Shenzhen Anxinruo Technology Co., Ltd. Company resources

V. Package Pin Configuration DescriptionSeptember 5, 2025 News — With the increasing demand for precision measurement in industrial automation and IoT applications, high-resolution analog-to-digital converters have become core components of various sensing systems. The ADS1230IPWR 24-bit ΔΣ analog-to-digital converter, with its exceptional noise performance and low-power characteristics, is providing reliable signal conversion solutions for precision weighing, pressure detection, and industrial measurement applications. The device supports a wide power supply range of 2.7V to 5.3V, integrates a programmable gain amplifier and internal oscillator, and achieves up to 23.5 effective bits at a 10SPS output rate.   I. Core Technical Features   1.High-Precision Conversion Performance The ADS1230IPWR utilizes advanced ΔΣ modulation technology to deliver 24-bit no-missing-code accuracy. At a 10SPS data output rate, it achieves 23.5 effective bits of resolution, meeting the stringent requirements of precision weighing and pressure measurement applications. The device's built-in low-noise PGA ensures signal integrity during small-signal amplification.    2.Integrated Design This ADC integrates a complete measurement front-end, including a programmable gain amplifier, second-order ΔΣ modulator, and digital filter. The internal oscillator eliminates the need for external clock components, further simplifying system design. The device also provides additional features such as a temperature sensor and power-down mode.   3.Low-Power Characteristics Utilizing a proprietary low-power architecture, it consumes only 1.3mW typically at a 5V supply voltage. Supports multiple power-saving modes, including standby and power-down modes, significantly extending runtime in battery-powered applications.   II. Typical Characteristics Description   According to the manufacturer's test data, the ADS1230IPWR demonstrates excellent noise performance under typical operating conditions. The test conditions are: ambient temperature +25°C, analog supply voltage (AVDD) and digital supply voltage (DVDD) both at 5V, reference voltage (REFP) at 5V, and reference negative (REFN) connected to analog ground (AGND).   Noise Performance Analysis Figure 1: Noise Performance at 10SPS Data Rate Gain Setting: PGA = 64 Data Output Rate: 10SPS Noise Performance: Output code fluctuation remains within ±2 LSB Feature: Extremely high stability in low-speed sampling mode, suitable for high-precision measurement applications   Figure 2: Noise Performance at 80SPS Data Rate Gain Setting: PGA = 64 Data Output Rate: 80SPS Noise Performance: Output code fluctuation is approximately ±4 LSB Feature: Maintains good noise performance even at higher sampling rates, meeting rapid measurement requirements     Performance Summary The device exhibits excellent noise characteristics at the high gain setting of PGA=64, whether at 10SPS or 80SPS data rates. The 10SPS mode demonstrates superior noise performance, making it ideal for applications with extremely high precision requirements. The 80SPS mode provides a good balance between speed and accuracy, suitable for applications requiring faster sampling rates. Test data confirms the device's reliability and stability in precision measurement applications.   These characteristics make the ADS1230IPWR particularly suitable for applications requiring high-precision analog-to-digital conversion, such as electronic scales, pressure sensors, and industrial process control.   III. Core Analysis of Functional Block Diagram   1.Signal Processing Channel Differential Input: AINP/AINN directly connect to sensor signals Programmable Gain: 64/128× gain options to optimize small-signal amplification High-Precision Conversion: ΔΣ modulator achieves 24-bit no-missing-code conversion   2.Reference and Clock Reference Input: REFP/REFN support external reference sources Clock System: Built-in oscillator supports selectable 10/80SPS rates   3.Power Design Independent Power Supply: AVDD (Analog) and DVDD (Digital) with separate power inputs Ground Separation: AGND and DGND with independent grounding to reduce noise interference   4.Core Advantages High Integration: Reduces external component requirements Low-Noise Design: Noise < ±2 LSB at PGA=64 Low-Power Operation: Typical power consumption of 1.3mW Flexible Configuration: Programmable gain and data rate   This architecture provides a complete front-end solution for precision measurement, particularly suitable for weighing and pressure detection applications.   IV. Simplified Reference Input Circuit Analysis   Circuit Structure Description   The ADS1230IPWR adopts a differential reference voltage input design, comprising two main input terminals:   REFP:   Reference positive voltage input REFN:   Reference negative voltage input     Core Design Features   1.High-Impedance Input: Reference inputs feature high-impedance design Minimizes loading effects on the reference source Ensures reference voltage stability   2.Differential Architecture Advantages: Suppresses common-mode noise interference Improves reference voltage noise rejection ratio Supports floating reference applications   3.Decoupling Requirements A decoupling capacitor must be configured between REFP and REFN Recommended: 10μF tantalum capacitor in parallel with a 100nF ceramic capacitor Effectively suppresses power supply noise   Operating Characteristics Input Range: The reference voltage difference (REFP - REFN) determines the ADC full scale Impedance Characteristic: Typical input impedance >1MΩ Temperature Drift Impact: Reference source temperature drift directly affects conversion accuracy   V. Package Pin Configuration Description   Power Management Pins: Pin 1 (DVDD): Digital power supply positive terminal. Operating voltage range: 2.7-5.3V Pin 2 (DGND): Digital ground Pin 12 (AVDD): Analog power supply positive terminal. Operating voltage range: 2.7-5.3V Pin 11 (AGND): Analog ground   Analog Interface Pins: Pin 7 (AINP): Analog signal non-inverting input Pin 8 (AINN): Analog signal inverting input Pin 10 (REFP): Reference voltage positive input Pin 9 (REFN): Reference voltage negative input Pins 5-6 (CAP): Reference decoupling capacitor connection   Package Characteristics Type: TSSOP-16 Pin Pitch: 0.65mm Dimensions: 5.0×4.4mm Temperature Range: -40℃ to +105℃   Design Key Points Analog/digital power supplies require independent power sources Reference sources should adopt low-noise design Recommend parallel connection of 0.1μF decoupling capacitors to AVDD/DVDD pins Analog traces should be kept away from digital signal paths   This configuration provides a complete interface solution for high-precision ADC applications, particularly suitable for weighing systems and sensor measurement applications.   