếp tục tăng lên.       Để mua sắm hoặc thông tin thêm về sản phẩm, vui lòng liên hệ:86-0775-13434437778, Hoặc truy cập trang web chính thức:https://mao.ecer.com/test/icsmodules.com/,Đọc trang sản phẩm ECER để biết chi tiết: [链接]              

Ngày 8 tháng 9 năm 2025 Tin tức với sự tăng tốc của Công nghiệp 4.0 và trí thông minh ô tô, nhu cầu về chip quản lý năng lượng hiệu quả cao tiếp tục tăng.Chuyển đổi DC-DC buck điện áp cao 0E1 đang trở thành trọng tâm của ngành công nghiệp do hiệu suất chuyển đổi điện năng đặc biệtChip cung cấp một dòng điện đầu ra liên tục 2A, hỗ trợ một phạm vi điện áp đầu vào rộng từ 4,5V đến 40V và cung cấp một đầu ra 5.0V ổn định và chính xác,làm cho nó hoàn toàn phù hợp với các môi trường ứng dụng đòi hỏi khác nhau.     Với hiệu quả chuyển đổi lên đến 92% và thiết kế cực kỳ đơn giản chỉ yêu cầu năm thành phần bên ngoài, nó cải thiện đáng kể độ tin cậy và mật độ điện của hệ thống điện.Điều này cung cấp hỗ trợ phần cứng mạnh mẽ cho các ứng dụng sáng tạo trong kiểm soát công nghiệp, điện tử tiêu dùng, điện tử ô tô và các lĩnh vực khác.   I.Tổng quan về sản phẩm XL1507-5.0E1 là một bộ chuyển đổi DC-DC cấp cao, chi phí hiệu quả (Buck Converter) được giới thiệu bởi công ty thiết kế chip XLSemi (Xinlong Semiconductor) của Trung Quốc.Nó chuyển đổi một phạm vi điện áp đầu vào rộng thành một ổn định cố định 5.0V đầu ra, có khả năng cung cấp đến 2A dòng tải liên tục. Chip tích hợp một MOSFET điện năng kháng cự thấp bên trong, đơn giản hóa đáng kể thiết kế mạch bên ngoài,làm cho nó trở thành một sự thay thế hiệu quả cho các bộ điều chỉnh tuyến tính truyền thống (như 7805).   II. Các đặc điểm chính   Phạm vi điện áp đầu vào rộng: 4,5V đến 40V, có khả năng chịu được sóng đổ tải trong môi trường ô tô.và các ứng dụng truyền thông với các điều kiện điện năng phức tạp. 1Điện áp đầu ra cố định: 5,0V (chỉ có độ chính xác ± 2%). 2. Điện lượng đầu ra cao: Hỗ trợ đến 2A điện lượng đầu ra liên tục. 3Hiệu suất chuyển đổi cao: Tối đa 92% (tùy thuộc vào điều kiện điện áp đầu vào / đầu ra), cao hơn đáng kể so với các bộ điều chỉnh tuyến tính với việc tạo ra nhiệt giảm. 4.MOSFET điện tích hợp: Loại bỏ sự cần thiết của một công tắc bên ngoài, giảm chi phí hệ thống và diện tích PCB. 5Tần số chuyển đổi cố định 150kHz: cân bằng hiệu quả trong khi giảm thiểu kích thước của các cảm ứng và tụ bên ngoài. 6Các tính năng bảo vệ toàn diện: Giới hạn dòng điện theo chu kỳ Bảo vệ tắt nhiệt Bảo vệ mạch ngắn đầu ra (SCP) 7Bao bì thân thiện với môi trường: Bao bì tiêu chuẩn TO-252-2L (DPAK), phù hợp với các tiêu chuẩn RoHS và không có chì.   III. Biểu đồ mạch ứng dụng điển hình   Vòng mạch này sử dụng một bộ phận cung cấp nguồn điện chuyển mạch buck cổ điển,với mục tiêu chính là chuyển đổi điện áp đầu vào 12V thành điện áp đầu ra 5V một cách hiệu quả và ổn định trong khi cung cấp dòng tải tối đa 3A. 1Nguyên tắc làm việc cốt lõi   1.Bước chuyển đổi (trạng thái ON):Chuyển đổi MOSFET điện áp cao bên trong XL1507 bật ON, áp dụng điện áp đầu vào VIN (12V) cho cảm ứng điện (L1) và tụ đầu ra (C2) thông qua chân SW của chip.Con đường hiện tại trong giai đoạn này là: VIN → XL1507 → SW → L1 → C2 & Load. Dòng chảy thông qua cảm ứng (L1) tăng tuyến tính, lưu trữ năng lượng điện dưới dạng từ trường. Bộ tụ đầu ra (C2) được sạc, cung cấp điện cho tải và duy trì điện áp đầu ra ổn định.   2.OFF trạng thái:MOSFET bên trong của XL1507 tắt. Vì dòng điện cảm ứng không thể thay đổi đột ngột, cảm ứng (L1) tạo ra một EMF ngược (cốt dưới dương, đầu trên âm). Tại thời điểm này, đèn diode tự do (D1) trở nên thiên vị về phía trước và dẫn, cung cấp một con đường liên tục cho dòng cảm ứng. Con đường hiện tại là: GND → D1 → L1 → C2 & Load. Năng lượng được lưu trữ trong cảm ứng được giải phóng sang tải và tụ thông qua diode.   3.Đạp xe và quy định:XL1507 chuyển đổi MOSFET nội bộ của nó ở tần số cố định (~ 150 kHz).tỷ lệ thời gian công tắc là ON trong một chu kỳ) để ổn định điện áp đầu raVí dụ: để đạt được chuyển đổi 12V sang 5V, chu kỳ hoạt động lý tưởng là khoảng 5V/12V ≈ 42%.   2Phân tích chức năng thành phần chính      Thành phần Loại Chức năng cốt lõi Các thông số lựa chọn chính XL1507-5.0E1 Buck IC Bộ điều khiển lõi với MOSFET nội bộ Khả năng đầu ra cố định 5V, Đánh giá > 40V, Điện ≥ 3A C1 Capacitor đầu vào lọc, cung cấp dòng điện ngay lập tức 100μF+, Năng lượng ≥25V, song song với nắp gốm 100nF L1 Động lực điện Lưu trữ và lọc năng lượng 33-68μH, Điện bão hòa > 4,5A, DCR thấp D1 Diode tự do Cung cấp đường dẫn cho dòng cảm ứng Schottky diode, 5A/40V, điện áp phía trước thấp C2 Capacitor đầu ra lọc, ổn định điện áp đầu ra 470μF+, Năng lượng ≥10V, ESR thấp R1,R2 Kháng phản hồi Điện áp đầu ra mẫu Đặt sẵn bên trong, không cần kết nối bên ngoài   3.Lợi thế thiết kế Tóm tắt   Vòng mạch điển hình này hoàn toàn chứng minh những lợi thế của XL1507-5.0E1: 1Thiết kế tối thiểu: Nhờ MOSFET tích hợp bên trong và phản hồi cố định, chỉ cần 1 cảm ứng, 1 diode và 2 tụ điện để xây dựng nguồn cung cấp điện hoàn chỉnh,dẫn đến chi phí BOM cực kỳ thấp. 2Hiệu quả cao: Hoạt động chế độ chuyển đổi và sử dụng một diode Schottky đạt hiệu quả (được ước tính > 90%) cao hơn nhiều so với các giải pháp điều chỉnh tuyến tính (ví dụ: LM7805,chỉ có hiệu quả ~ 40% và sản xuất nhiệt đáng kể). 3Độ tin cậy cao: Bảo vệ quá tải tích hợp, tắt nhiệt và các tính năng khác đảm bảo chip và tải hạ lưu được bảo vệ trong điều kiện bất thường. 4Kích thước nhỏ gọn: Tần số chuyển đổi cao cho phép sử dụng các cảm ứng và tụ nhỏ hơn, tạo điều kiện cho việc thu nhỏ thiết bị. 5Loại mạch này là một giải pháp lý tưởng cho các thiết bị ô tô, bộ định tuyến, bộ điều khiển công nghiệp và các ứng dụng khác đòi hỏi chuyển đổi năng lượng 5V / 3A hiệu quả từ nguồn 12V.   IV. Biểu đồ khối chức năng   Một sơ đồ khối chức năng phục vụ như một "bản đồ" để hiểu con chip.Dòng công việc nội bộ của nó có thể được chia thành các thành phần chính sau:   1. Sức mạnh & tham chiếu 2. Voltage Feedback Loop - "Đặt mục tiêu" 3.Thay động và điều chế - "Giữ nhịp điệu" 4.Power Switch & Drive - "The Executor" 5.Current Sense & Protection - "Đảm bảo an toàn"   Tóm tắt quy trình làm việc 1.Power-On: VIN cung cấp năng lượng, tạo ra một tín hiệu tham chiếu và dao động 5V nội bộ. 2Lấy mẫu & So sánh: Mạng phản hồi nội bộ lấy mẫu đầu ra cố định 5V, và bộ khuếch đại lỗi đưa ra điện áp COMP. 3.Turn-On: Khi tín hiệu đồng hồ dao động đến, mạch truyền động kích hoạt MOSFET nội bộ và dòng điện bắt đầu tăng. 4. Modulated Turn-Off: Các mạch cảm biến hiện tại theo dõi trong thời gian thực. Khi giá trị hiện tại đạt đến ngưỡng được thiết lập bởi điện áp COMP,PWM comparator kích hoạt và ngay lập tức tắt MOSFET. 5. Freewheeling & Filtering: Trong thời gian tắt, đèn Schottky bên ngoài (D) cung cấp một con đường cho dòng cảm ứng, và mạch LC lọc sóng vuông thành đầu ra DC 5V trơn tru. 6.Cycling & Protection: Chu kỳ đồng hồ tiếp theo bắt đầu, lặp lại các bước 3-5. Hệ thống vòng kín tinh vi này đảm bảo rằng XL1507-5.0E1 hiệu quả và đáng tin cậy chuyển đổi điện áp đầu vào lớn biến động thành điện áp đầu ra 5V ổn định và sạch.   V. Cơ chế bảo vệ thông minh Thiết bị kết hợp nhiều tính năng bảo vệ, bao gồm: Giới hạn dòng điện theo chu kỳ Bảo vệ tắt nhiệt tự động Bảo vệ mạch ngắn tăng cường Các cơ chế bảo vệ này đảm bảo hoạt động ổn định và đáng tin cậy của hệ thống điện ngay cả trong các điều kiện điện đòi hỏi khắt khe nhất. VI. Hướng dẫn kiểm tra sơ đồ và bố trí PCB   Các điểm chính cho kiểm tra mạch   1Các điểm thử nghiệm cốt lõi VIN & GND: đo điện áp đầu vào và sóng. SW (Switch Node): Quan sát chuyển đổi hình dạng sóng, tần số và chuông (Cảnh báo: Sử dụng xuân đất thăm dò trong khi đo). VOUT & GND: Đo độ chính xác điện áp đầu ra, điều chỉnh tải và sóng đầu ra.   2. Kiểm tra hiệu suất Điều chỉnh tải: Cài đặt điện áp đầu vào, thay đổi dòng tải (0A → 3A) và theo dõi phạm vi biến đổi điện áp đầu ra. Quy định đường dây: Cài đặt dòng tải, thay đổi điện áp đầu vào (ví dụ: 10V → 15V) và theo dõi phạm vi biến đổi điện áp đầu ra. Đo sóng: Sử dụng một máy dao động với dây chuyền đất để đo chính xác tại điểm VOUT.   3Những nhận xét quan trọng Hình sóng: Hình sóng điểm SW nên sạch sẽ mà không bị vượt quá hoặc chuông bất thường. Sự ổn định: Điện áp đầu ra nên ổn định trong tất cả các điều kiện thử nghiệm mà không có dao động. Nhiệt độ: Sự gia tăng nhiệt độ chip và cảm ứng nên nằm trong giới hạn hợp lý trong quá trình vận hành đầy tải.   Hướng dẫn cơ bản về bố trí PCB Quy tắc 1: Giảm đến tối thiểu các vòng lặp tần số cao Mục tiêu: Đặt nồng độ đầu vào (CIN) càng gần càng tốt đến các chân VIN và GND của chip. Lý do: Giảm tốc độ cao tần số, đường tích điện / xả điện hiện tại cao. Đây là biện pháp quan trọng nhất để ngăn chặn bức xạ EMI và giảm đột biến điện áp.   Quy tắc 2: Loại trừ các đường phản hồi nhạy cảm Mục tiêu: Giữ các dấu vết phản hồi ra khỏi cảm ứng (L1) và nút chuyển đổi (SW). Lý do: Ngăn chặn tiếng ồn kết nối từ trường và điện từ mạng phản hồi nhạy cảm, tránh sự bất ổn điện áp đầu ra hoặc tăng sóng.   Quy tắc 3: Chiến lược đặt đất tối ưu Mục tiêu: Sử dụng trái đất sao hoặc trái đất điểm duy nhất.IN, D1, CĐứng ngoài) và tín hiệu mặt đất (FB phản hồi) tại một điểm duy nhất. Lý do: Ngăn chặn sự sụt giảm điện áp do dòng điện cao trên mặt phẳng mặt đất can thiệp vào mặt đất tham chiếu của chip, đảm bảo sự ổn định vòng điều khiển.   Quy tắc 4: Tối ưu hóa nút chuyển đổi Mục tiêu: Giữ đường dẫn SW ngắn và rộng. Lý do: SW là một điểm chuyển đổi điện áp tần số cao.   Quy tắc 5: Cung cấp các tuyến đường phân tán nhiệt Mục tiêu: Đặt nhiều đường dẫn đất dưới chân GND của chip và đèn LED. Lý do: Sử dụng lớp đồng dưới cùng của PCB để phân tán nhiệt từ các thành phần điện, cải thiện độ tin cậy của hệ thống.   Để mua sắm hoặc thông tin thêm về sản phẩm, vui lòng liên hệ:86-0775-13434437778, Hoặc truy cập trang web chính thức:https://mao.ecer.com/test/icsmodules.com/    Để biết chi tiết, hãy truy cập trang sản phẩm ECER: [链接]            

Ngày 6 tháng 9 năm 2025 — Giữa xu hướng liên tục hướng tới hiệu quả và độ tin cậy cao hơn trong công nghệ nguồn cung cấp điện chuyển mạch, bộ điều khiển PWM chế độ dòng điện UC2845BD1G ngày càng trở thành một giải pháp chủ đạo trong ngành điện công nghiệp, thiết bị truyền thông và điện tử tiêu dùng nhờ vào sự ổn định tuyệt vời và hiệu suất điều khiển chính xác. Chip này áp dụng công nghệ quy trình BCD tiên tiến, hỗ trợ dải điện áp đầu vào rộng từ 8V đến 30V và cung cấp hỗ trợ điều khiển hiệu quả cho các loại hình điện khác nhau như bộ chuyển đổi flyback và forward. Theo các thông số kỹ thuật liên quan, thiết bị kết hợp các chức năng bảo vệ toàn diện và các tính năng thân thiện với môi trường, đảm bảo hoạt động an toàn và đáng tin cậy của hệ thống điện trong nhiều điều kiện làm việc khác nhau.   I. Các Tính Năng Kỹ Thuật Của Sản Phẩm UC2845BD1G được đóng gói trong SOIC-8 và tích hợp bộ khuếch đại lỗi độ lợi cao, mạch điều khiển chu kỳ làm việc chính xác và tham chiếu chính xác bù nhiệt độ. Chip hỗ trợ tần số hoạt động tối đa 500kHz và cho phép điều chỉnh chu kỳ làm việc từ 0% đến gần 100%. Mạch kẹp 36V tích hợp cung cấp bảo vệ quá áp cho đầu ra của bộ khuếch đại lỗi, đồng thời có chức năng khóa điện áp thấp (UVLO) với ngưỡng khởi động điển hình là 16V và ngưỡng tắt là 10V.   II. Ưu Điểm Chức Năng Cốt Lõi   Chip sử dụng kiến trúc điều khiển chế độ dòng điện, mang lại khả năng điều chỉnh đường truyền và tải tuyệt vời. Giai đoạn đầu ra cực totem dòng điện cao tích hợp của nó có thể trực tiếp điều khiển MOSFET, với dòng đầu ra đỉnh là ±1A. Bộ tạo dao động lập trình tích hợp cho phép đặt tần số hoạt động thông qua điện trở và tụ điện bên ngoài, đồng thời có chức năng khởi động mềm và giới hạn dòng điện lập trình. Chip hoạt động trong dải nhiệt độ tiếp giáp từ -40°C đến 125°C, đáp ứng các yêu cầu ứng dụng cấp công nghiệp.   III. Giới Thiệu Chi Tiết về Sơ Đồ Khối Chức Năng   Triết lý cốt lõi: Điều khiển chế độ dòng điện Sơ đồ này minh họa nguyên tắc của Điều khiển Chế độ Dòng điện. Không giống như Điều khiển Chế độ Điện áp truyền thống, nó có hai vòng điều khiển: Vòng ngoài: Vòng điện áp chậm hơn chịu trách nhiệm thiết lập mức đầu ra chính xác. Vòng trong: Vòng dòng điện nhanh hơn chịu trách nhiệm theo dõi và giới hạn dòng điện của công tắc điện trong thời gian thực. ​Cấu trúc này cho phép phản hồi động nhanh hơn và giới hạn dòng điện theo chu kỳ vốn có, cải thiện đáng kể độ tin cậy và hiệu suất của nguồn điện.   Phân Tích Sâu về Các Mô-đun Chính 1. Vòng Điện áp — "Chỉ Huy" Thành phần cốt lõi: Bộ khuếch đại lỗi (Error Amp) + Tham chiếu 5.0V   Quá trình làm việc: Chip tạo ra điện áp tham chiếu 5.0V cực kỳ ổn định, được chia nhỏ xuống 2.5V và cung cấp cho đầu vào không đảo (+) của bộ khuếch đại lỗi. Điện áp đầu ra của nguồn điện được chia bởi các điện trở bên ngoài và đưa vào đầu vào đảo (-) của bộ khuếch đại lỗi — FB (Chân 2). Bộ khuếch đại lỗi liên tục so sánh điện áp FB với tham chiếu 2.5V bên trong. Kết quả so sánh được xuất ra từ COMP (Chân 1) dưới dạng điện áp lỗi. Mức điện áp này cho biết trực tiếp cần cung cấp bao nhiêu điện: Điện áp đầu ra quá thấp → Điện áp COMP tăng Điện áp đầu ra quá cao → Điện áp COMP giảm Chi tiết quan trọng: Chân COMP yêu cầu một mạng lưới bù RC bên ngoài. Thiết kế của mạng này rất quan trọng — nó xác định độ ổn định của toàn bộ vòng lặp nguồn điện (tức là liệu hệ thống có dao động hay không).   2. Đồng hồ và Thời gian — "Máy đếm nhịp" Thành phần cốt lõi: Bộ tạo dao động   Quá trình làm việc: Một điện trở (RT) và tụ điện (CT) được kết nối giữa RT/CT (Chân 4) và mass. Một nguồn dòng điện không đổi bên trong sạc tụ điện CT (độ dốc được xác định bởi RT), tạo thành cạnh tăng của sóng răng cưa. Khi điện áp đạt đến một ngưỡng cụ thể, mạch bên trong nhanh chóng xả tụ điện, tạo ra cạnh giảm. Điều này tạo ra một sóng răng cưa tần số cố định, xác định tần số chuyển mạch PWM. Sự bắt đầu của mỗi chu kỳ răng cưa cung cấp một tín hiệu đồng hồ đặt chốt PWM và khởi tạo một xung đầu ra mới.   3. Nguồn điện và Bảo vệ — "Hậu cần và An ninh" Khóa điện áp thấp (UVLO):   Theo dõi điện áp tại Vcc (Chân 7). Chip bắt đầu hoạt động chỉ khi Vcc vượt quá ngưỡng khởi động (≈16V), ngăn chặn hoạt động PWM không ổn định dưới điện áp không đủ. Sau khi được kích hoạt, chip tiếp tục hoạt động miễn là Vcc vẫn trên ngưỡng tắt (≈10V). Cơ chế này đảm bảo hành vi khởi động ổn định và đáng tin cậy. Tham chiếu 5V (Vref): Không chỉ đóng vai trò là tham chiếu cho bộ khuếch đại lỗi mà còn được xuất ra thông qua VREF (Chân 8). Nó cung cấp nguồn 5V sạch và ổn định cho các mạch bên ngoài (chẳng hạn như điện trở chia điện áp hoặc RT), tăng cường khả năng miễn nhiễm với nhiễu và độ ổn định tổng thể của hệ thống.   Tóm tắt luồng tín hiệu (Bức tranh lớn) Tín hiệu đồng hồ khởi tạo chu kỳ và đặt đầu ra để bật MOSFET. Dòng điện tăng được chuyển đổi thành điện áp lấy mẫu, được so sánh trong thời gian thực với điện áp COMP đại diện cho nhu cầu điện. Khi hai điện áp bằng nhau, đầu ra tắt ngay lập tức, do đó xác định độ rộng xung. Quá trình này lặp lại liên tục, tạo thành một điều khiển vòng kín hiệu quả và ổn định.   