VI. Simplified Functional Diagram Analysis   Bypass Capacitor Filter Circuit The device constructs a low-pass filter using an external capacitor and an internal resistor: 1.External Component: 0.1μF bypass capacitor (CEXT) 2.Internal Structure: Integrated 2kΩ resistor (RINT) 3.Filter Characteristics: Forms a first-order low-pass filter 4.Cutoff Frequency: Calculated as 5.fc=12πRINTCEXT≈796Hzfc​=2πRINT​CEXT​1​≈796Hz 6.Functional Role: Effectively suppresses high-frequency noise and improves analog signal quality   Programmable Gain Amplifier (PGA) Architecture The PGA adopts a fully differential design structure: 1.Input Method: Supports differential signal input 2.Gain Configuration: Gain multiplier selected via external pins 3.Signal Processing: Utilizes chopper stabilization technology to reduce offset voltage 4.Noise Optimization: Built-in filtering network to optimize noise performance   Operating Characteristics The low-pass filter effectively suppresses high-frequency noise ≥800Hz The PGA provides high common-mode rejection ratio (CMRR) The overall architecture significantly improves signal chain noise performance Suitable for weak signal amplification scenarios such as load cell applications   Design Recommendations Use ceramic capacitors with stable temperature characteristics Minimize capacitor lead length Recommend X7R or X5R dielectric capacitors Place capacitors as close as possible to device pins during layout   VII. Clock Source Equivalent Circuit Analysis   Circuit Structure Composition The clock system adopts a dual-mode design architecture, comprising the following main modules:   Internal Oscillator Core Frequency: 76.8kHz RC oscillator Enable Control: Activated/deactivated via EN signal Automatic Detection: CLK_DETECT module monitors clock status   External Clock Interface Input Pin: CLKIN supports external clock input Compatibility: Compatible with square wave or sine wave clock sources Level Requirements: CMOS/TTL level compatible   Selection Switch Multiplexer (MUX): S0 control signal selects the channel Switching Logic: Selects internal or external clock source based on configuration Output Path: Transmits the selected clock to the ADC converter     Operating Modes     Internal Clock Mode   External Clock Mode   S0 selects the internal oscillator path   S0 selects the CLKIN input path   Provides a stable 76.8kHz reference clock   Supports external precision clock sources   No external components required, simplifying system design   Enables multi-device synchronous sampling   Configuration Method Controlled via a dedicated configuration register: S0 Control Bit: Selects clock source (0 = internal, 1 = external) EN Enable Bit: Internal oscillator enable control Status Detection: CLK_DETECT provides clock status monitoring   Design Recommendations When using an external clock, it is recommended to add a buffer Clock traces should be kept away from analog signal paths A small coupling capacitor should be added to the CLKIN pin For precise timing requirements, an external crystal oscillator can be used ​This clock architecture provides a flexible and stable clock solution for the ADC, meeting both the convenience needs of general applications and the external clock synchronization requirements of high-precision applications.     For procurement or further product information, please contact:86-0775-13434437778, Or visit the official website:https://mao.ecer.com/test/icsmodules.com/,Visit the ECER product page for details: [链接]                      

September 10, 2025 News — With increasing demands for power accuracy in portable electronic devices, low-dropout linear regulators (LDOs) play a critical role in signal processing circuits. The RT9193-33GB, manufactured using CMOS technology, supports an input voltage range of 2.5V to 5.5V and delivers a fixed 3.3V output with a maximum output current of 300mA. Featuring ±2% output voltage accuracy and 70dB power supply rejection ratio (PSRR), it is suitable for analog and digital circuits requiring stable power supply.   I. Core Technical Features   The RT9193-33GB utilizes CMOS technology, supporting an input voltage range of 2.5V to 5.5V while delivering a precise 3.3V±2% output voltage with 300mA load capability. The device features a 220mV low dropout voltage, 130μA quiescent current, and 70dB power supply rejection ratio (PSRR). It integrates overcurrent and thermal protection functions and is housed in a SOT-23-5 package, making it suitable for applications with stringent space and power qualityrequirements.   II. Application Scenario   1.Industrial Control: Provides stable reference voltage for PLC modules and sensors. 2.Communication Equipment: Powers RF front-end modules and base station interface circuits. 3.Medical Electronics: Supports precision power supply for portable monitoring devices and medical sensors. 4.Consumer Electronics: Applied in power management for audio codecs and smart wearable devices. 5.Automotive Electronics: Used in power supply for in-vehicle infotainment systems and driver assistance modules. 6.Test and Measurement: Delivers low-noise analog power for precision instruments.   