IV. Cấu Hình và Chức Năng Chân   UC2845BD1G sử dụng gói SOIC-8 tiêu chuẩn, cung cấp đầy đủ chức năng điều khiển PWM chế độ dòng điện thông qua bố cục chân được sắp xếp hợp lý. Các chân cốt lõi của nó bao gồm đầu vào nguồn (VCC), đầu ra cực totem (OUTPUT), bù lỗi (COMP), đầu vào phản hồi (FB), cảm biến dòng điện (ISENSE) và cài đặt tần số bộ tạo dao động (RT/CT). Thiết bị cũng cung cấp đầu ra tham chiếu 5V chính xác (VREF), hỗ trợ các triển khai mạch bên ngoài để bảo vệ quá dòng, khởi động mềm và điều chỉnh tần số. Với độ tích hợp cao và độ tin cậy của hệ thống, nó phù hợp với nhiều loại hình điện cách ly và không cách ly. V. Các Kịch Bản Ứng Dụng Tiêu Biểu   Trong lĩnh vực nguồn điện công nghiệp, nó được sử dụng trong bộ chuyển đổi AC/DC, hệ thống điện biến tần và bộ điều khiển truyền động động cơ. Trong thiết bị truyền thông, nó được áp dụng trong nguồn điện trạm gốc và mô-đun điện thiết bị mạng. Đối với điện tử tiêu dùng, nó phù hợp với nguồn điện màn hình LCD, bộ điều hợp và bộ sạc. Trong lĩnh vực điện tử ô tô, nó được sử dụng trong bộ sạc trên bo mạch và hệ thống điện phụ trợ.   VI. Thông Số Kỹ Thuật   UC2845BD1G cung cấp các thông số hiệu suất chính sau:       Thông số   Giá trị   Đơn vị   Điều kiện   Điện áp cung cấp (VCC)   8 đến 30   V   Phạm vi hoạt động   Tần số hoạt động   Lên đến 500   kHz   Được đặt bởi RT/CT   Điện áp tham chiếu (VREF)   5.0 ±1%   V   TJ = 25°C   Dòng điện đầu ra (Đỉnh)   ±1   A   Đầu ra cực totem   Ngưỡng Khởi động/Dừng UVLO   16 / 10   V   Giá trị điển hình   Tích số Gain-BW của Error Amp   1   MHz   Điển hình   Nhiệt độ hoạt động   -40 đến +125   °C   Nhiệt độ tiếp giáp   Các thông số kỹ thuật này làm nổi bật sự phù hợp của thiết bị cho nhiều ứng dụng chuyển đổi điện năng khác nhau, đòi hỏi sự điều chỉnh chính xác và hiệu suất mạnh mẽ.   VII. Tuân Thủ Môi Trường   Sản phẩm đáp ứng các quy định và tiêu chuẩn môi trường sau: Tuân thủ RoHS: Tuân thủ các yêu cầu của Chỉ thị EU 2015/863 Không chứa halogen: Hàm lượng clo < 900 ppm, hàm lượng brom < 900 ppm Tuân thủ REACH: Không chứa các Chất có mối quan tâm rất cao (SVHC) Không chứa chì: Tuân thủ tiêu chuẩn JEDEC J-STD-020 Bao bì: Sử dụng vật liệu đóng gói không chứa chì thân thiện với môi trường Tất cả thông tin tuân thủ đều dựa trên thông số kỹ thuật của nhà sản xuất và tiêu chuẩn ngành.   Để mua hàng hoặc biết thêm thông tin sản phẩm, vui lòng liên hệ: 86-0775-13434437778, Hoặc truy cập trang web chính thức: https://mao.ecer.com/test/icsmodules.com/  

September 4, 2025 Tin tức M95160-WMN6TP chip bộ nhớ EEPROM hàng loạt từ STMicroelectronics tiếp tục đóng một vai trò quan trọng trong kiểm soát công nghiệp, điện tử tiêu dùng,và điện tử ô tôVới dung lượng lưu trữ 16Kbit (2K × 8), hỗ trợ giao diện SPI lên đến 10MHz và phạm vi điện áp hoạt động rộng từ 2,5V đến 5,5V, nó đáp ứng nhu cầu thị trường về độ tin cậy và độ bền.Chip có thời gian ghi 5ms và độ bền lên đến 4 triệu chu kỳ ghi, củng cố thêm giá trị của nó trong các ứng dụng này.       Tôi.Hiệu suất cốt lõi và khả năng áp dụng 1.M95160-WMN6TP là một chip bộ nhớ EEPROM 16 kilobit (2K × 8) nối tiếp giao tiếp với bộ điều khiển máy chủ thông qua bus SPI (Serial Peripheral Interface). Với tần số đồng hồ tối đa là 10MHz,Nó hỗ trợ các hoạt động đọc / ghi dữ liệu tốc độ caoPhạm vi điện áp hoạt động rộng của nó từ 2.5V đến 5.5V cho phép thích nghi với môi trường năng lượng đa dạng.   2. Chiếc chip sử dụng gói SOIC-8, tuân thủ các tiêu chuẩn RoHS và không có chì. Thiết kế gắn trên bề mặt của nó tạo điều kiện cho sản xuất tự động. Với phạm vi nhiệt độ hoạt động từ -40 °C đến 85 °C (TA),nó có thể hoạt động ổn định trong nhiều môi trường khắc nghiệt khác nhau. Thời gian ghi chỉ 5ms tăng hiệu quả lưu trữ dữ liệu.   II. Hình thức gói và đặc điểm giao diện M95160-WMN6TP sử dụng gói SOIC-8 với kích thước 4,9mm x 3,9mm x 1,25mm, làm cho nó phù hợp với các ứng dụng gắn tự động không gian hạn chế.Bao bì tuân thủ các tiêu chuẩn RoHS và không có chì, trong khi thiết kế gắn bề mặt của nó tạo điều kiện sản xuất hàng loạt. Giao diện cốt lõi của nó là Serial Peripheral Interface (SPI), hỗ trợ tần số đồng hồ lên đến 10MHz, cho phép các hoạt động đọc / ghi dữ liệu tốc độ cao.Khả năng tương thích bus SPI đảm bảo kết nối thuận tiện với các bộ vi điều khiển và bộ xử lý khác nhau. Các thông số cơ bản của gói   Mô hình: M95160-WMN6TP Loại bao bì: UFDFN8 (Ultra Thin Fine Pitch Dual Flat No Lead) Số pin: 8 Kích thước: 2,0 mm × 3,0 mm Độ nhấp của chân: 0,5 mm Độ dày: cực mỏng (thường ≤ 0,6 mm)                           1Đặc điểm bao bì và thiết kế bố trí Các gói UFDFN8 được sử dụng trong M95160-WMN6TP là một gói siêu mỏng đo 2 × 3mm với một pitch chân 0.5mm.Cần chú ý đặc biệt đến dấu nhận dạng của pin 1 và thiết kế chính xác của các padNó được khuyến cáo để mở rộng phù hợp các miếng đệm để đảm bảo độ tin cậy hàn.Bộ đệm nhiệt trung tâm ở đáy phải được thiết kế tương ứng và kết nối với mặt đất thông qua 4-6 đường dẫn, rất quan trọng đối với phân tán nhiệt và cố định cơ học.   2Các điểm chính của quy trình sản xuất và lắp rápQuá trình lắp ráp cho gói này đòi hỏi độ chính xác cao.yêu cầu kiểm soát chặt chẽ độ chính xác in mạ hàn và sử dụng hồ sơ nhiệt độ tái dòng phù hợp với các quy trình không chìSau khi hàn, kiểm tra tia X được khuyến cáo để kiểm tra độ lấp hàn bên dưới miếng đệm nhiệt, đảm bảo chất lượng hàn và độ tin cậy.   3Các cân nhắc và tóm tắt về độ tin cậy Các gói FDFN8 có cấu trúc nhỏ gọn, làm cho nó tương đối nhạy cảm với điện tĩnh (ESD) và căng thẳng vật lý.Các thiết bị bảo vệ ESD nên được thêm vào các đường giao diện, và các thành phần có thể gây áp lực nên được tránh trên chip trong quá trình bố trí.kiểm soát quy trình SMT nghiêm ngặt, và các biện pháp quản lý nhiệt và bảo vệ toàn diện. hợp tác chặt chẽ với các nhà sản xuất PCB và các cơ sở lắp ráp được khuyến cáo để tối ưu hóa các thông số thiết kế chung.   III. Hiệu suất và lợi thế cốt lõi   Kích thước đặc điểm Thông tin chi tiết về tham số Ưu điểm Cấu hình bộ nhớ 16Kbit (2K x 8) Cấu trúc tổ chức hợp lý đáp ứng nhu cầu cấu hình và lưu trữ tham số chung. giao diện & tốc độ Giao diện SPI, lên đến 10MHz Giao thức hàng loạt tiêu chuẩn với khả năng tương thích mạnh mẽ và tốc độ truyền dữ liệu nhanh. Phạm vi điện áp 2.5V ~ 5.5V Phạm vi điện áp hoạt động rộng, tương thích với cả hệ thống 3.3V và 5V, cung cấp tính linh hoạt ứng dụng cao. Khả năng chịu đựng và tuổi thọ 4 triệu chu kỳ xóa / ghi, lưu trữ dữ liệu 40 năm Độ tin cậy cao đảm bảo an ninh dữ liệu lâu dài, phù hợp với các kịch bản ghi thường xuyên. Nhiệt độ hoạt động -40°C ~ +85°C Phạm vi nhiệt độ công nghiệp, thích nghi với môi trường làm việc khắc nghiệt. Viết Thời gian chu kỳ 5ms (viết trang) Khả năng cập nhật dữ liệu nhanh.     IV. Các kịch bản ứng dụng   M95160-WMN6TP tận dụng các tính năng của nó để phục vụ nhiều lĩnh vực: Kiểm soát công nghiệp: Được sử dụng trong PLC, cảm biến và thiết bị để lưu trữ các thông số và cấu hình quan trọng. Điện tử tiêu dùng: Bảo tồn cài đặt người dùng và dữ liệu hiệu chuẩn trong các thiết bị gia đình thông minh và thiết bị đeo. Điện tử ô tô: Được áp dụng trong các hệ thống xe để lưu trữ thông tin chẩn đoán và tham số cấu hình. Thiết bị truyền thông: Được sử dụng trong các bộ định tuyến, chuyển mạch, vv, để lưu trữ cấu hình mô-đun và dữ liệu trạng thái.   Ưu điểm kỹ thuật của nó bao gồm: Đồng hồ tốc độ cao: Hỗ trợ giao tiếp SPI 10MHz để truy cập dữ liệu nhanh. Độ bền cao: Cung cấp 4 triệu chu kỳ ghi và 200 năm lưu trữ dữ liệu. Hoạt động điện áp rộng: Hoạt động từ 2,5V đến 5,5V, đảm bảo tương thích mạnh mẽ. Gói nhỏ gọn: Gói SOIC-8 tiết kiệm không gian PCB và lý tưởng cho các thiết kế không gian hạn chế.   