III. Functional Block Diagram Detailed Explanation   RT9193-33GB is a high-performance low-dropout linear regulator (LDO) designed with advanced CMOS technology and integrated with multiple intelligent control functions. Below is a core module analysis based on its functional block diagram: Core Functional Modules   1.Enable Control Module: Employs a digital enable pin design compatible with standard TTL/CMOS logic levels. Typical enable voltage >1.5V, shutdown voltage 1.5V)   BP     Noise bypass pin, connecting an external 22nF capacitor can reduce output noise   VIN     Power input pin, supports 2.5V-5.5V input range     WDFN-6L 2x2 Package   Pin Name   Function Description EN   Enable control pin GND   Ground pin VIN   Power input pin NC   No connection VOUT   Regulated output pin BP   Noise bypass pin     MSOP-8 Package       Pin Name    Function Description          EN    Enable control pin        GND    Ground pin         VIN    Power input pin (2.5V-5.5V)          NC    No connection          NC    No connection       VOUT    Regulated output pin (requires ≥1μF ceramic capacitor)          BP    Noise bypass pin (connect 22nF capacitor to GND)          NC    No connection     Selection Recommendations   Space-constrained applications: Recommend WDFN-6L 2x2 package General applications: Recommend SOT-23-5 package High heat dissipation requirements: Recommend MSOP-8 package All packages comply with RoHS standards     For procurement or further product information, please contact:86-0775-13434437778,   Or visit the official website:https://mao.ecer.com/test/icsmodules.com/,Visit the ECER product page for details: [链接]            

ข่าววันที่ 4 กันยายน 2025 — ด้วยการเร่งตัวของ Industry 4.0 และระบบอัจฉริยะยานยนต์ ความต้องการโซลูชันพลังงานแบบแยกส่วนประสิทธิภาพสูงยังคงเติบโตอย่างต่อเนื่อง Texas Instruments' SN6505BDBVR ไดรเวอร์หม้อแปลงไฟฟ้าแบบ low-noise กำลังกลายเป็นจุดสนใจของอุตสาหกรรมเนื่องจากประสิทธิภาพพลังงานแบบแยกส่วนที่ยอดเยี่ยม ชิปนี้ให้ความสามารถในการขับเคลื่อนเอาต์พุตสูงสุด 1A รองรับแรงดันไฟฟ้าอินพุตที่หลากหลายตั้งแต่ 2.25V ถึง 5.5V และเปิดใช้งานแรงดันไฟฟ้าเอาต์พุตแบบแยกส่วนหลายรายการผ่านหม้อแปลงภายนอก ทำให้เหมาะอย่างยิ่งสำหรับสภาพแวดล้อมการใช้งานในอุตสาหกรรมที่ต้องการ   I. คุณสมบัติหลักของผลิตภัณฑ์   SN6505BDBVR เป็นไดรเวอร์หม้อแปลงแบบ push-pull ที่มีเสียงรบกวนต่ำและ EMI ต่ำ ออกแบบมาสำหรับแหล่งจ่ายไฟแบบแยกส่วนขนาดกะทัดรัด ขับเคลื่อนหม้อแปลงแบบ center-tapped บาง ๆ โดยใช้แหล่งจ่ายไฟ DC 2.25V ถึง 5V ลักษณะเสียงรบกวนต่ำพิเศษและ EMI ต่ำนั้นทำได้ผ่านการควบคุมอัตราการเปลี่ยนแปลงของแรงดันไฟฟ้าสวิตชิ่งเอาต์พุตและเทคโนโลยี spread spectrum clocking (SSC) บรรจุอยู่ในแพ็คเกจ SOT23 (DBV) ขนาดเล็ก 6 พิน เหมาะสำหรับการใช้งานที่มีพื้นที่จำกัด ด้วยช่วงอุณหภูมิการทำงานตั้งแต่ -55°C ถึง 125°C จึงปรับให้เข้ากับสภาพแวดล้อมที่รุนแรงได้ อุปกรณ์นี้ยังมีฟังก์ชัน soft-start เพื่อลดกระแสไฟกระชากและป้องกันกระแสไฟกระชากสูงในระหว่างการเปิดเครื่องด้วยตัวเก็บประจุโหลดขนาดใหญ่   II. ลักษณะประสิทธิภาพทั่วไป   1.SN6505BDBVR แสดงให้เห็นถึงการควบคุมโหลดที่ดีเยี่ยมภายใต้สภาวะอินพุต 5V รักษาแรงดันไฟฟ้าเอาต์พุตที่เสถียรในช่วงโหลดที่หลากหลายตั้งแต่ 25mA ถึง 925mA ทำให้มั่นใจได้ถึงการทำงานที่เชื่อถือได้ของแหล่งจ่ายไฟแบบแยกส่วน   2.อุปกรณ์นี้ให้ประสิทธิภาพสูงสุดเกิน 80% ภายในช่วงโหลด 300-600mA การแปลงที่มีประสิทธิภาพสูงนี้ช่วยลดการใช้พลังงานของระบบและความต้องการการจัดการความร้อนได้อย่างมาก ซึ่งให้ข้อได้เปรียบสำหรับการออกแบบผลิตภัณฑ์ปลายทางขนาดกะทัดรัด   III. แผนภาพบล็อกการทำงาน คำอธิบายโดยละเอียด   1.แหล่งจ่ายไฟและการเปิดใช้งาน: รองรับแรงดันไฟฟ้าอินพุตที่หลากหลายตั้งแต่ 2.25V ถึง 5.5V การควบคุมการเริ่มต้น/หยุดผ่านพิน EN โดยมีกระแสไฟดับต่ำกว่า 1µA   2.การสั่นและการปรับ: ออสซิลเลเตอร์ 420kHz ในตัวพร้อมเทคโนโลยี spread spectrum clocking (SSC) ในตัว ช่วยลดการรบกวนทางแม่เหล็กไฟฟ้า (EMI) ได้อย่างมีประสิทธิภาพ   3.เอาต์พุตพลังงาน: ใช้ N-MOSFETs 1A สองตัวในรูปแบบ push-pull เพื่อขับเคลื่อนขดลวดหลักของหม้อแปลงโดยตรง   4.การป้องกันที่ครอบคลุม: ให้การป้องกันกระแสเกิน 1.7A, การล็อกแรงดันไฟฟ้าต่ำ และการปิดเครื่องความร้อน 150°C เพื่อความปลอดภัยของระบบ   5.การควบคุม Soft-Start: วงจร soft-start และการควบคุมอัตราการเปลี่ยนแปลงในตัวเพื่อระงับกระแสไฟกระชากและปรับปรุงประสิทธิภาพ EMI     เวิร์กโฟลว์หลัก แรงดันไฟฟ้าอินพุตจ่ายผ่าน VCC และชิปจะเปิดใช้งานหลังจากตั้งค่าพิน EN เป็นสูง ออสซิลเลเตอร์ (OSC) สร้างสัญญาณนาฬิกาความถี่สูง ซึ่งถูกส่งไปยังตรรกะไดรฟ์หลังจากการปรับสเปกตรัมแบบกระจาย (SSC) วงจรไดรฟ์ควบคุมการนำไฟฟ้าสลับกันของ MOSFET สองตัว (การทำงานแบบ push-pull) สร้างสัญญาณ AC บนขดลวดหลักของหม้อแปลง เอาต์พุตทุติยภูมิของหม้อแปลงให้แรงดันไฟฟ้าแบบแยกส่วน ซึ่งถูกแก้ไขและกรองเพื่อจ่ายไฟให้กับโหลด วงจรป้องกันตรวจสอบกระแสไฟและอุณหภูมิอย่างต่อเนื่อง ปิดเอาต์พุตทันทีในกรณีที่เกิดความผิดปกติ ​สถานการณ์การใช้งาน   แหล่งจ่ายไฟแบบแยกส่วนในอุตสาหกรรม: ให้พลังงานแบบแยกส่วนสำหรับระบบ RS-485 และ CAN bus   อุปกรณ์ทางการแพทย์: ลักษณะเสียงรบกวนต่ำทำให้เหมาะสำหรับอุปกรณ์ที่ละเอียดอ่อน เช่น จอภาพ ECG และจอภาพความดันโลหิต   ระบบสื่อสาร: จ่ายไฟสำหรับอินเทอร์เฟซ SPI และ I2C แบบแยกส่วน   อิเล็กทรอนิกส์ยานยนต์: ช่วงอุณหภูมิกว้าง (-55°C ถึง 125°C) ตรงตามข้อกำหนดระดับยานยนต์       IV. คำอธิบายโดยละเอียดของวงจรการใช้งานทั่วไป   สถาปัตยกรรมวงจรหลัก   วงจรการใช้งานทั่วไปของ SN6505BDBVR แสดงอยู่ในรูปภาพ ใช้ทอพอโลยีแบบ push-pull เพื่อให้ได้การแปลง DC-AC โดยให้เอาต์พุตพลังงานแบบแยกส่วนผ่านหม้อแปลง การออกแบบประกอบด้วยส่วนประกอบต่อไปนี้เป็นหลัก: 1.อินพุตพลังงาน: รองรับอินพุต DC 3.3V/5V (ช่วง 2.25V-5.5V) กรองด้วยตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลติก 10μF ขนานกับตัวเก็บประจุเซรามิก 0.1μF 2.ไดรฟ์หลัก: ขับเคลื่อนหลักของหม้อแปลงผ่านพิน D1 และ D2 ให้ความสามารถในการส่งออก 1A ด้วยความถี่สวิตชิ่ง 420kHz 3.การแก้ไขและการกรอง: ใช้ไดโอด Schottky MBR0520L สำหรับการแก้ไข ร่วมกับเครือข่าย LC เพื่อการกรองที่มีประสิทธิภาพ 4.เอาต์พุตควบคุม: เลือกใช้ TPS76350 LDO สำหรับการควบคุมแรงดันไฟฟ้าที่แม่นยำ ทำให้ได้ความแม่นยำในการส่งออก ±3%   V. คำอธิบายแผนผังและวิเคราะห์การออกแบบ   การวิเคราะห์โมดูลวงจรหลัก   1.การกรองพลังงานอินพุต: พิน VCC ต้องใช้ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลติก 10μF (การกรองความถี่ต่ำ) และตัวเก็บประจุเซรามิก 100nF (การกรองความถี่สูง) วางให้ใกล้กับพินชิปมากที่สุด   2.ไดรฟ์หม้อแปลง: OUT1 และ OUT2 นำไฟฟ้าสลับกันโดยมีความแตกต่างของเฟส 180 องศาเพื่อขับเคลื่อนขดลวดหลักของหม้อแปลง ความถี่สวิตชิ่ง: 420kHz สำหรับ SN6505B, 350kHz สำหรับ SN6505A   3.วงจรการแก้ไข: ใช้ทอพอโลยีการแก้ไขแบบฟูลเวฟพร้อมไดโอด Schottky สองตัว (MBR0520L) ข้อกำหนดการเลือกไดโอด: ลักษณะการกู้คืนที่รวดเร็วและแรงดันไฟฟ้าตกคร่อมไปข้างหน้าต่ำ   4.การกรองเอาต์พุต: เครือข่ายการกรอง LC โดยแนะนำให้ใช้ตัวเก็บประจุชนิด ESR ต่ำ ระลอกคลื่นเอาต์พุต: โดยทั่วไป 1.5A รุ่นที่แนะนำ: Würth 750315240 หรือ Coilcraft CT05 series   ข้อควรพิจารณาในการออกแบบแอปพลิเคชัน 1.คำแนะนำเค้าโครง: วางตัวเก็บประจุอินพุตให้ใกล้กับพิน VCC และ GND มากที่สุด รักษาเส้นทางจากหม้อแปลงไปยัง OUT1/OUT2 ให้สั้นและกว้าง รักษาความสมบูรณ์ของระนาบกราวด์   2.การจัดการความร้อน: ตรวจสอบให้แน่ใจว่าอุณหภูมิแวดล้อมยังคงต่ำกว่า 85°C ในระหว่างการทำงานเต็มโหลดอย่างต่อเนื่อง เพิ่มแผ่นทองแดงสำหรับการกระจายความร้อนหากจำเป็น   3.การปรับ EMI: ใช้คุณสมบัติ spread spectrum clock (SSC) ในตัวของชิป เพิ่มวงจร RC snubber อย่างเหมาะสม   VI. คำอธิบายจังหวะเวลาการทำงานที่สำคัญ   ซ้าย: แผนภาพบล็อกโมดูล   ไดอะแกรมแสดงโมดูลการทำงานหลักและการไหลของสัญญาณภายในชิป SN6505 ฟังก์ชันของแต่ละส่วนมีดังนี้:   1.OSC (ออสซิลเลเตอร์): สร้างสัญญาณการสั่นดั้งเดิม (ความถี่ foscfosc​) ทำหน้าที่เป็น "แหล่งสัญญาณนาฬิกา" สำหรับวงจรทั้งหมด 2.ตัวหารความถี่: หารสัญญาณเอาต์พุตของออสซิลเลเตอร์เพื่อสร้างสัญญาณเสริมสองสัญญาณ (ติดป้ายกำกับ S‾S และ SS) ให้จังหวะเวลาพื้นฐานสำหรับตรรกะควบคุมที่ตามมา 3.ทรานซิสเตอร์เอาต์พุต (Q1Q1​, Q2Q2​): ควบคุมโดย G1G1​ และ G2G2​ เพื่อให้ได้ "การนำไฟฟ้า/ตัดสลับกัน" ในที่สุดก็ส่งสัญญาณจาก D1D1​ และ D2D2​ 4.พลังงานและกราวด์ (VCCVCC​, GND): ให้พลังงานในการทำงานและกราวด์อ้างอิงสำหรับชิป ขวา: ไดอะแกรมจังหวะเวลาเอาต์พุต แผนภูมิทางด้านขวาใช้เวลาเป็นแกนแนวนอนเพื่อแสดงสถานะการนำไฟฟ้า/ตัดของ Q1Q1​ และ Q2Q2​ เมื่อเวลาผ่านไป จุดสำคัญคือการทำความเข้าใจการแสดงออกของ "Break-Before-Make":   1.ในไดอะแกรมจังหวะเวลา รูปคลื่นสีน้ำเงินและสีแดงสอดคล้องกับสัญญาณควบคุม (หรือสถานะการนำไฟฟ้า) ของ Q1Q1​ และ Q2Q2​ ตามลำดับ 2.การสังเกตตามแกนเวลาเผยให้เห็นว่า Q2Q2​ จะเปิด ("Q2Q2​ on") หลังจาก Q1Q1​ ปิดสนิท ("Q1Q1​ off"); ในทำนองเดียวกัน Q1Q1​ จะเปิดหลังจาก Q2Q2​ ปิดสนิท 3.ลำดับจังหวะเวลาของ "ทำลายอันหนึ่งก่อนสร้างอีกอัน" นี้เป็นการแสดงออกโดยตรงของหลักการ "Break-Before-Make" ซึ่งช่วยป้องกันข้อผิดพลาดที่เกิดจากการนำไฟฟ้าพร้อมกันของทรานซิสเตอร์ทั้งสอง     SN6505BDBVR กำหนดมาตรฐานใหม่สำหรับการออกแบบแหล่งจ่ายไฟแบบแยกส่วนในอุตสาหกรรมด้วยความถี่สวิตชิ่งสูง 420kHz ประสิทธิภาพการแปลงมากกว่า 80% และประสิทธิภาพ EMI ที่ยอดเยี่ยม แพ็คเกจ SOT-23 ขนาดกะทัดรัดและคุณสมบัติที่ผสานรวมสูงช่วยลดความซับซ้อนของการออกแบบวงจรต่อพ่วงได้อย่างมาก ในขณะเดียวกันก็ช่วยปรับปรุงความน่าเชื่อถือของระบบและความหนาแน่นของพลังงานอย่างมาก ความต้องการแหล่งจ่ายไฟแบบแยกส่วนที่มีประสิทธิภาพและขนาดเล็กจะยังคงเติบโตต่อไป       สำหรับการจัดซื้อหรือข้อมูลผลิตภัณฑ์เพิ่มเติม โปรดติดต่อ:86-0775-13434437778, ​หรือเยี่ยมชมเว็บไซต์อย่างเป็นทางการ:https://mao.ecer.com/test/icsmodules.com/ ,เยี่ยมชมหน้าผลิตภัณฑ์ ECER สำหรับรายละเอียด: [链接]              

8 กันยายน 2025 ข่าว ง ับการเร่งขันของอุตสาหกรรม 4.0 และความฉลาดของรถยนต์ ความต้องการสําหรับชิปการจัดการพลังงานที่มีประสิทธิภาพสูงยังคงเพิ่มขึ้น0E1 เครื่องแปลงความดันสูงบัค DC-DC กําลังกลายเป็นจุดมุ่งเน้นของอุตสาหกรรมเนื่องจากผลงานในการแปลงพลังงานที่ยอดเยี่ยมชิปส่งมอบกระแสออกแบบต่อเนื่อง 2A รองรับระยะความกระแสไฟเข้าที่กว้างจาก 4.5V ถึง 40V และให้ผลิต 5.0V ที่มั่นคงและแม่นยําทําให้มันเหมาะสมกับสภาพแวดล้อมการใช้งานที่มีความต้องการต่าง ๆ.     ด้วยประสิทธิภาพในการแปลงสูงถึง 92% และการออกแบบที่เรียบง่ายมากที่ต้องการเพียงองค์ประกอบภายนอก 5 ส่วน เพิ่มความน่าเชื่อถือและความหนาแน่นของพลังงานของระบบพลังงานได้อย่างสําคัญซึ่งให้การสนับสนุนฮาร์ดแวร์ที่แข็งแกร่ง สําหรับการใช้งานที่นวัตกรรมในการควบคุมอุตสาหกรรม, อิเล็กทรอนิกส์ผู้บริโภค อิเล็กทรอนิกส์รถยนต์ และสาขาอื่น ๆ   I.ภาพรวมสินค้า XL1507-5.0E1 เป็นเครื่องปรับปรับปรับปรับปรับปรับปรับปรับปรับปรับปรับปรับปรับปรับปรับปรับปรับปรับปรับปรับปรับปรับปรับปรับปรับปรับปรับปรับปรับปรับปรับปรับปรับปรับปรับปรับปรับปรับปรับปรับปรับปรับปรับปรับปรับปรับปรับปรับปรับปรับปรับปรับปรับปรับปรับปรับปรับปรับปรับมันแปลงช่วงความแรงกดไฟเข้าที่กว้างออกไปเป็นความแรงกดไฟคงที่.0V ออก, สามารถจัดส่งถึง 2A ของกระแสความแรงต่อเนื่อง. ชิปรวม MOSFET ความแรงต่ําต่อการต่อต้านภายใน, ซ่อมแซงการออกแบบวงจรภายนอกอย่างสําคัญ,ทําให้มันเป็นทางเลือกที่ประสิทธิภาพดีต่อตัวควบคุมเส้นตรงแบบดั้งเดิม (เช่น 7805).   II. ลักษณะหลัก   ระยะความดันเข้าที่กว้าง: 4.5V ถึง 40V สามารถทนต่อการกระชับกระชับกระชับในสภาพแวดล้อมรถยนต์ เหมาะสําหรับอุตสาหกรรมและการใช้งานสื่อสารที่มีสภาพพลังงานที่ซับซ้อน. 1.ไฟฟ้าออกแบบคงที่: 5.0V (ความแม่น ± 2%) 2กระแสออกสูง: รองรับกระแสออกต่อเนื่องสูงสุด 2A 3.ประสิทธิภาพการแปลงสูง: สูงถึง 92% (ขึ้นอยู่กับสภาพความดันไฟเข้า / ออก) สูงกว่าอย่างมีนัยสําคัญกว่าตัวควบคุมเส้นตรงที่มีการผลิตความร้อนที่ลดลง 4.MOSFET พลังงานที่ติดตั้ง: กําจัดความต้องการของสวิทช์ภายนอก, ลดค่าใช้จ่ายระบบและพื้นที่ PCB 5.ความถี่การสลับ 150kHz ที่คงที่: ทําให้ประสิทธิภาพสมดุลในขณะที่ลดขนาดของอ่อนและตัวประกอบภายนอกให้น้อยที่สุด 6องค์ประกอบการป้องกันครบวงจร: การจํากัดกระแสไฟฟ้ารอบรอบ การป้องกันการปิดอุณหภูมิ การป้องกันการตัดสั้น (SCP) 7แพ็คเกจมิตรต่อสิ่งแวดล้อม: แพ็คเกจมาตรฐาน TO-252-2L (DPAK) ตรงกับมาตรฐาน RoHS และไม่นํา   III แผนกรอบการใช้งานทั่วไป   วงจรนี้ใช้ท็อปโลยีการสลับพลังงานแบบบัคคลาสสิคโดยมีเป้าหมายหลักคือการแปลงความกระชับกําลังเข้า 12V เป็นความกระชับกําลังออก 5V อย่างมีประสิทธิภาพและมั่นคง โดยให้กระแสแรงฝนสูงสุด 3A. 1หลักการทํางานหลัก   1ระยะเปลี่ยน (สภาพ ON):สวิตช์ MOSFET พลังงานความดันสูงภายใน XL1507 เปลี่ยน ON โดยนําความดัน input VIN (12V) ไปยังเครื่องผลักดันพลังงาน (L1) และเครื่องผลักดันผลิต (C2) ผ่านปิน SW ของชิปเส้นทางปัจจุบันในช่วงระยะนี้คือ: VIN → XL1507 → SW → L1 → C2 & Load กระแสผ่านอินดูคเตอร์ (L1) เพิ่มขึ้นแบบเส้นตรง โดยเก็บพลังงานไฟฟ้าในรูปของสนามแม่เหล็ก คอนเดเซนเตอร์การออก (C2) ถูกชาร์จ ให้พลังงานกับภาระและรักษาความตึงเครียดการออกที่มั่นคง   2สถานที่ปิด:MOSFET ภายในของ XL1507 ปิดออก เนื่องจากกระแสของตัวผลักดันไม่สามารถเปลี่ยนแปลงได้อย่างรวดเร็ว, ตัวผลักดัน (L1) สร้าง EMF กลับ (ปลายล่างบวก,ปลายบนลบ) ในเวลานี้ ไดโอ้ดที่เคลื่อนไหวได้อย่างอิสระ (D1) กลายเป็นแนวหน้าและนําไป สร้างเส้นทางต่อเนื่องให้กับกระแส induktor เส้นทางปัจจุบันคือ: GND → D1 → L1 → C2 & Load พลังงานที่เก็บไว้ในตัวผลักดันถูกปล่อยให้บรรทุกและตัวประกอบผ่านไดโอด์   3จักรยานและกฎหมาย:XL1507 เปลี่ยน MOSFET