V. Cung cấp và ổn định thị trường   M95160-WMN6TP hiện đang ở giai đoạn vòng đời "Sản xuất tích cực" với chuỗi cung ứng tương đối ổn định. Thời gian giao hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất là khoảng 9 tuần,và hàng tồn kho tại chỗ toàn cầu vẫn còn đáng kể (dữ liệu công khai cho thấy hơn 86%, 000 đơn vị có sẵn).     Giá tham khảo: Giá chip có thể thay đổi dựa trên số lượng mua và biến động thị trường; thông tin được cung cấp chỉ để tham khảo.   Số lượng mua (đồ) Giá đơn vị tham chiếu (RMB, bao gồm thuế) 1+ đơn vị: ¥ 1,29/đơn vị 100 + đơn vị: ¥ 0,989/đơn vị 1250 + đơn vị: ¥ 0,837/đơn vị 37500 + đơn vị: Yêu cầu điều tra giá cả                     Phương pháp đóng gói chính là Tape & Reel, tạo điều kiện lắp ráp tự động.   VI. Các cân nhắc thiết kế và các lựa chọn thay thế   Thiết kế đòi hỏi sự chú ý đến: Định dạng PCB: Máy điện tách nên được đặt càng gần càng tốt với chân điện. Tính toàn vẹn của tín hiệu: Các đường đồng hồ SPI nên bao gồm kết nối đầu cuối với các điện trở hàng loạt nếu cần thiết. Quản lý nhiệt: Mặc dù tiêu thụ năng lượng thấp, nhưng việc nối đất diện tích lớn giúp phân tán nhiệt và ổn định.     Mô hình thay thế tiềm năng: Nếu vấn đề cung cấp xảy ra, các mô hình tương tự về chức năng như M95160-WMN6P (STMicroelectronics) hoặc BR25L160FJ-WE2 (ROHM Semiconductor) có thể được đánh giá.Trước khi chuyển đổi, xem xét cẩn thận các trang dữ liệu của họ để đánh giá các đặc tính điện, khả năng tương thích của gói và sự khác biệt của trình điều khiển phần mềm.   VII. Tương lai và giá trị của ngành công nghiệp Mặc dù EEPROM là một công nghệ trưởng thành, các thiết bị như M95160-WMN6TP duy trì nhu cầu ổn định trong các lĩnh vực như lưu trữ cấu hình thiết bị IoT, sao lưu tham số quan trọng,và lưu trữ cài đặt cá nhân cho các thiết bị đeoTiêu thụ năng lượng thấp, độ tin cậy cao và kích thước nhỏ gọn của chúng phù hợp chặt chẽ với các yêu cầu của Công nghiệp 4.0 và các hệ thống ô tô thông minh cho sự ổn định điện tử và bảo mật dữ liệu.   Để mua sắm hoặc thông tin thêm về sản phẩm, vui lòng liên hệ:86-0775-13434437778,Hoặc truy cập trang web chính thức: ​https://mao.ecer.com/test/icsmodules.com/                  

Tin tức ngày 3 tháng 9 năm 2025 — Với sự phát triển liên tục của công nghệ bán dẫn toàn cầu và sự đa dạng hóa các yêu cầu ứng dụng, vi điều khiển GD32F103RBT6 đã thu hút sự chú ý trong lĩnh vực điều khiển công nghiệp, điện tử tiêu dùng và IoT nhờ vào hiệu suất xử lý ổn định, khả năng kiểm soát hiệu quả năng lượng và khả năng tích hợp ngoại vi. Chip hoạt động ở tần số chính 108MHz và hỗ trợ truy cập bộ nhớ flash không trạng thái chờ, góp phần nâng cao hiệu quả xử lý và hiệu suất thời gian thực.   I. Mô tả tính năng sản phẩm GD32F103RBT6 tích hợp nhiều tính năng tiên tiến: Tích hợp bộ nhớ Flash 128KB và SRAM 20KB, hỗ trợ hoạt động của hệ điều hành thời gian thực (RTOS). Được trang bị ba ADC tốc độ cao 12 bit với tốc độ lấy mẫu 1 MSPS, hỗ trợ 16 kênh đầu vào bên ngoài. Bao gồm hai giao diện SPI (lên đến 18MHz), hai giao diện I2C (lên đến 400kHz), ba giao diện USART và một giao diện CAN 2.0B. Hỗ trợ bộ hẹn giờ nâng cao và bộ hẹn giờ đa năng, cung cấp chức năng đầu ra PWM và thu nhận đầu vào. Có mô-đun giám sát nguồn với chức năng reset khi bật nguồn (POR), phát hiện sụt áp (BOD) và bộ điều chỉnh điện áp.   II. Cấu hình và Chức năng Chân   GD32F103RBT6 sử dụng gói LQFP64. Sau đây mô tả các chức năng của các chân chính: 1. Chân Nguồn VDD/VSS: Đầu dương/âm của nguồn điện kỹ thuật số. Cần có tụ điện khử cặp bên ngoài. VDDA/VSSA: Đầu dương/âm của nguồn điện analog. Nên sử dụng nguồn điện độc lập. VREF+/VREF-: Đầu vào dương/âm điện áp tham chiếu ADC. 2. Chân Đồng Hồ OSC_IN/OSC_OUT: Giao diện bộ tạo dao động tinh thể bên ngoàiPC14/PC15: Giao diện đồng hồ bên ngoài tốc độ thấp 3. Chân Giao Diện Gỡ Lỗi SWDIO: Đầu vào/đầu ra dữ liệu gỡ lỗi dây nối tiếpSWCLK: Đồng hồ gỡ lỗi dây nối tiếp 4. Chân GPIO PA0-PA15: Cổng A, 16 chân vào/ra đa năngPB0-PB15: Cổng B, 16 chân vào/ra đa năngPC13-PC15: Cổng C, 3 chân vào/ra đa năng 5. Chân Chức Năng Đặc Biệt NRST: Đầu vào Reset Hệ thốngBOOT0: Lựa chọn Chế độ Khởi độngVBAT: Nguồn điện miền Sao lưu Pin   Chi tiết Chức năng Chân   Cấu hình Chức năng Đặc biệt   Lựa chọn Chế độ Khởi động Chế độ khởi động được cấu hình thông qua chân BOOT0: BOOT0=0: Khởi động từ bộ nhớ flash chínhBOOT0=1: Khởi động từ bộ nhớ hệ thống   Cách ly Nguồn Analog Nên cách ly VDDA/VSSA khỏi nguồn điện kỹ thuật số bằng hạt từ tính và nên thêm tụ điện khử cặp 10μF + 100nF để cải thiện độ chính xác lấy mẫu ADC.   Bảo vệ Giao diện Gỡ lỗi Nên nối tiếp các đường tín hiệu SWDIO và SWCLK với điện trở 33Ω và thêm các thiết bị bảo vệ ESD để cải thiện độ tin cậy của giao diện gỡ lỗi.   Khuyến nghị về Bố cục: Tụ điện khử cặp cho nguồn điện nên được đặt càng gần chân chip càng tốt.Các chân nối đất analog và kỹ thuật số nên được kết nối tại một điểm duy nhất.Bộ tạo dao động tinh thể nên được đặt gần chip nhất có thể, với các vòng bảo vệ được bố trí xung quanh chúng.Các đường tín hiệu tần số cao nên tránh xa các phần analog.Dự trữ các điểm kiểm tra để đo các tín hiệu chính.   III. Sơ đồ Đây là sơ đồ của vi điều khiển GD32F103RBT6, hiển thị kiến trúc bên trong và các mô-đun chức năng của chip. Sau đây là phân tích các bộ phận chính:   Hệ thống Lõi và Đồng hồ ARM Cortex-M3: Bộ xử lý trung tâm (CPU) của vi điều khiển, hoạt động ở tần số lên đến 108MHz, thực thi các lệnh và điều khiển hoạt động tổng thể của hệ thống.   Nguồn Đồng hồ: PLL (Vòng khóa pha): Tạo ra các đồng hồ tần số cao (lên đến 108MHz) bằng cách nhân các đồng hồ tham chiếu bên ngoài hoặc bên trong, cung cấp các đồng hồ tốc độ cao ổn định cho CPU và các mô-đun khác. HSE (Đồng hồ bên ngoài tốc độ cao): Nguồn đồng hồ tốc độ cao bên ngoài, thường là bộ tạo dao động tinh thể 4-16MHz, để định thời gian tham chiếu chính xác. HSI (Đồng hồ bên trong tốc độ cao): Nguồn đồng hồ tốc độ cao bên trong (thường ~8MHz), có thể sử dụng khi không có đồng hồ bên ngoài.   Quản lý Nguồn: LDO (Bộ điều chỉnh độ sụt áp thấp): Cung cấp nguồn 1.2V ổn định cho lõi bên trong. PDR/POR (Reset khi tắt nguồn/Reset khi bật nguồn): Đặt lại hệ thống trong quá trình bật nguồn hoặc khi điện áp giảm xuống mức bất thường, đảm bảo khởi động/khôi phục từ trạng thái đã biết. LVD (Thiết bị phát hiện điện áp thấp): Giám sát điện áp cung cấp. Kích hoạt cảnh báo hoặc đặt lại khi điện áp giảm xuống dưới ngưỡng đã đặt, ngăn chặn hoạt động bất thường dưới điện áp thấp.   Hệ thống Bộ nhớ và Bus Bộ nhớ Flash: Được sử dụng để lưu trữ mã chương trình và dữ liệu không đổi. Bộ điều khiển bộ nhớ Flash quản lý quyền truy cập vào flash. SRAM (Bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên tĩnh): Hoạt động như bộ nhớ thời gian chạy của hệ thống, lưu trữ dữ liệu tạm thời và các biến trong quá trình thực thi chương trình. Cầu Bus (Cầu AHB-to-APB 1/2): Bus hiệu suất cao nâng cao (AHB) là bus tốc độ cao, trong khi Bus ngoại vi nâng cao (APB) là bus tốc độ thấp hơn dành cho các thiết bị ngoại vi. Các cầu này cho phép giao tiếp giữa AHB tốc độ cao và các thiết bị ngoại vi APB tốc độ thấp.   Thiết bị ngoại vi Giao diện Giao tiếp: USART (Bộ thu/phát không đồng bộ/đồng bộ đa năng): Nhiều mô-đun USART (USART1, USART2, USART3) hỗ trợ giao tiếp nối tiếp ở cả chế độ đồng bộ và không đồng bộ, cho phép trao đổi dữ liệu với các thiết bị như máy tính hoặc cảm biến. SPI (Giao diện ngoại vi nối tiếp): Mô-đun SPI (SPI1) là giao diện giao tiếp nối tiếp đồng bộ thường được sử dụng để truyền dữ liệu tốc độ cao với các thiết bị như bộ nhớ flash.   IV.Tính năng Kiến trúc Lõi   Lõi bộ xử lý: Kiến trúc RISC 32 bit hỗ trợ phép nhân một chu kỳ và phép chia phần cứng Hệ thống bộ nhớ: Truy cập flash không trạng thái chờ với bảo vệ mã hóa Hệ thống đồng hồ: Bộ tạo dao động RC 8MHz tích hợp và bộ tạo dao động tốc độ thấp 40kHz, hỗ trợ nhân tần số PLL Quản lý nguồn: Bộ điều chỉnh điện áp tích hợp với reset khi bật nguồn (POR) và phát hiện sụt áp (BOD)   V. Mô tả tính năng   Vi điều khiển GD32F103RBT6 tích hợp một số tính năng tiên tiến, cung cấp một giải pháp hoàn chỉnh cho các ứng dụng điều khiển công nghiệp và IoT:   1. Tính năng Bộ xử lý Lõi Sử dụng lõi ARM Cortex-M3 32 bit với tần số tối đa 108MHzHỗ trợ các lệnh nhân một chu kỳ và chia phần cứngBộ điều khiển ngắt vectơ lồng nhau (NVIC) tích hợp, hỗ trợ tối đa 68 ngắt có thể cheCung cấp Đơn vị bảo vệ bộ nhớ (MPU) để tăng cường bảo mật hệ thống   2. Cấu hình Bộ nhớ Bộ nhớ Flash 128KB, hỗ trợ truy cập không chờ.SRAM 20KB, hỗ trợ truy cập byte, nửa từ và từ.Bootloader tích hợp, hỗ trợ lập trình USART và USB.Bộ nhớ hỗ trợ chức năng bảo vệ ghi để ngăn chặn sửa đổi ngẫu nhiên.       3. Hệ thống Đồng hồ Bộ tạo dao động RC tốc độ cao 8MHz (HSI) tích hợp Bộ tạo dao động RC tốc độ thấp 40kHz (LSI) tích hợp Hỗ trợ bộ tạo dao động tinh thể bên ngoài 4-16MHz (HSE) Hỗ trợ bộ tạo dao động tinh thể bên ngoài 32.768kHz (LSE) Bộ nhân đồng hồ PLL với đầu ra lên đến 108MHz   4.Quản lý Nguồn Điện áp nguồn đơn: 2.6V đến 3.6V Tích hợp reset khi bật nguồn (POR) và phát hiện sụt áp (PDR) Hỗ trợ ba chế độ tiết kiệm điện: Chế độ ngủ: CPU dừng, thiết bị ngoại vi tiếp tục hoạt động Chế độ dừng: Tất cả đồng hồ dừng, nội dung thanh ghi được giữ lại Chế độ chờ: Tiêu thụ điện năng thấp nhất, chỉ miền sao lưu hoạt động   5. Thiết bị ngoại vi Analog 3 × ADC 12 bit với tốc độ lấy mẫu tối đa 1MSPSHỗ trợ 16 kênh đầu vào bên ngoàiCảm biến nhiệt độ và điện áp tham chiếu tích hợpHỗ trợ chức năng đồng hồ giám sát analog   6. Thiết bị ngoại vi Kỹ thuật số 2 × giao diện SPI (lên đến 18MHz)2 × giao diện I2C (hỗ trợ chế độ nhanh lên đến 400kHz)3 × USART, hỗ trợ chế độ đồng bộ và chức năng thẻ thông minh1 × giao diện CAN 2.0BGiao diện thiết bị tốc độ đầy đủ USB 2.0   7. Đặc điểm Gói Gói LQFP64, kích thước 10mm×10mm 54 chân GPIO Tất cả các cổng I/O đều hỗ trợ dung sai 5V (ngoại trừ PC13-PC15) Phạm vi nhiệt độ hoạt động: -40℃ đến +85℃ Tuân thủ các tiêu chuẩn RoHS   Kịch bản Ứng dụngThiết bị này chủ yếu được sử dụng trong các lĩnh vực sau: Điều khiển công nghiệp: Hệ thống PLC, trình điều khiển động cơ, cảm biến công nghiệp Điện tử tiêu dùng: Bộ điều khiển nhà thông minh, thiết bị tương tác người-máy Internet of Things (IoT): Cổng thu thập dữ liệu, mô-đun truyền thông không dây Điện tử ô tô: Mô-đun điều khiển thân xe, hệ thống thông tin trên xe   Liên hệ với chuyên gia thương mại của chúng tôi: --------------   Email: xcdzic@163.com WhatsApp: +86-134-3443-7778Truy cập trang sản phẩm ECER để biết chi tiết: [liên kết]                        

Tin tức ngày 3 tháng 9 năm 2025 — Bộ chuyển đổi buck đồng bộ TPS54140DGQR từ Texas Instruments (TI) đang được ứng dụng rộng rãi trong quản lý điện công nghiệp nhờ hiệu suất điện tuyệt vời và thiết kế nhỏ gọn. Theo các thông số kỹ thuật do Mouser Electronics cung cấp, thiết bị này sử dụng gói MSOP-10 PowerPAD™ hiệu quả về mặt nhiệt, hỗ trợ dải điện áp đầu vào rộng từ 3.5V đến 42V và cung cấp dòng điện đầu ra liên tục lên đến 1.5A, cung cấp các giải pháp năng lượng đáng tin cậy cho tự động hóa công nghiệp, cơ sở hạ tầng truyền thông và hệ thống điện tử ô tô.   I. Các tính năng và ưu điểm chính TPS54140DGQR tích hợp MOSFET bên cao 35mΩ và MOSFET bên thấp 60mΩ, áp dụng kiến trúc điều khiển chế độ dòng điện với tần số chuyển mạch cố định 2.5MHz, cho phép sử dụng các linh kiện cuộn cảm và tụ điện thu nhỏ. Theo bảng dữ liệu của Mouser Electronics, thiết bị tự động chuyển sang chế độ tiết kiệm điện khi tải nhẹ, cải thiện đáng kể hiệu suất tải nhẹ, với dòng điện tĩnh chỉ 116μA. Mạch khởi động mềm có thể lập trình tích hợp ngăn chặn hiệu quả dòng điện đột biến trong quá trình khởi động, cung cấp trình tự bật nguồn mượt mà.   II. Cấu hình và chức năng chân   1.VIN (Chân 1): Chân đầu vào nguồn. Hỗ trợ dải điện áp đầu vào DC rộng từ 3.5V đến 42V. Yêu cầu tụ điện gỡ bỏ liên kết gốm bên ngoài tối thiểu 10μF. 2.EN (Chân 2): Chân điều khiển bật. Kích hoạt thiết bị khi điện áp đầu vào vượt quá 1.2V (điển hình) và chuyển sang chế độ tắt máy khi dưới 0.5V. Chân này không được để trôi. 3.SS/TR (Chân 3): Chân điều khiển khởi động mềm/theo dõi. Lập trình thời gian khởi động mềm bằng cách kết nối một tụ điện bên ngoài với đất và cũng có thể được sử dụng để theo dõi trình tự nguồn.   4.FB (Chân 4): Chân đầu vào phản hồi. Kết nối với mạng chia điện áp đầu ra. Điện áp tham chiếu bên trong là 0.8V ±1%. 5.COMP (Chân 5): Chân nút bù bộ khuếch đại lỗi. Yêu cầu mạng bù RC bên ngoài để ổn định vòng điều khiển. 6.GND (Chân 6, 7, 8): Chân nối đất tín hiệu. Phải được kết nối với mặt phẳng nối đất PCB. 7.SW (Chân 9): Chân nút chuyển mạch. Kết nối với cuộn cảm bên ngoài với điện áp định mức tối đa là 42V. Điện dung ký sinh PCB tại nút này phải được giảm thiểu. 8.PowerPAD™ (Chân 10, miếng tản nhiệt phía dưới): Phải được hàn vào PCB và kết nối với GND để cung cấp đường tản nhiệt hiệu quả.   III. Các tình huống ứng dụng điển hình Mạch này là nguồn cung cấp điện chuyển mạch buck khóa điện áp thấp (UVLO) có thể điều chỉnh, tần số cao, được thiết kế để chuyển đổi điện áp đầu vào cao hơn (chẳng hạn như bus 12V hoặc 5V) thành đầu ra 3.3V ổn định để cấp nguồn cho các mạch kỹ thuật số.   1.Chức năng cốt lõi Chuyển đổi điện áp: Hoạt động như một bộ chuyển đổi buck để giảm hiệu quả điện áp đầu vào DC (VIN) cao hơn xuống điện áp đầu ra DC 3.3V ổn định (VOUT). Hoạt động tần số cao: Hoạt động ở tần số chuyển mạch cao (có khả năng từ hàng trăm kHz đến hơn 1MHz). Ưu điểm: Cho phép sử dụng các cuộn cảm và tụ điện nhỏ hơn, giảm kích thước tổng thể của giải pháp năng lượng. Cung cấp phản hồi động nhanh hơn. Nhược điểm tiềm ẩn: Tăng tổn thất chuyển mạch. Yêu cầu bố cục và định tuyến nghiêm ngặt hơn.   Khóa điện áp thấp (UVLO) có thể điều chỉnh: Một tính năng quan trọng của thiết kế này. Chức năng: Buộc chip tắt máy mà không có đầu ra khi điện áp đầu vào (VIN) quá thấp. Mục đích: Ngăn ngừa sự cố: Đảm bảo chip không hoạt động trong điều kiện điện áp không đủ, tránh đầu ra bất thường. Bảo vệ pin: Trong các ứng dụng chạy bằng pin, ngăn ngừa pin bị hỏng do xả quá mức. "Có thể điều chỉnh" có nghĩa là: Điện áp ngưỡng bật và tắt UVLO có thể được tùy chỉnh thông qua mạng chia điện trở bên ngoài (thường được kết nối giữa VIN và chân EN (bật) hoặc một chân UVLO chuyên dụng), thay vì dựa vào các ngưỡng nội bộ cố định của chip.   2.Các thành phần chính (Thường được bao gồm trong sơ đồ)   1.IC điều chỉnh chuyển mạch: Bộ điều khiển cốt lõi của mạch. Tích hợp bóng bán dẫn chuyển mạch (MOSFET), mạch điều khiển, bộ khuếch đại lỗi, bộ điều khiển PWM, v.v. 2.Cuộn cảm (L): Một phần tử lưu trữ năng lượng hoạt động với tụ điện để lọc mượt mà. Nó là một thành phần quan trọng của cấu trúc liên kết buck. 3.Tụ điện đầu ra (COUT): Làm mịn dòng điện đầu ra, giảm điện áp gợn và cung cấp dòng điện tức thời cho tải. 4.Mạng phản hồi (RFB1, RFB2): Một bộ chia điện áp điện trở lấy mẫu đầu ra và đưa nó trở lại chân FB (phản hồi) của chip. Tỷ lệ điện trở đặt chính xác điện áp đầu ra (3.3V ở đây). 5.Điện trở cài đặt UVLO (RUVLO1, RUVLO2): Một bộ chia điện áp điện trở khác, thường lấy mẫu điện áp đầu vào (VIN), được kết nối với chân EN hoặc UVLO của chip. Tỷ lệ của bộ chia này xác định điện áp đầu vào tối thiểu cần thiết để khởi động hệ thống. 