ภายในของมันในความถี่คงที่ (~ 150 kHz) เครื่องควบคุม PWM ปรับวงจรการทํางานอย่างไดนามิก (เช่นอัตราส่วนของเวลาที่สวิทช์เป็น ON ภายในวงจรหนึ่ง) เพื่อปรับความตึงเครียดออกตัวอย่างเช่น เพื่อบรรลุการแปลง 12V เป็น 5V วงจรทํางานที่เหมาะสมประมาณ 5V/12V ≈ 42%   2การวิเคราะห์ฟังก์ชันส่วนสําคัญ      ส่วนประกอบ ประเภท ปฏิบัติหน้าที่หลัก ปริมาตรการเลือกหลัก XL1507-5.0E1 บัค IC เครื่องควบคุมหลักที่มี MOSFET ภายใน การออกแบบ 5V ที่คงที่ ความแรงปริมาณ > 40V กระแส ≥ 3A C1 เครื่องปรับอัตราการเข้า การกรอง,提供瞬时电流 100μF+, ระดับความแรง ≥25V, ปานเซรามิก 100nF L1 อุปกรณ์ปรับกําลัง การเก็บพลังงานและการกรอง 33-68μH, กระแสความชุ่มชื่น > 4.5A, DCR ต่ํา D1 ไดโอเด่ฟรีวีลเลอร์ ให้เส้นทางสําหรับปัจจุบัน inductor ไดโอเดส Schottky 5A/40V โฟลตต่ําต่อหน้า C2 คอนเดสเซเตอร์ผลิต การกรอง, ปรับความแรงออก 470μF+, ระดับความแรง ≥10V, ESR ต่ํา R1,R2 เครื่องต้านทานการตอบสนอง ความดันออกตัวอย่าง กําหนดล่วงหน้าภายใน ไม่จําเป็นต้องเชื่อมต่อภายนอก   3.ดีไซน์ ข้อดี สรุป   วงจรประจําตัวนี้แสดงถึงข้อดีของ XL1507-5.0E1 ได้อย่างเต็มที่ 1.การออกแบบแบบขั้นต่ํา: ขอบคุณ MOSFET ที่บูรณาการภายในและการตอบสนองที่คงที่, เพียง 1 อินดูเตอร์, 1 ไดโอเดส, และ 2 คอนเดเซนเตอร์ที่จําเป็นต้องสร้างการจําหน่ายพลังงานที่สมบูรณ์ส่งผลให้มีค่าใช้จ่าย BOM ที่ต่ํามาก. 2ประสิทธิภาพสูง: การทํางานแบบสวิตชิ่งและการใช้ไดโอ้ด Schottky ทําให้มีประสิทธิภาพ (ประมาณการ > 90%) ที่สูงกว่าวิธีการควบคุมเส้นตรง (ตัวอย่างเช่น LM7805,ด้วยประสิทธิภาพเพียง ~ 40% และการผลิตความร้อนที่สําคัญ). 3ความซื่อสัตย์สูง: การป้องกันความแรงเกิน, การปิดความร้อน, และคุณสมบัติอื่น ๆ ที่สร้างขึ้นให้แน่ใจว่าชิปและภาระด้านล่างถูกคุ้มครองในสภาพที่ผิดปกติ 4ขนาดเล็ก: ความถี่การสลับที่สูงทําให้สามารถใช้อินดูเตอร์และคอนเดสเตอร์ขนาดเล็กขึ้น ทําให้อุปกรณ์สามารถลดขนาดได้ 5วงจรนี้เป็นทางออกที่เหมาะสมสําหรับอุปกรณ์รถยนต์ รูเตอร์ เครื่องควบคุมอุตสาหกรรม และการใช้งานอื่น ๆ ที่ต้องการการแปลงพลังงาน 5V / 3A ที่มีประสิทธิภาพจากแหล่ง 12V   IV แผนกบล็อกฟังก์ชัน   แผนผังบล็อกที่ใช้งานเป็น "แผนที่" เพื่อเข้าใจชิป. หลักของ XL1507 คือตัวควบคุม PWM โหมดปัจจุบันที่บูรณาการกับสวิตช์พลังงาน.กระบวนการทํางานภายในสามารถแบ่งออกเป็นองค์ประกอบหลักต่อไปนี้:   1. พลังงานและอ้างอิง 2.วงจรตอบสนองความแรงกดดัน - "การตั้งเป้าหมาย" 3.ออสซิลเลชั่นและการปรับปรุง - "การรักษาจังหวะ" 4.สวิตช์พลังงานและการขับเคลื่อน - "The Executor" 5.ปัจจุบันความรู้สึกและการป้องกัน - "การรับประกันความปลอดภัย"   สรุปการทํางาน 1.Power-On: VIN จําหน่ายพลังงาน, สร้างสัญญาณอ้างอิง 5V ภายในและสัญญาณสั่น 2.การเก็บตัวอย่างและการเปรียบเทียบ: เครือข่ายการตอบสนองภายในเก็บตัวอย่างผลิตไฟฟ้าที่คงที่ 5 วอลต์ และเครื่องขยายความผิดพลาดออกไฟฟ้าระดับ COMP 3เปิด: เมื่อสัญญาณนาฬิกาของตัวหมุนอุ่นมาถึง วงจรขับเคลื่อนจะเปิด MOSFET ภายใน และกระแสไฟฟ้าจะเริ่มเพิ่มขึ้น 4.การปิดแบบจําลอง: วงจรการตรวจจับปัจจุบันในเวลาจริง เมื่อมูลค่าปัจจุบันถึงขั้นต่ําที่กําหนดโดยความแรงกดของ COMPเครื่องเปรียบเทียบ PWM เริ่มและปิด MOSFET ทันที. 5.Freewheeling & Filtering: ระหว่างช่วงปิด, ไดโอเดส Schottky ภายนอก (D) ให้เส้นทางสําหรับกระแส induktor, และวงจร LC สกรองคลื่นสแควร์เป็นผลิต 5V DC เรียบร้อย. 6.Cycling & Protection: วงจรนาฬิกาต่อไปจะเริ่มต้น โดยซ้ําขั้นตอน 3-5. วงจรป้องกันจะติดตามตลอดกระบวนการเพื่อให้แน่ใจว่าระบบปลอดภัย ระบบวงจรปิดที่ซับซ้อนนี้รับประกันว่า XL1507-5.0E1 ได้อย่างมีประสิทธิภาพและน่าเชื่อถือ   V.กลไกป้องกันที่ฉลาด อุปกรณ์นี้มีส่วนประกอบการป้องกันหลายประเภท เช่น การจํากัดกระแสไฟฟ้ารอบรอบ การป้องกันการปิดอุณหภูมิอัตโนมัติ การป้องกันการตัดสั้นที่เสริม อุปกรณ์ป้องกันเหล่านี้ทําให้ระบบพลังงานทํางานได้อย่างมั่นคงและน่าเชื่อถือ แม้ในสภาพไฟฟ้าที่ต้องการมากที่สุด VI. แนวทางการทดสอบแบบแผนและการจัดวาง PCB   จุดสําคัญสําหรับการทดสอบวงจร   1จุดทดสอบหลัก VIN & GND: วัดความแรงกดไฟเข้าและคลื่น SW (Switch Node): สังเกตรูปคลื่น, ความถี่ และเสียงแหวนที่เปลี่ยน (เตือน: ใช้สปริงพื้น sonda ระหว่างการวัด) VOUT & GND: วัดความแม่นยําของแรงกระหน่ําออก, การกําหนดภาระ, และการคลื่นออก   2.การทดสอบการทํางาน การกําหนดความจุ: ปรับความจุเข้า, เปลี่ยนกระแสความจุ (0A → 3A) และติดตามช่วงความจุออก การกํากับสาย: ปรับปัจจุบันของภาระภาระ, เปลี่ยนความแรงกดไฟเข้า (เช่น 10V → 15V) และติดตามช่วงความแรงกดไฟออก การวัดคลื่น: ใช้กล้องออสซิลโลสโปป์ที่มีการติดตั้งสปริงที่ดินเพื่อวัดแม่นยําในจุด VOUT   3.ข้อสังเกตสําคัญ รูปแบบคลื่น: รูปแบบคลื่นจุด SW ควรสะอาด โดยไม่มีการลุกข้ามหรือเสียงแหวนผิดปกติ ความมั่นคง: ความตึงเคร่งออกควรคงที่ในทุกสภาพการทดสอบโดยไม่ต้องสั่นสะเทือน อุณหภูมิ: การเพิ่มอุณหภูมิของชิปและอินดูเตอร์ ควรอยู่ในขอบเขตที่เหมาะสมระหว่างการทํางานด้วยภาระเต็ม   แนวทางหลักในการจัดวาง PCB กติกาที่ 1: ลดลุปความถี่สูงให้น้อยที่สุด เป้าหมาย: วางตัวประกอบการเข้า (CIN) ใกล้ที่สุดเท่าที่จะเป็นไปได้กับปิน VIN และ GND ของชิป เหตุผล: ลดเส้นทางการชาร์จ / การปล่อยไฟฟ้าความถี่สูงและกระแสไฟฟ้าสูง นี่คือมาตรการที่สําคัญที่สุดในการกดดันรังสี EMI และลดความกระชับรุนแรง   กติกาที่ 2: หลีกเลี่ยงช่องทางการตอบสนองที่มีความรู้สึก เป้าหมาย: ให้ร่องรอยการตอบสนองห่างจากตัวนํา (L1) และสวิทช์โน๊ด (SW) สาเหตุ: ป้องกันเสียงกระแทกสนามแม่เหล็กและไฟฟ้าจากการเข้าสู่เครือข่ายการตอบสนองที่มีความรู้สึก ป้องกันความไม่เสถียรของความกระชับกําลังการออกหรือการเพิ่มระบวนการ   กติกาที่ 3: ยุทธศาสตร์การวางพื้นที่ที่เหมาะสม วัตถุประสงค์: ใช้การตั้งพื้นที่ดาว หรือจุดเดียวIN, D1, COUT) และสัญญาณพื้นดิน (FB กลับ) ในจุดเดียว สาเหตุ: ป้องกันความดันที่ตกที่เกิดจากกระแสไฟฟ้าที่สูงบนระดับพื้นดินจากการแทรกแซงกับพื้นที่อ้างอิงของชิป, รับประกันความมั่นคงของวงจรควบคุม   กติกาที่ 4: ปรับปรุงสวิตช์โน๊ดให้ดีที่สุด เป้าหมาย: ให้เส้นทาง SW สั้นและกว้าง สาเหตุ: SW เป็นจุดเปลี่ยนความถี่ความถี่ความถี่สูง   กติกาที่ 5: ให้ช่องทางในการระบายความร้อน เป้าหมาย: วางช่องทางการก่อตั้งหลายช่อง ภายใต้ปิน GND ของชิป และไดโอด์ เหตุผล: ใช้ชั้นทองแดงด้านล่างของ PCB เพื่อระบายความร้อนจากองค์ประกอบพลังงาน เพิ่มความน่าเชื่อถือของระบบ   สําหรับการจัดซื้อจัดจ้างหรือข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสินค้า โปรดติดต่อ: 86-0775-13434437778 หรือไปที่เว็บไซต์อย่างเป็นทางการhttps://mao.ecer.com/test/icsmodules.com/    ค้นหารายละเอียดในหน้าสินค้า ECER: [链接]            