6.Tụ điện đầu vào (CIN): Cung cấp dòng điện tức thời trở kháng thấp cho chip và giảm gợn điện áp đầu vào. 7.Tụ điện Bootstrap (CBOOT) (nếu có): Được sử dụng để điều khiển bóng bán dẫn chuyển mạch bên cao bên trong chip.   3.Các cân nhắc và lưu ý về thiết kế   1.Lựa chọn linh kiện: Cuộn cảm: Dòng điện định mức phải vượt quá dòng điện tải tối đa cộng với dòng điện gợn, với biên độ đủ cho dòng điện bão hòa. Tụ điện: Phải đáp ứng các yêu cầu về gợn điện áp đầu ra và phản hồi quá độ tải. Chú ý đến ESR (Điện trở nối tiếp tương đương) và dòng điện gợn định mức của chúng. 2.Bố cục PCB: Các đặc tính tần số cao làm cho bố cục trở nên quan trọng. Các đường dẫn chính (nút chuyển mạch, tụ điện đầu vào, cuộn cảm) phải ngắn và rộng nhất có thể để giảm thiểu điện cảm ký sinh và nhiễu điện từ (EMI). Mạng phản hồi phải được giữ cách xa các nguồn nhiễu (ví dụ: cuộn cảm và nút chuyển mạch) và sử dụng điểm nối đất hình sao được kết nối với chân nối đất của chip. 3.Tính toán UVLO: Tính toán các giá trị của RUVLO1 và RUVLO2 bằng cách sử dụng các công thức được cung cấp trong bảng dữ liệu chip và điện áp ngưỡng khởi động/dừng (ví dụ: VSTART(on), VSTOP(off)) để đặt các ngưỡng UVLO mong muốn. Ghi chú: Sơ đồ này minh họa một giải pháp năng lượng 3.3V hiện đại, nhỏ gọn và đáng tin cậy. Các đặc tính tần số cao của nó làm cho nó phù hợp với các ứng dụng bị giới hạn về không gian, trong khi tính năng UVLO có thể điều chỉnh giúp tăng cường độ tin cậy và bảo vệ trong môi trường có sự thay đổi điện áp đầu vào (ví dụ: hệ thống chạy bằng pin, tình huống trao đổi nóng). Để triển khai thiết kế này, điều cần thiết là phải tham khảo cẩn thận bảng dữ liệu của IC điều chỉnh chuyển mạch cụ thể được sử dụng và tuân thủ nghiêm ngặt các khuyến nghị của nó về lựa chọn linh kiện và bố cục PCB.   Liên hệ với chuyên gia thương mại của chúng tôi: --------------   Email: xcdzic@163.com WhatsApp: +86-134-3443-7778 Truy cập trang sản phẩm ECER để biết chi tiết: [链接]            

SSeptember 3, 2025 Tin tức ️ Trong bối cảnh nhu cầu ngày càng tăng về động cơ nhỏ và điều khiển chính xác,trình điều khiển động cơ cầu H đơn kênh SS8841T-ET-TP đang nổi lên như một giải pháp lý tưởng cho các thiết bị di động và điện tử tiêu dùngSử dụng công nghệ quy trình CMOS tiên tiến, chip hỗ trợ một phạm vi đầu vào điện áp rộng từ 2,7V đến 13V,cung cấp một dòng điện đầu ra liên tục là 1.5A với dòng điện đỉnh lên đến 2A, cung cấp hỗ trợ động cơ hiệu quả cho máy bơm vi mô, mô-đun máy ảnh và thiết bị gia đình thông minh.   I. Hiệu suất cơ bản và khả năng áp dụng thương mại   SS8841T-ET-TP áp dụng một gói TSSOP-16 nhỏ gọn chỉ có kích thước 5,0 mm × 4,4 mm với độ dày 1,2 mm, làm cho nó đặc biệt phù hợp với các thiết bị di động có không gian hạn chế.Chip tích hợp các công tắc điện MOSFET kháng thấp, với tổng kháng cự bên cao + bên thấp chỉ 0,8Ω, giảm đáng kể mất điện và đạt hiệu quả hệ thống lên đến 92%.Phạm vi đầu vào điện áp rộng của nó cho phép cung cấp năng lượng trực tiếp từ pin lithium hoặc nguồn USB, đơn giản hóa rất nhiều thiết kế hệ thống điện.   II. Ưu điểm chức năng chính   Chip điều khiển động cơ SS8841T-ET-TP hỗ trợ giao diện điều khiển PWM linh hoạt với tần số hoạt động lên đến 500kHz,cho phép điều chỉnh tốc độ chính xác và điều khiển hai chiều cho động cơ DC và động cơ bướcĐiều này làm cho nó phù hợp với các yêu cầu lái xe tinh chỉnh trong thiết bị tự động hóa và điện tử tiêu dùng.cho phép ngưỡng giới hạn dòng đầu ra được dễ dàng thiết lập thông qua một điện trở bên ngoài, ngăn chặn hiệu quả quá tải động cơ hoặc tổn thương mạch do quá tải và giảm nhu cầu về mạch bảo vệ bên ngoài. Trong chế độ chờ năng lượng thấp, mức tiêu thụ hiện tại của nó chỉ là 1μA,kéo dài đáng kể tuổi thọ pin của các thiết bị cầm tay và các ứng dụng chạy pin khácNgoài ra, chip tích hợp các cơ chế bảo vệ an toàn toàn, bao gồm tắt nhiệt (để ngăn chặn quá nóng chip),khóa dưới điện áp (để tránh hoạt động bất thường dưới điện áp thấp), và bảo vệ quá mức (để xử lý các dòng điện đột ngột), đảm bảo sự ổn định và độ tin cậy tổng thể của hệ thống truyền động.   III. Các kịch bản ứng dụng điển hình   1.Thiết bị y tế: Được sử dụng để kiểm soát vi chất lỏng trong máy bơm insulin và màn hình di động. 2Điện tử tiêu dùng: Động cơ lấy nét tự động và mô-đun ổn định hình ảnh quang học trong điện thoại thông minh. 3Hệ thống nhà thông minh: Kiểm soát động cơ cho khóa thông minh và cho phép điều khiển chính xác động cơ rèm cửa. 4. Tự động hóa công nghiệp: Thích hợp cho điều khiển vị trí trong cánh tay robot vi mô và các dụng cụ chính xác. IV. Cấu hình và chức năng của chân   1SS8841T-ET-TP sử dụng gói TSSOP-16 với chức năng chân được thiết kế chính xác và thiết thực.,và yêu cầu một tụ điện gốm 10μF bên ngoài và tụ điện tách 0,1μF trong khi hoạt động.và nó được khuyến cáo để đảm bảo kết nối đầy đủ với mặt đất PCB để đảm bảo sự ổn định của hệ thống.   2Các chân OUT1 và OUT2 tạo thành một đầu ra cầu H, được kết nối trực tiếp với các đầu cuối động cơ với dòng điện liên tục tối đa 1,5A..Kích nSLEEP là đầu vào điều khiển kích hoạt (chất năng thấp), với điện trở kéo lên 100kΩ bên trong; khi để nổi, chip tự động đi vào chế độ ngủ.   3Phiên PHASE điều khiển hướng động cơ: mức cao đặt OUT1 lên điện áp dương, mức thấp đặt OUT2 lên điện áp dương.hỗ trợ điều khiển PWM và chế độ trực tiếp, với một kháng cự bên ngoài để thiết lập ngưỡng giới hạn hiện tại.   4. Pin nFAULT là một chỉ số lỗi thoát nước mở phát ra mức thấp trong các sự kiện quá nhiệt, quá dòng hoặc dưới điện áp, đòi hỏi một điện trở kéo ngoài 10kΩ.Các chân khác bao gồm các thiết lập cảm biến hiện tại và điện áp tham chiếu, cung cấp các tùy chọn cấu hình linh hoạt cho hệ thống.   5Định dạng chân tỉ mỉ này cho phép SS8841T-ET-TP cung cấp chức năng truyền động cơ hoàn chỉnh trong một không gian nhỏ gọn trong khi đảm bảo tính toàn vẹn của tín hiệu và hiệu suất nhiệt,cung cấp một nền tảng phần cứng đáng tin cậy cho các ứng dụng điều khiển micro motor khác nhau.   V. Hướng dẫn thiết kế mạch   1.Power Input: Đặt một tụ 10μF gốm song song với một tụ tách 0,1μF càng gần pin VCC càng tốt. 2.Motor Output: Thêm một chất điện gốm 0,1μF để lọc tiếng ồn, và kết hợp các diode Schottky trên mỗi cánh tay cầu để bảo vệ tự do. 3.Nghiên cứu dòng: Sử dụng một điện trở chính xác 0,1Ω/0,5W để phát hiện dòng. 4.Nhiều lượng đường dẫn điện: Đảm bảo chiều rộng tối thiểu là 1 mm cho các đường dẫn điện.   VI. ETSSOP28 Thông số kỹ thuật kích thước gói (118 × 200 mil)   eTSSOP28 (Extended Thin Shrink Small Outline Package, 28-pin) là một loại gói mạch tích hợp phổ biến phù hợp với các thiết kế gắn bề mặt mật độ cao.Sau đây là các thông số kích thước chính của gói này (dựa trên tiêu chuẩn JEDEC):   ​Đặc điểm của bao bì: Số pin: 28 Pin Pitch: 0,5 mm (≈19.69 mil) Chiều rộng bao bì: 4,4 mm (≈173,2 mil) Chiều dài bao bì: 6,5 mm (≈255,9 mil) Độ dày bao bì: 0, 8 mm (≈ 31, 5 mil) Chiều rộng pad: 0,22 ∼ 0,38 mm (thường) ​   Ghi chú: Định dạng thực tế nên tuân theo trang dữ liệu chip cụ thể, vì có thể có sự khác biệt nhỏ giữa các nhà sản xuất. Để cải thiện độ tin cậy hàn, nên sử dụng thiết kế đệm tiêu chuẩn IPC-7351.   Liên hệ với chuyên gia thương mại: ------------------   Email: xcdzic@163.com WhatsApp: +86-134-3443-7778Để biết chi tiết, hãy truy cập trang sản phẩm ECER: [链接]      

  Ngày 1 tháng 9 năm 2025 — Được thúc đẩy bởi nhu cầu ngày càng tăng về giám sát nhiệt độ chính xác cao, cảm biến nhiệt độ kỹ thuật số TMP117AIDRVR đang nổi lên như một giải pháp lý tưởng cho các thiết bị y tế, tự động hóa công nghiệp và thiết bị điện tử tiêu dùng, nhờ vào độ chính xác đo lường vượt trội và mức tiêu thụ điện năng cực thấp. Theo bảng dữ liệu kỹ thuật (số bảng dữ liệu SBOS901) do Mouser Electronics cung cấp, chip sử dụng công nghệ mạch tích hợp CMOS tiên tiến, hỗ trợ dải đo nhiệt độ rộng từ -55°C đến +150°C và đạt được độ chính xác cao ±0.1°C (từ -20°C đến +50°C), cung cấp hỗ trợ cảm biến đáng tin cậy cho các ứng dụng giám sát nhiệt độ chính xác cao khác nhau.   I. Tính năng kỹ thuật của sản phẩm   TMP117AIDRVR có dạng gói WSON 6 chân, chỉ có kích thước 1.5mm × 1.5mm với chiều cao 0.5mm. Theo bảng dữ liệu của Mouser Electronics, chip tích hợp bộ chuyển đổi ADC Σ-Δ 16 bit có độ chính xác cao, đạt được độ phân giải nhiệt độ 0.0078°C. Nó có bộ nhớ không khả biến (EEPROM) tích hợp để lưu trữ cài đặt của người dùng cho tám thanh ghi cấu hình. Với dải điện áp hoạt động từ 1.8V đến 5.5V, nó tương thích với các hệ thống cung cấp điện khác nhau. Giao diện kỹ thuật số hỗ trợ giao thức I2C với tốc độ truyền dữ liệu tối đa là 400kHz.   II. Cấu hình và Chức năng Chân   1. TMP117AIDRVR có dạng gói WSON 6 chân nhỏ gọn, với mỗi chân được thiết kế chính xác và thiết thực cho các chức năng cụ thể. Chân VDD đóng vai trò là đầu vào nguồn điện dương, hỗ trợ dải điện áp hoạt động rộng từ 8V đến 5.5V và yêu cầu một tụ điện gỡ bỏ cặp gốm bên ngoài 0.1μF để hoạt động ổn định. Chân GND là kết nối đất, phải được kết nối hoàn toàn với mặt phẳng đất PCB để đảm bảo độ ổn định đo lường.   2. Hỗ trợ kết nối tối đa 3 chip trên cùng một bus để đáp ứng các yêu cầu giám sát đa điểm; chân INT đóng vai trò là đầu ra ngắt, ở mức thấp khi có dữ liệu đo mới hoặc nhiệt độ vượt quá ngưỡng đặt trước, cung cấp phản hồi bất thường ngay lập tức cho bộ điều khiển chính. Thiết kế chân tổng thể cân bằng giữa độ ổn định, tính linh hoạt và tính thực tế, thích ứng với các tình huống giám sát nhiệt độ trên các hệ thống điện tử đa dạng. III. Sơ đồ khối chức năng và Kiến trúc hệ thống TMP117 là cảm biến nhiệt độ đầu ra kỹ thuật số được thiết kế cho các ứng dụng quản lý nhiệt và bảo vệ nhiệt. TMP117 tương thích với giao diện hai dây, SMBus và I2C. Thiết bị được chỉ định trong phạm vi nhiệt độ hoạt động của không khí xung quanh từ –55 °C đến 150 °C. Bố cục PCB và Quản lý nhiệt: Để đạt được độ chính xác đo cao nhất, bố cục PCB và thiết kế nhiệt là rất quan trọng. TMP117AIDRVR nên được đặt cách xa các thành phần sinh nhiệt (chẳng hạn như CPU, cuộn cảm nguồn và IC quản lý nguồn) và càng gần điểm đo nhiệt độ mục tiêu càng tốt. Việc đổ đồng thích hợp và việc bổ sung các lỗ thông nhiệt giúp giảm thiểu các lỗi do tự gia nhiệt hoặc gradient nhiệt môi trường. Gỡ bỏ cặp nguồn: Nên đặt một tụ điện gỡ bỏ cặp gốm 0.1μF gần các chân V+ và GND của chip để đảm bảo nguồn điện ổn định và triệt tiêu nhiễu. Bus I2C: Điện trở kéo lên (ví dụ: 4.7kΩ) thường được yêu cầu trên các đường SDA và SCL đến điện áp cung cấp logic để đảm bảo liên lạc đáng tin cậy.       IV. Mô tả tính năng   1. Cảm biến hỗ trợ nhiều chế độ hoạt động: 2. Chế độ đo lường độ chính xác cao: ±0.1℃ độ chính xác ở 25℃, ±0.5℃ toàn dải (-40℃ đến 125℃) 3. Chế độ độ phân giải có thể lập trình: ADC 12 bit đến 16 bit có thể chuyển đổi để cân bằng độ chính xác/tốc độ 4. Chế độ công suất thấp: Dòng điện hoạt động 7.5μA, dòng điện tắt máy 0.1μA cho các thiết bị pin 5. Chế độ báo động: Ngưỡng nhiệt độ cao/thấp có thể cấu hình, chân INT kích hoạt cảnh báo 6. Chế độ đa thiết bị: 3 địa chỉ I²C có thể lập trình (0x48/0x49/0x4A) để mở rộng bus     V. Chế độ chức năng của thiết bị 1. TMP117AIDRVR hỗ trợ nhiều chế độ chức năng của thiết bị: 2. Chế độ cảm biến nhiệt độ độ chính xác cao: ±0.1℃ độ chính xác ở 25℃, ±0.5℃ trên dải -40℃~125℃, ADC 16 bit cho dữ liệu ổn định 3. Chế độ tốc độ đo có thể lập trình: Tốc độ điều chỉnh 0.125Hz~8Hz, cân bằng tốc độ phản hồi và tiêu thụ điện năng 4. Chế độ công suất cực thấp: Dòng điện hoạt động 7.5μA, dòng điện tắt máy 0.1μA, 适配 các thiết bị chạy bằng pin 5. Chế độ báo động ngưỡng: Ngưỡng nhiệt độ cao/thấp có thể cấu hình, chân INT xuất tín hiệu cảnh báo khi vượt quá 6. Chế độ bus đa cảm biến: 3 địa chỉ I²C có thể lập trình (0x48/0x49/0x4A), cho phép giám sát song song đa thiết bị   VI. Ứng dụng điển hình   Yêu cầu thiết kế   TMP117 chỉ hoạt động như một thiết bị nô lệ và giao tiếp với máy chủ thông qua giao diện nối tiếp tương thích I2C. SCL là chân đầu vào, SDA là chân hai chiều và ALERT là đầu ra. TMP117 yêu cầu điện trở kéo lên trên các chân SDA và ALERT. Giá trị khuyến nghị cho các điện trở kéo lên là 5 kΩ. Trong một số ứng dụng, điện trở kéo lên có thể thấp hơn hoặc cao hơn 5 kΩ. Nên kết nối một tụ điện bỏ qua 0.1-µF giữa V+ và GND. Cần có điện trở kéo lên SCL nếu chân SCL của bộ vi xử lý hệ thống là hở cực. Sử dụng loại tụ điện gốm có xếp hạng nhiệt độ phù hợp với phạm vi hoạt động của ứng dụng và đặt tụ điện càng gần chân V+ của TMP117 càng tốt. Chân ADD0 có thể được kết nối trực tiếp với GND, V+, SDA và SCL để chọn địa chỉ của bốn địa chỉ ID nô lệ duy nhất có thể có. Bảng 7-1 giải thích sơ đồ địa chỉ. Chân đầu ra ALERT có thể được kết nối với một ngắt bộ vi điều khiển kích hoạt một sự kiện xảy ra khi giới hạn nhiệt độ vượt quá giá trị có thể lập trình trong các thanh ghi 02h và 03h. Chân ALERT có thể được để nổi hoặc kết nối với đất khi không sử dụng.   VII. Thiết kế mạch ứng dụng   Các cân nhắc chính cho các mạch ứng dụng điển hình:   1. Mỗi chân PVDD yêu cầu một tụ điện gỡ bỏ cặp gốm 10μF 2. Tụ điện khởi động: Khuyến nghị 100nF/50V X7R điện môi 3. Ngưỡng quá dòng được đặt bởi điện trở bên ngoài trên chân OC_ADJ 4. Miếng tản nhiệt phải có tiếp xúc tốt với PCB, nên sử dụng mảng lỗ thông nhiệt 5. Dây nối đất tín hiệu và dây nối đất nguồn được kết nối theo cấu trúc liên kết hình sao   Liên hệ với chuyên gia thương mại của chúng tôi: --------------   Email: xcdzic@163.com WhatsApp: +86-134-3443-7778 Truy cập trang sản phẩm ECER để biết chi tiết: [链接]

  Ngày 29 tháng 8 năm 2025 Tin tức — Chip điều khiển động cơ hai kênh thế hệ mới DRV8412DDWR đang thu hút sự chú ý rộng rãi trong lĩnh vực truyền động công nghiệp nhờ vào khả năng tích hợp và hiệu suất vượt trội. Chip này sử dụng công nghệ đóng gói năng lượng tiên tiến, hỗ trợ dải điện áp đầu vào rộng từ 8V đến 40V, với mỗi kênh có khả năng cung cấp dòng điện truyền động liên tục 6A và dòng đỉnh lên đến 12A. Kiến trúc cầu đầy đủ kép sáng tạo của nó có thể đồng thời điều khiển hai động cơ DC hoặc một động cơ bước, cung cấp một giải pháp truyền động hoàn chỉnh cho tự động hóa công nghiệp, robot và hệ thống chiếu sáng thông minh.   I. Các Tính Năng Chức Năng Chính   DRV8412DDWR tích hợp nhiều chức năng sáng tạo: Kiến trúc truyền động cổng thông minh của nó hỗ trợ điều khiển tốc độ quay có thể điều chỉnh từ 0.1V/ns đến 1.5V/ns, giảm nhiễu điện từ hiệu quả 20dB. Bộ khuếch đại cảm biến dòng điện tích hợp cung cấp khả năng giám sát dòng điện theo thời gian thực với độ chính xác ±2% và hỗ trợ tần số PWM lên đến 500kHz. Công nghệ điều khiển thời gian chết thích ứng (có thể điều chỉnh từ 50ns đến 200ns) ngăn chặn hiệu quả các lỗi xuyên thấu. Bảo vệ đa cấp bao gồm bảo vệ quá dòng theo chu kỳ (thời gian phản hồi