วันที่ 6 กันยายน พ.ศ. 2525 ระหว่างกระแสที่กําลังดําเนินการไปสู่ประสิทธิภาพและความน่าเชื่อถือสูงขึ้นในการเปลี่ยนเทคโนโลยีไฟฟ้าเครื่องควบคุม PWM ระบบปัจจุบัน UC2845BD1G กําลังกลายเป็นทางออกหลักในพลังงานอุตสาหกรรม, อุปกรณ์สื่อสารและอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ผู้บริโภค เนื่องจากความมั่นคงที่ดีและการทํางานการควบคุมที่แม่นยํารองรับระยะความแรงกดไฟเข้าที่กว้างจาก 8V ถึง 30V, และให้การสนับสนุนการควบคุมที่มีประสิทธิภาพสําหรับท็อปโลยีพลังงานต่าง ๆ เช่น flyback และ forward converter.อุปกรณ์มีฟังก์ชันการป้องกันที่ครบวงจรและลักษณะที่เป็นมิตรต่อสิ่งแวดล้อมการประกันการทํางานที่ปลอดภัยและน่าเชื่อถือของระบบพลังงาน ภายใต้สภาพการทํางานที่หลากหลาย   I. คุณสมบัติทางเทคนิคของสินค้า UC2845BD1G ถูกบรรจุใน SOIC-8 และรวมตัวปรับความผิดพลาดการเพิ่มสูง, วงจรควบคุมวงจรการทํางานที่แม่นยํา, และเทียบความแม่นยําที่ชําระค่าอุณหภูมิ.ชิปรองรับความถี่ในการทํางานสูงสุด 500kHz และอนุญาตให้มีการปรับระยะเวลาทํางานจาก 0% ถึงเกือบ 100%วงจรคลับ 36 วอลต์ที่ติดตั้งให้ความคุ้มกันความแรงเกินสําหรับการออกของเครื่องขยายความผิดพลาดพร้อมด้วยฟังก์ชันล็อคโหลดความดันต่ํา (UVLO) ด้วยขั้นต่ําการเริ่มต้นทั่วไป 16V และขั้นต่ําการปิด 10V.   II. ข้อดีทางการทํางานหลัก   ชิปใช้สถาปัตยกรรมการควบคุมระดับกระแสปัจจุบัน ส่งผลให้มีการควบคุมสายและภาระที่ดีมีปริมาณการออกสูงสุด ± 1Aออสซิลเลอเตอร์ที่สามารถเขียนโปรแกรมได้ในตัว สามารถตั้งความถี่ในการทํางานผ่านตัวต่อต้านและตัวประกอบไฟภายนอกได้ ขณะที่ยังมีฟังก์ชันการเริ่มต้นอ่อนและการจํากัดกระแสปัจจุบันที่สามารถเขียนโปรแกรมได้ชิปทํางานในช่วงอุณหภูมิการเชื่อมระหว่าง -40 °C ถึง 125 °Cตอบสนองความต้องการการใช้งานในอุตสาหกรรม   III. การนําเสนอรายละเอียดถึงแผนภูมิบล็อกฟังก์ชัน   ปรัชญาหลัก: การควบคุมโหมดปัจจุบัน ภาพนี้แสดงหลักการควบคุมโหมดกระแสไฟฟ้า ไม่เหมือนกับการควบคุมโหมดแรงดันแบบดั้งเดิม มันมีสองวงจรควบคุม วงจรภายนอก: เป็นวงจรความแรงดันที่ช้าขึ้นซึ่งรับผิดชอบในการตั้งระดับการออกที่ถูกต้อง Inner Loop (ลุปภายใน): เป็นลุปปัจจุบันที่เร็วขึ้นซึ่งรับผิดชอบในการติดตามและจํากัดปัจจุบันของสวิทช์พลังงานในเวลาจริง โครงสร้างนี้ทําให้การตอบสนองแบบไดนามิคเร็วกว่าและจํากัดกระแสกระแสที่เกิดจากรอบรอบรอบรอบ โดยปรับปรุงความน่าเชื่อถือและผลงานของเครื่องพลังงานให้ดีขึ้นอย่างมาก   การวิเคราะห์อย่างละเอียดของโมดูลหลัก 1. สายวงจรไฟฟ้า "The Commander"ส่วนประกอบหลัก: เครื่องกระตุ้นความผิดพลาด (เครื่องกระตุ้นความผิดพลาด) + 5.0 วอลต์อ้างอิง   กระบวนการทํางาน: ชิปผลิตไฟฟ้า 5.0V ที่มีความมั่นคงมาก ซึ่งแบ่งเป็น 2.5V และให้ไฟเข้า (+) ของเครื่องกระตุ้นความผิดพลาด ความดันการออกของไฟฟ้าที่ให้บริการกับไฟฟ้าถูกแบ่งออกด้วยตัวต่อต้านภายนอก และนําไปใส่ในสัญลักษณ์การสลับ (-) ของเครื่องยกระดับความผิดพลาด FB (Pin 2) เครื่องขยายความผิดพลาดจะเปรียบเทียบความแรงไฟฟ้า FB ต่อเนื่องกับค่าอ้างอิงภายใน 2.5V ผลการเปรียบเทียบคือการออกจาก COMP (Pin 1) เป็นความดันความผิดพลาด. ระดับของความดันนี้แสดงโดยตรงว่าต้องการการจําหน่ายพลังงานมากแค่ไหน: ความดันออกต่ําเกินไป → ความดัน COMP เพิ่มขึ้น ความดันออกสูงเกินไป → ความดัน COMP ลดลง ข้อมูลสําคัญ:ปิน COMP ต้องการเครือข่ายการชดเชย RC ภายนอก การออกแบบเครือข่ายนี้เป็นสิ่งสําคัญ มันกําหนดความมั่นคงของวงจรพลังงานทั้งหมด (เช่นว่าระบบจะสั่นหรือไม่).   2นาฬิกาและเวลา "เมตรโนม"ส่วนประกอบหลัก: ออสซิลเลเตอร์   กระบวนการทํางาน: ตัวต่อต้าน (RT) และตัวประกอบความแข็ง (CT) เชื่อมต่อระหว่าง RT/CT (Pin 4) และพื้นดิน แหล่งกระแสไฟฟ้าคงที่ภายในชาร์จตัวประกอบ CT (ความชันที่กําหนดโดย RT) สร้างขอบขึ้นของคลื่นฟันตัด เมื่อความกระชับกําลังถึงขั้นต่ําที่กําหนดไว้ วงจรภายในจะปล่อยตัวตัวประปาอย่างรวดเร็ว สร้างขอบตก มันสร้างคลื่นฟักชั่นถาวรของฟักชั่นฟักชั่นที่กําหนดความถาวรของการสลับ PWMการเริ่มต้นของหมุนเวียน sawtooth แต่ละให้สัญญาณนาฬิกาที่ตั้ง PWM กล่องและเริ่มต้นการผลิตใหม่.   3. พลังงานไฟฟ้าและการป้องกัน "โลจิสติกส์และความปลอดภัย" การล็อคเอาท์ความดันต่ํา (UVLO):   ติดตามความแรงดันที่ Vcc (Pin 7) ชิปจะเริ่มทํางานเมื่อ Vcc เกินขั้นต่ําการเริ่มต้น (≈16V) ป้องกันการทํางาน PWM ที่ไม่มั่นคงภายใต้ความดันที่ไม่เพียงพอ เมื่อเปิดตัวแล้ว ชิปยังคงทํางานจนกว่า Vcc จะอยู่เหนือขั้นต่ําการปิด (≈10V) อุปกรณ์นี้ทําให้การเริ่มต้นของเครื่องมั่นคงและน่าเชื่อถือได้ 5V หมายเหตุ (Vref): ใช้ได้ไม่เพียงแต่เป็นจุดอ้างอิงสําหรับเครื่องขยายความผิดพลาด แต่ยังเป็นผลิตผ่าน VREF (Pin 8) มันให้บริการที่สะอาดและมั่นคง 5 วอลต์การบริโภควงจรภายนอก (เช่นความต้านทานการแบ่งระบายความแรงกดดันหรือ RT) เสริมความต้านทานเสียงของระบบและความมั่นคงโดยรวม   สรุปกระแสสัญญาณ (ภาพใหญ่) สัญญาณนาฬิกาเริ่มต้นวงจรและตั้งผลิตเพื่อเปิด MOSFETซึ่งจะเปรียบเทียบในเวลาจริงกับความดัน COMP ที่แสดงความต้องการพลังงานเมื่อความดันสองเท่ากัน, การออกปิดทันที, โดยกําหนดความกว้างของกระแทก. กระบวนการนี้ซ้ําต่อเนื่อง, สร้างการควบคุมวงจรปิดที่มีประสิทธิภาพและมั่นคง.   IV การจัดตั้งและฟังก์ชันของปิน   UC2845BD1G ใช้แพคเกจมาตรฐาน SOIC-8 ส่งการทํางานการควบคุม PWM ระดับปัจจุบันที่สมบูรณ์แบบผ่านการวางแผนปินที่เรียบง่ายการออกของทอเทม-โพล (OUTPUT), การชําระค่าตอบแทนความผิดพลาด (COMP), การส่งกลับ (FB), การตรวจจับกระแส (ISENSE) และการตั้งค่าความถี่ของออสซิลเลเตอร์ (RT/CT) อุปกรณ์ยังให้ผลิตมาตรฐานความแม่นยํา 5V (VREF)การสนับสนุนการดําเนินงานวงจรภายนอกเพื่อป้องกันการกระจายไฟเกิน, เริ่มต้นอ่อนและปรับความถี่ ด้วยการบูรณาการสูงและความน่าเชื่อถือของระบบ, มันเหมาะสําหรับท็อปโลยีพลังงานที่แยกและไม่แยก V. สถานการณ์การใช้งานทั่วไป   ในสาขาของปัสดุพลังงานอุตสาหกรรม, มันถูกใช้ในเครื่องแปลง AC / DC, ระบบพลังงานอินเวอร์เตอร์, และตัวควบคุมการขับเคลื่อนมอเตอร์.ในอุปกรณ์การสื่อสาร, มันถูกนําไปใช้ในแหล่งพลังงานของสถานีฐานและโมดูลพลังงานของอุปกรณ์เครือข่ายสําหรับอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ผู้บริโภค, มันเหมาะสําหรับปัสดุพลังงานจอ LCD, แอดป์เตอร์, และชาร์จเกอร์.ในภาคอิเล็กทรอนิกส์รถยนต์, มันถูกนําไปใช้ในเครื่องชาร์จบนเครื่องและระบบพลังงานเสริม.   VI. รายละเอียดเทคนิค   UC2845BD1G มีปริมาตรการทํางานหลักดังต่อไปนี้     ปริมาตร มูลค่า หน่วย เงื่อนไข ความดันไฟฟ้า (VCC) 8 ถึง 30 V ระยะการทํางาน ความถี่ในการทํางาน สูงสุด 500 kHz กําหนดโดย RT/CT ความแรงกดดันมาตรฐาน (VREF) 5.0 ± 1% V TJ = 25°C ปัจจุบันการออก (สูงสุด) ± 1 A การออกของทอเทมโพล ขั้นต่ําการเริ่มต้น/หยุด UVLO 16 / 10 V ค่าเฉพาะ ความผิดพลาด Amp Gain-BW Product 1 MHz แบบปกติ อุณหภูมิการทํางาน -40 ถึง +125 °C อุณหภูมิจุดแยก   รายละเอียดเหล่านี้ทําให้เห็นถึงความเหมาะสมของอุปกรณ์สําหรับการใช้งานแปลงพลังงานที่หลากหลายที่ต้องการการควบคุมที่แม่นยําและผลงานที่แข็งแรง   VII. ความสอดคล้องกับสิ่งแวดล้อม   ผลิตภัณฑ์ตรงกับกฎและมาตรฐานสิ่งแวดล้อมต่อไปนี้ ความสอดคล้องกับ RoHS: ตรงกับความต้องการของ EU Directive 2015/863 ไม่มีฮาโลเจน: เนื้อหาคลอรีน < 900 ppm, เนื้อหาบรอม < 900 ppm ความสอดคล้องกับ REACH: ไม่มีสารที่กังวลมาก (SVHC) ไม่นํา: ตอบสนองกับมาตรฐาน JEDEC J-STD-020 การบรรจุ: ใช้วัสดุบรรจุที่ไม่เป็นอันตรายต่อสิ่งแวดล้อม ข้อมูลความสอดคล้องทั้งหมดจะพัฒนาขึ้นจากรายละเอียดของผู้ผลิต และมาตรฐานของอุตสาหกรรม   สําหรับการจัดซื้อขายหรือข้อมูลสินค้าเพิ่มเติม โปรดติดต่อ: 86-0775-13434437778 หรือไปที่เว็บไซต์อย่างเป็นทางการ: https://mao.ecer.com/test/icsmodules.com/  