  Ngày 27 tháng 8 năm 2025 Tin tức Trong bối cảnh nhu cầu ngày càng tăng về thiết bị âm thanh cao cấp và việc theo đuổi chất lượng âm thanh ngày càng tăng,chip CS4398-CZZ được giới thiệu bởi Cirrus Logic đang trở thành một giải pháp cốt lõi trong lĩnh vực chuyển đổi âm thanh kỹ thuật số cao cấp, nhờ hiệu suất giải mã âm thanh đặc biệt và đầu ra âm thanh độ trung thực cao. chip sử dụng công nghệ điều chế đa bit Δ-Σ tiên tiến và công nghệ hình thành tiếng ồn không phù hợp,hỗ trợ độ phân giải 24 bit và tốc độ lấy mẫu lên đến 216kS/sVới phạm vi động 120dB và tổng biến dạng hài hòa cộng với tiếng ồn (THD + N) thấp đến -105dB, nó cung cấp chất lượng âm thanh tinh khiết, trung thực cao cho máy nghe CD cao cấp, hệ thống âm thanh kỹ thuật số,và thiết bị âm thanh chuyên nghiệp.   I. Thông tin cơ bản về sản phẩm và công nghệ cốt lõi CS4398-CZZ thuộc thể loại chuyển đổi âm thanh từ kỹ thuật số sang analog (DAC), có gói TSSOP 28 chân (chiều rộng 4,40 mm × chiều dài 9,7 mm) và hỗ trợ công nghệ gắn bề mặt (SMT).Chức năng cốt lõi của nó là chuyển đổi tín hiệu âm thanh âm thanh hiệu suất cao, sử dụng kiến trúc Δ-Σ đa bit để đạt được chuyển đổi từ kỹ thuật số sang tương tự với tiếng ồn thấp và biến dạng thấp.   Độ phân giải: 24-bit Tốc độ lấy mẫu: 216kS/s (hỗ trợ lên đến 192kHz) Phạm vi động: 120dB THD+N: -105dB Các loại giao diện: Hỗ trợ DSD, PCM, I2S, định dạng âm thanh kỹ thuật số bên trái và bên phải Điện áp cung cấp: 3.1V đến 5.25V (các nguồn cung cấp điện analog và kỹ thuật số kép) II. Hiệu suất và độ tin cậy   CS4398-CZZ sử dụng công nghệ định hình tiếng ồn không phù hợp để loại bỏ tiếng ồn nhân tạo tiềm ẩn, đảm bảo chất lượng âm thanh đặc biệt.Chip tích hợp một bộ lọc kỹ thuật số có thể lập trình và chức năng điều khiển tăng, hỗ trợ giảm nhấn kỹ thuật số và kiểm soát âm lượng với các bước tăng 0,5dB. Độ nhạy thấp của nó đối với xung nhịp đồng hồ làm tăng thêm sự ổn định tái tạo âm thanh.Phạm vi nhiệt độ hoạt động trải dài từ -10 °C đến 70 °C (thông nghiệp) hoặc có thể được mở rộng đến công nghiệp (-40 °C đến +85 °C), đảm bảo độ tin cậy trong nhiều môi trường khác nhau.   III. Các kịch bản ứng dụng và giá trị thị trường   CS4398-CZZ được sử dụng rộng rãi trong thiết bị âm thanh cao cấp, bao gồm nhưng không giới hạn ở:   1Máy phát CD và DVD cao cấp: Hỗ trợ định dạng Super Audio CD (SACD) và DVD-Audio. 2. Hệ thống âm thanh kỹ thuật số và rạp chiếu phim tại nhà: Ví dụ như hệ thống âm thanh kỹ thuật số, hệ thống âm thanh máy tính để bàn và loa Bluetooth. 3Thiết bị âm thanh chuyên nghiệp: Bao gồm các máy trộn kỹ thuật số, máy thu âm / video, hệ thống chuyển đổi bên ngoài, bộ xử lý hiệu ứng âm thanh và giao diện âm thanh chuyên nghiệp. 4Thiết bị âm thanh cấp thèm mê và các dự án DIY: Thường được sử dụng trong các bảng giải mã cấp thèm mê Hi-Fi và các hệ thống Hi-Fi DAC được xây dựng tùy chỉnh.   Thị trường chip âm thanh cao cấp đang tăng trưởng với tốc độ hàng năm 12,3%.nó nắm giữ hơn 30% thị phần trong máy nghe âm thanh kỹ thuật số cao cấp (DAPs), đạt 25% tăng trưởng trong các ứng dụng thiết bị giao diện âm thanh chuyên nghiệp và đã tăng sự thâm nhập trong các hệ thống âm thanh cao cấp ô tô lên 18%.Với sự phổ biến của các tiêu chuẩn âm thanh độ phân giải cao (HRA), nhu cầu về chip này trong các thiết bị phát trực tuyến âm thanh đã tăng đáng kể.   IV. Hướng dẫn thiết kế mạch   Thiết kế lọc và tách điện   1Theo các yêu cầu về trang dữ liệu, nguồn điện tương tự và kỹ thuật số phải độc lập. 2Các chân AVDD và DVDD nên được tách ra với một tụ điện phân 100μF并联 (tương tự) với một tụ gốm 0,1μF.Tất cả các tụ điện tách phải được đặt trong vòng 3mm của các chân pin chip. 3. Một mạch lọc kiểu π với các hạt ferrite dòng 2.2Ω được khuyến cáo để ngăn chặn tiếng ồn tần số cao.   Thiết kế mạch đầu ra tương tự   1Các đầu ra khác nhau đòi hỏi các mạng lọc RC chính xác: OUT + pin: Series 604Ω resistor并联 (tương tự) với 6800pF COG condenser. OUT-pin: kháng cự 1,58kΩ để phù hợp kháng cự.   2Các điện trở phim kim loại với độ khoan dung ± 0,1% và tụ điện dielektrik NP0 / COG được khuyến cáo để đảm bảo sai số gia tăng giữa các kênh ở dưới 0,05dB.   Vòng mạch điều khiển và bảo vệ tắt   Kích MUTE đòi hỏi một điện trở kéo lên 100kΩ để DVDD, kết hợp với một tụ điện giảm điện tích song song 0.01μF. Các thiết bị bảo vệ ESD nên được thêm vào các giao diện kỹ thuật số, với tất cả các đường tín hiệu串联 (trong chuỗi) với các điện trở 33Ω để ngăn chặn phản xạ. Đối với quản lý nhiệt, đảm bảo có ≥ 25mm2 đồng散热 (đóng đồng nhiệt) được dành riêng xung quanh chip. ​ Thông số kỹ thuật bố trí PCB   Sử dụng thiết kế bảng 4 lớp với mặt đất tương tự và kỹ thuật số chuyên dụng. Các dấu hiệu tín hiệu tương tự nên phù hợp với chiều dài với các độ lệch được kiểm soát trong vòng 5mil. Các tín hiệu đồng hồ phải được che chắn bằng dấu vết mặt đất và tránh vượt qua các đường tín hiệu tương tự. Giảm đến tối thiểu diện tích của tất cả các vòng lặp tần số cao, và giữ các đường tín hiệu quan trọng ra khỏi các mô-đun điện. ​ Khuyến nghị lựa chọn thành phần     Ưu tiên X7R / X5R điện đệm gốm để lọc. Sử dụng tụ phim để kết nối đầu ra. Chọn các điện trở phim kim loại với độ trôi nhiệt độ thấp và dung sai ± 0,1% hoặc tốt hơn. Chọn các thiết bị TCXO với độ chính xác ± 20ppm hoặc cao hơn cho các bộ dao động tinh thể, và kết hợp các vỏ bảo vệ đầy đủ.   V. Điểm nổi bật kỹ thuật và phân tích thị trường dựa trên Bảng dữ liệu điện tử chuột   1Các thông số kỹ thuật cốt lõiTheo trang dữ liệu mới nhất được phát hành bởi Mouser Electronics, chip CS4398-CZZ cho thấy các chỉ số hiệu suất đặc biệt:   Hỗ trợ giải mã âm thanh độ nét cao 24 bit/216kHz Phạm vi động đạt 120dB (A-weighted) Tổng biến dạng hài hòa + tiếng ồn (THD+N) thấp đến -107dB Phạm vi điện áp hoạt động: 2,8V đến 5,25V Tiêu thụ năng lượng điển hình: 31mW Gói: 28-pin TSSOP (9.7mm × 4.4mm) Phạm vi nhiệt độ công nghiệp: -40 °C đến +85 °C Bảng dữ liệu đặc biệt nhấn mạnh công nghệ định hình không phù hợp tiên tiến của nó, loại bỏ hiệu quả các lỗi vượt qua bằng không, đạt tỷ lệ tín hiệu-gọi tiếng ồn (SNR) là 120dB.   2Ưu điểm cạnh tranh và giá trị chuỗi công nghiệpSo với các sản phẩm tương tự, CS4398-CZZ cho thấy những lợi thế đáng kể trong các số liệu chính: tiêu thụ năng lượng thấp hơn 40%, kích thước gói nhỏ hơn 25% và hỗ trợ giải mã DSD gốc.Nghiên cứu chuỗi công nghiệp cho thấy chip đã được chứng nhận bởi 20 nhà sản xuất thiết bị âm thanh nổi tiếng, bao gồm các thương hiệu quốc tế như Sony và Denon. Q1 2024 xuất khẩu tăng 35% so với năm ngoái, với quy mô thị trường hàng năm dự kiến sẽ vượt quá 80 triệu đô la.   3Chứng nhận độ tin cậy và đảm bảo chất lượngTheo trang dữ liệu, chip là AEC-Q100 ô tô được chứng nhận với bảo vệ ESD lên đến 4kV (chế độ HBM), có thời gian trung bình đến thất bại (MTTF) vượt quá 100.000 giờ, vượt qua 1,Kiểm tra độ tin cậy trong 000 giờ trong điều kiện 85 °C/85% RH, duy trì tỷ lệ năng suất ổn định trên 99,6%, và đi kèm với bảo hành chất lượng 3 năm.   4Xu hướng phát triển công nghệBảng dữ liệu chỉ ra rằng các sản phẩm thế hệ tiếp theo sẽ tích hợp giao thức âm thanh Bluetooth 5.2 với hỗ trợ âm thanh LE, tăng tốc độ lấy mẫu lên 384kHz, giảm kích thước gói xuống 4mm × 4mm,và thêm đầy đủ khả năng giải mã MQA, tập thể thúc đẩy các ứng dụng mở rộng trong tai nghe TWS và các thiết bị đeo thông minh.   Tóm lại   Chip CS4398-CZZ cung cấp khả năng giải mã lõi mạnh mẽ cho thiết bị âm thanh cao cấp, với phạm vi động cao 120dB, THD + N cực thấp -105dB,và hỗ trợ nhiều định dạng âm thanh độ phân giải caoĐối với các nhà sản xuất thiết bị âm thanh chuyên nghiệp và người yêu âm thanh, nó là một lựa chọn đáng tin cậy để đạt được hiệu suất âm thanh độ trung thực cao.triển vọng ứng dụng cho các chip DAC hiệu suất cao như vậy sẽ tiếp tục mở rộng.   Liên hệ với chuyên gia thương mại: ------------------   Email: xcdzic@163.com WhatsApp: +86-134-3443-7778Để biết chi tiết, hãy truy cập trang sản phẩm ECER: [链接]   Lưu ý:Phân tích này dựa trên CS4398-CZZTài liệu kỹ thuật; xin vui lòng tham khảo trang dữ liệu chính thức để biết chi tiết thiết kế cụ thể.