ส.ค. 4, 2025 ข่าว หน่วยจําหน่าย EEPROM ซีเรียล M95160-WMN6TP จาก STMicroelectronics ยังคงมีบทบาทสําคัญในการควบคุมอุตสาหกรรม อิเล็กทรอนิกส์ผู้บริโภคและอิเล็กทรอนิกส์รถยนต์ด้วยความจุของ 16Kbit (2K × 8) ความสามารถในการเก็บข้อมูล, การสนับสนุนสําหรับอินเตอร์เฟซ SPI ถึง 10MHz, และช่วงความกระชับกําลังการทํางานที่กว้างจาก 2.5V ถึง 5.5V, มันตอบสนองความต้องการของตลาดสําหรับความน่าเชื่อถือและความทนทานชิปมีเวลาในการเขียน 5 ms และความทนทานถึง 4 ล้านรอบการเขียน, ยืนยันคุณค่าของมันในแอพลิเคชั่นเหล่านี้       ฉันประสิทธิภาพหลักและการใช้ 1. M95160-WMN6TP เป็นชิปความจํา EEPROM จํานวน 16 กิโลบิต (2K × 8) ที่สื่อสารกับตัวควบคุมโฮสต์ผ่านบัส SPI (Serial Peripheral Interface) ด้วยความถี่นาฬิกาสูงสุด 10MHzมันรองรับการอ่าน/เขียนข้อมูลความเร็วสูงระยะความกระชับกําลังการทํางานที่กว้างจาก 2.5V ถึง 5.5V ทําให้สามารถปรับปรุงกับสภาพแวดล้อมพลังงานที่หลากหลาย   2ชิปใช้แพคเกจ SOIC-8 สอดคล้องกับมาตรฐาน RoHS และไม่มีหมึก การออกแบบที่ติดตั้งบนพื้นผิวทําให้การผลิตเป็นระบบอัตโนมัติสามารถทํางานได้อย่างมั่นคงในสภาพแวดล้อมที่รุนแรงเวลาในการเขียนเพียง 5ms เพิ่มประสิทธิภาพการเก็บข้อมูล   II. รูปแบบของแพคเกจและลักษณะของอินเตอร์เฟส M95160-WMN6TP ใช้แพคเกจ SOIC-8 ขนาด 4.9 mm x 3.9 mm x 1.25 mm ทําให้เหมาะสําหรับการติดตั้งอัตโนมัติที่มีพื้นที่จํากัดแพ็คเกจตรงกับมาตรฐาน RoHS และไม่นําขณะที่การออกแบบที่ติดตั้งบนพื้นผิวจะอํานวยความสะดวกในการผลิตจํานวนมาก อินเตอร์เฟซหลักของมันคือ Serial Peripheral Interface (SPI) ซึ่งรองรับความถี่ของนาฬิกาถึง 10MHz ทําให้สามารถอ่าน / เขียนข้อมูลความเร็วสูงความเหมาะสมของ SPI bus รับประกันการเชื่อมต่อที่สะดวกสบายกับไมโครคอนโทรลเลอร์และโปรเซสเซอร์ต่าง ๆ. ปริมาตรพื้นฐานของแพคเกจ   แบบ: M95160-WMN6TP ประเภทของบรรจุ: UFDFN8 (Ultra Thin Fine Pitch Dual Flat Lead-free) จํานวนปิน: 8 ขนาด: 2.0 mm × 3.0 mm ความยาวของปิ้น: 0.5 มิลลิเมตร ความหนา: ละเอียดมาก (โดยทั่วไป ≤ 0.6 mm)                           1ลักษณะของบรรจุภัณฑ์และการออกแบบ กล่อง UFDFN8 ที่ใช้ใน M95160-WMN6TP เป็นกล่องบางมาก ขนาด 2 × 3 มม.ควรให้ความสนใจพิเศษกับเครื่องหมายระบุ Pin 1 และการออกแบบที่แม่นยําของพัดแนะนําให้ขยายแผ่นที่เหมาะสมเพื่อให้แน่ใจว่าความน่าเชื่อถือในการผสมแพ๊ดความร้อนกลางบนด้านล่างต้องออกแบบและเชื่อมต่อกับระดับพื้นดินโดย 4-6 สาย, ซึ่งเป็นสิ่งสําคัญสําหรับการระบายความร้อนและการติดตั้งทางกล   2จุดสําคัญของกระบวนการผลิตและการประกอบกระบวนการประกอบของพัสดุนี้ต้องการความแม่นยําสูงจําเป็นต้องมีการควบคุมความแม่นยําของการพิมพ์พิมพ์ผสมผสมและการใช้โปรไฟล์อุณหภูมิการไหลกลับที่เหมาะสําหรับกระบวนการที่ไม่มีหมูหลังการผสมชะมัด แนะนําให้ตรวจเช็คด้วยรังสีเอ็กซ์ เพื่อตรวจสอบการเติมผสมชะมัดภายใต้แผ่นความร้อน เพื่อรับรองคุณภาพและความน่าเชื่อถือของการผสม   3การพิจารณาและสรุปความน่าเชื่อถือ แพ็คเกจ FDFN8 มีโครงสร้างที่คอมแพคต ทําให้มันมีความรู้สึกต่อการออกอัดไฟฟ้าสแตตติก (ESD) และความเครียดทางกายภาพระบบป้องกัน ESD ควรเพิ่มขึ้นต่อสายการเชื่อมต่อ, และส่วนประกอบที่อาจมีแรงกดดันควรหลีกเลี่ยงเหนือชิประหว่างการวางแผน.การควบคุมกระบวนการ SMT ที่เข้มงวดการประสานงานอย่างใกล้ชิดกับผู้ผลิต PCB และสถานที่ประกอบ PCB เพื่อร่วมกันปรับปรุงปริมาตรการออกแบบ   III. ประสิทธิภาพและข้อดีหลัก   มิติของลักษณะ รายละเอียดปารามิเตอร์ ข้อดี การตั้งค่าความจํา 16Kbit (2K x 8) โครงสร้างองค์กรที่เหมาะสมที่ตอบสนองความต้องการการตั้งค่าและการเก็บปารามิเตอร์ทั่วไป อินเตอร์เฟสและความเร็ว อินเตอร์เฟซ SPI ถึง 10MHz โปรต็อกอลลําดับมาตรฐานที่มีความสอดคล้องที่ดี และความเร็วในการส่งข้อมูลที่เร็ว ระยะความดัน 2.5V ~ 5.5V ระดับความแรงกดแรงทํางานที่กว้างขวาง ซึ่งเข้ากันได้กับระบบทั้ง 3.3V และ 5V ซึ่งให้ความยืดหยุ่นในการใช้งานสูง ความ อด ทน และ อายุ 4 ล้านรอบลบ/เขียน ข้อมูลเก็บไว้ 40 ปี ความน่าเชื่อถือสูง รับประกันความปลอดภัยของข้อมูลในระยะยาว เหมาะสําหรับกรณีการเขียนบ่อย อุณหภูมิการทํางาน -40°C ~ +85°C ระยะอุตสาหกรรมอุณหภูมิ ปรับตัวต่อสภาพแวดล้อมการทํางานที่รุนแรง เขียนเวลารอบ 5ms (การเขียนหน้า) ความสามารถในการอัพเดทข้อมูลอย่างรวดเร็ว     IV สถานการณ์การใช้งาน   M95160-WMN6TP ใช้คุณสมบัติของมันเพื่อให้บริการหลายสาขา: การควบคุมอุตสาหกรรม: ใช้ใน PLC, เซนเซอร์ และเครื่องมือเพื่อเก็บปริมาตรและการตั้งค่าที่สําคัญ อิเล็กทรอนิกส์ผู้บริโภค: รักษาการตั้งค่าของผู้ใช้งานและข้อมูลการปรับขนาดในอุปกรณ์และเครื่องมือที่ใส่ได้ในบ้านฉลาด อิเล็กทรอนิกส์รถยนต์: ใช้ในระบบรถยนต์เพื่อเก็บข้อมูลการวินิจฉัยและปริมาตรการตั้งค่า อุปกรณ์สื่อสาร: ใช้ในรูเตอร์, สวิตช์, เป็นต้น เพื่อเก็บข้อมูลการตั้งค่าโมดูลและสถานะ   ข้อดีทางเทคนิคของมันประกอบด้วย: นาฬิกาความเร็วสูง: รองรับการสื่อสาร SPI 10MHz เพื่อการเข้าถึงข้อมูลอย่างรวดเร็ว ความยั่งยืนสูง: ให้บริการ 4 ล้านรอบการเขียนและการเก็บข้อมูล 200 ปี การทํางานแบบวอลเตจกว้าง: ใช้งานจาก 2.5V ถึง 5.5V, รับรองความสอดคล้องที่ดี แพ็คเกจที่คอมแพ็ค: แพ็คเกจ SOIC-8 ประหยัดพื้นที่ PCB และเหมาะสําหรับการออกแบบที่จํากัดพื้นที่   V. การจัดหาตลาดและความมั่นคง   M95160-WMN6TP ปัจจุบันอยู่ในระยะรอบชีวิต "การผลิตที่ใช้งาน" ด้วยโซ่การจัดจําหน่ายที่คงที่เป็นกันเองและการคลังสินค้าสป็อตทั่วโลกยังคงสําคัญ (ข้อมูลสาธารณะชี้ให้เห็นว่าจํานวน 1,000 หน่วย)     ราคาอ้างอิง: ราคาชิปอาจแตกต่างกันขึ้นอยู่กับปริมาณการซื้อและความสับสนของตลาด; ข้อมูลที่ให้บริการมีเพียงเพื่ออ้างอิง   จํานวนการซื้อ (pcs) ราคาหน่วยอ้างอิง (RMB รวมภาษี) 1+ หน่วย: ¥1.29/หน่วย 100+ หน่วย: ¥ 0.989/หน่วย 1250+ หน่วย: ¥ 0.837/หน่วย 37500+ หน่วย: จําเป็นต้องสอบถามราคา                     วิธีการบรรจุหลักคือเทปและรีล ซึ่งอํานวยความสะดวกในการประกอบอัตโนมัติ   VI การพิจารณาด้านการออกแบบและทางเลือก   การออกแบบต้องการความสนใจต่อ: การจัดวาง PCB: คอนเดสเตอร์การแยกกันควรวางใกล้กับปินพลังงานมากที่สุดเท่าที่จะทําได้ ความสมบูรณ์แบบของสัญญาณ: เส้นเวลาของ SPI ควรรวมการจับคู่ปลายกับตัวต่อรองชุด หากจําเป็น การจัดการความร้อน: แม้ว่าการใช้พลังงานจะต่ํา แต่การติดพื้นที่ขนาดใหญ่จะช่วยในการระบายความร้อนและความมั่นคง     รูปแบบทางเลือกที่เป็นไปได้: หากเกิดปัญหาด้านการจําหน่าย, รูปแบบที่คล้ายกันในทางการทํางาน เช่น M95160-WMN6P (STMicroelectronics) หรือ BR25L160FJ-WE2 (ROHM Semiconductor) อาจถูกประเมินก่อนเปลี่ยน, ดูใบข้อมูลให้ดี เพื่อประเมินลักษณะไฟฟ้า ความเข้ากันของแพคเกจ และความแตกต่างของซอฟต์แวร์ไดรเวอร์   มุมมองอนาคตและคุณค่าของอุตสาหกรรม แม้ EEPROM จะเป็นเทคโนโลยีที่วัยรุ่นแล้ว แต่อุปกรณ์อย่าง M95160-WMN6TP จะรักษาความต้องการที่คงที่ในด้านต่างๆ เช่น การเก็บข้อมูลการตั้งค่าอุปกรณ์ IoT การสํารองพารามิเตอร์สําคัญและการบันทึกการตั้งค่าส่วนบุคคลสําหรับอุปกรณ์ wearableการบริโภคพลังงานที่ต่ํา, ความน่าเชื่อถือสูง และขนาดคอมแพคต์ของพวกเขาตรงกับความต้องการของอุตสาหกรรม 4.0 และระบบรถยนต์ที่ฉลาดสําหรับความมั่นคงทางอิเล็กทรอนิกส์และความปลอดภัยของข้อมูล   สําหรับการจัดซื้อขายหรือข้อมูลสินค้าเพิ่มเติม โปรดติดต่อ: 86-0775-13434437778 หรือไปที่เว็บไซต์อย่างเป็นทางการ: ครับhttps://mao.ecer.com/test/icsmodules.com/                  

3 กันยายน 2025 ข่าว ✅ ด้วยการพัฒนาต่อเนื่องของเทคโนโลยีครึ่งตัวนําโลกและความหลากหลายของความต้องการการใช้งานเครื่องควบคุมขนาดเล็ก GD32F103RBT6 ได้รับความนิยมในวงการควบคุมอุตสาหกรรม, อิเล็กทรอนิกส์ผู้บริโภค และสาขา IoT เนื่องจากการทํางานในการประมวลผลที่มั่นคง, การควบคุมประสิทธิภาพการใช้พลังงาน, และความสามารถในการบูรณาการด้านนอก.ชิปทํางานที่ความถี่หลัก 108MHz และรองรับการเข้าถึงความทรงจําฟลัชแบบรังคับศูนย์, ส่งผลให้มีประสิทธิภาพในการประมวลผลและการทํางานในเวลาจริงที่เพิ่มขึ้น   I.อธิบายลักษณะสินค้า GD32F103RBT6 มีส่วนประกอบที่ล้ําสมบูรณ์หลายอย่าง แมมรี่ฟแลช 128KB และ SRAM 20KB ที่รองรับการทํางานของระบบปฏิบัติการในเวลาจริง (RTOS) อุปกรณ์พร้อมกับ ADC ความเร็วสูง 12 บิต 3 ตัวที่มีอัตราการเก็บตัวอย่าง 1 MSPS รองรับ 16 ช่องทางการเข้าภายนอก ประกอบด้วยอินเตอร์เฟซ SPI สองตัว (สูงสุด 18MHz), อินเตอร์เฟส I2C สองตัว (สูงสุด 400kHz), อินเตอร์เฟส USART สามตัว และอินเตอร์เฟส CAN 2.0B หนึ่งตัว รองรับไทเมอร์ที่ก้าวหน้าและไทเมอร์มูลค่าทั่วไป, ให้ PWM การออกและการรับข้อมูลการทํางาน มีโมดูลการติดตามพลังงานที่มีการตั้งค่าใหม่การเปิดพลังงาน (POR) การตรวจจับการหมดพลังงาน (BOD) และตัวควบคุมความดัน   II. การจัดตั้งและฟังก์ชันของปิน   GD32F103RBT6 ใช้แพคเกจ LQFP64. ด้านล่างนี้อธิบายฟังก์ชันของปินกุญแจของมัน: 1. พินพลังงาน VDD/VSS: ปลายบวก/ลบของไฟฟ้าดิจิตอล จําเป็นต้องมีตัวประกอบการตัดต่อภายนอก VDDA/VSSA: ปรับปรุงพลังงานแบบแอนาล็อก ปรับปรุงพลังงานแบบบวก/ลบ แนะนําให้ใช้พลังงานแบบอิสระ VREF+/VREF-: ความเข้มข้นแนวทางของ ADC เป็นบวก/ลบ 2- ปิ้นนาฬิกา OSC_IN/OSC_OUT: อินเตอร์เฟซอสซิเลเตอร์คริสตัลภายนอกPC14/PC15: อินเตอร์เฟซนาฬิกาภายนอกความเร็วต่ํา 3.Debug อินเตอร์เฟซพิน SWDIO: Serial Wire Debug Data Input/Output การเข้า/การออกของข้อมูลSWCLK: ชั่วโมงแก้ไขสายลําดับ 4.GPIO พิน PA0-PA15: ท่า A, 16 จุดเข้า/ออกทั่วไปPB0-PB15: ท่าทาง B, 16 ปินเข้า/ออกทั่วไปPC13-PC15: Port C, 3 ปินเข้า/ออกทั่วไป 5. ปิ้นหน้าที่พิเศษ NRST: System Reset Input (ข้อมูลการตั้งค่าใหม่ของระบบ)BOOT0: เลือกโหมดการ bootVBAT: แบตเตอรี่สํารองเขตพลังงาน   รายละเอียดฟังก์ชันปิน   การตั้งค่าฟังก์ชันพิเศษ   การเลือกโหมดการ boot โหมดบูทถูกตั้งค่าผ่านปิน BOOT0: BOOT0=0: เบ็ตจาก main flash memoryBOOT0=1: boot จากความจําระบบ   การแยกพลังงานแบบแอนลาจ แนะนําให้แยก VDDA/VSSA ออกจากไฟฟ้าดิจิทัล โดยใช้เข็มแม่เหล็ก และเพิ่มตัวประกอบการแยก 10μF + 100nF เพื่อเพิ่มความแม่นยําในการเก็บตัวอย่าง ADC   การป้องกันอินเตอร์เฟซแก้ไข แนะนําให้เชื่อมต่อสายสัญญาณ SWDIO และ SWCLK เป็นชุดด้วยตัวต่อ 33Ω และอุปกรณ์ป้องกัน ESD เพิ่มเพื่อเพิ่มความน่าเชื่อถือของอินเตอร์เฟซการแก้ไขความผิดพลาด   แนะนําการวางแผน: คอนเดสเตอร์การแยกแยกสําหรับการจําหน่ายพลังงาน ควรวางใกล้กับพินชิปได้มากที่สุดพื้นที่แบบแอนาล็อกและดิจิตอล ควรเชื่อมต่อกันในจุดเดียวเครื่องสั่นกระจกคริสตัล ควรวางใกล้ชิปมากที่สุดเท่าที่จะทําได้ โดยวางวงแหวนป้องกันรอบตัวเส้นสัญญาณความถี่สูง ควรเก็บไว้ห่างจากส่วนแบบแอนาล็อกจุดทดสอบสํารองสําหรับการวัดสัญญาณหลัก   III.แผนภูมิ นี่คือแผนภูมิของไมโครคอนโทรลเลอร์ GD32F103RBT6 แสดงสถาปัตยกรรมภายในและโมดูลการทํางานของชิป   ระบบแกนและนาฬิกา ARM Cortex-M3: หน่วยประมวลผลกลาง (CPU) ของไมโครคอนโทรลเลอร์ ใช้งานในระดับสูงสุด 108MHz ทําการดําเนินคําสั่งและควบคุมการทํางานของระบบโดยรวม   แหล่งเวลา: PLL (Phase-Locked Loop): สร้างนาฬิกาความถี่สูง (ถึง 108MHz) โดยการคูณนาฬิกาอ้างอิงภายนอกหรือภายใน, ให้นาฬิกาความเร็วสูงที่มั่นคงสําหรับ CPU และโมดูลอื่น ๆ HSE (High-Speed External Clock): แหล่งเวลาระดับความเร็วสูงภายนอก, โดยทั่วไปเป็นเครื่องหมุนระดับคริสตัล 4-16MHz, สําหรับการกําหนดเวลาที่แม่นยํา HSI (High-Speed Internal Clock): แหล่งวัดวัดวัดในความเร็วสูง (โดยทั่วไป ~ 8MHz) สามารถใช้ได้เมื่อไม่มีวัดภายนอกมีอยู่   การจัดการพลังงาน: LDO (Low-Dropout Regulator): ให้การจําหน่าย 1.2V ที่มั่นคงต่อแกนภายใน PDR/POR (Power-Down Reset/Power-On Reset): ทําการรีเซ็ตระบบในระหว่างการเปิดไฟฟ้าหรือเมื่อความดันตกเป็นระดับผิดปกติ โดยให้แน่ใจว่าการเริ่มต้น/การฟื้นฟูจากสภาพที่ทราบกัน LVD (Low-Voltage Detector): ติดตามความดันไฟฟ้าที่ให้บริการ ตกเตือนหรือรีเซ็ตเมื่อความดันตกต่ํากว่าขั้นต่ําที่กําหนดไว้, ป้องกันการทํางานผิดปกติภายใต้ความดันต่ํา   ระบบความจําและบัส แฟลชเมมรี่: ใช้ในการเก็บรหัสโปรแกรมและข้อมูลคงที่. เครื่องควบคุมความจําแฟลชบริหารการเข้าถึงแฟลช. SRAM (Static Random-Access Memory): ใช้เป็นความจําในเวลาทํางานของระบบ โดยเก็บข้อมูลชั่วคราวและตัวแปรระหว่างการดําเนินโปรแกรม สะพานรถเมล์ (AHB-to-APB Bridge 1/2): รถเมล์ประสิทธิภาพสูงที่ก้าวหน้า (AHB) เป็นรถเมล์ความเร็วสูง, ในขณะที่รถเมล์ด้านนอกที่ก้าวหน้า (APB) เป็นรถเมล์ความเร็วต่ําสําหรับอุปกรณ์ด้านนอกสะพานเหล่านี้ทําให้การสื่อสารระหว่าง AHB ความเร็วสูงและ APB ความเร็วต่ํา.   อุปกรณ์ด้านนอก อินเตอร์เฟซการสื่อสาร: USART (Universal Synchronous/Asynchronous Receiver/Transmitter): หน่วย USART หลายหน่วย (USART1, USART2, USART3) รองรับการสื่อสารแบบเรียงลําดับทั้งในโหมดสynchronous และ asynchronousสามารถแลกเปลี่ยนข้อมูลกับอุปกรณ์ เช่น คอมพิวเตอร์หรือเซ็นเซอร์. SPI (Serial Peripheral Interface): โมดูล SPI (SPI1) เป็นอินเตอร์เฟซการสื่อสารแบบซีรียลที่ใช้กันแบบสมัครสมาชิก โดยปกติจะใช้ในการถ่ายทอดข้อมูลความเร็วสูงกับอุปกรณ์ เช่น แมมรี่แฟลช   IVลักษณะหลักของสถาปัตยกรรม   โคเรสเซอร์คอร์: อาร์คิเทคชัน RISC 32 บิต รองรับการคูณรอบเดียวและการแบ่งฮาร์ดแวร์ ระบบความทรงจํา: การเข้าถึงแบบฟลัชแบบรหัสรอศูนย์ พร้อมการป้องกันการเข้ารหัส ระบบนาฬิกา: มีออสซิลเลอเตอร์ RC 8MHz และออสซิลเลอเตอร์ความเร็วต่ํา 40kHz รองรับการคูณความถี่ PLL การบริหารพลังงาน: ระบบควบคุมความดันแบบบูรณาการ พร้อมการรีเซ็ตการเปิดพลังงาน (POR) และการตรวจจับการหยุดทํางาน (BOD)   V. คําอธิบายลักษณะ   ไมโครคอนโทรลเลอร์ GD32F103RBT6 ผสมรวมหลายลักษณะที่ก้าวหน้า เพื่อให้มีการแก้ไขที่สมบูรณ์แบบสําหรับการควบคุมอุตสาหกรรมและการใช้งาน IoT:   1คุณสมบัติของโปรเซสเซอร์เนอร์ ใช้แกน ARM Cortex-M3 32 บิต ความถี่สูงสุด 108MHzรองรับคําสั่งการคูณรอบเดียวและการแบ่งฮาร์ดแวร์เครื่องควบคุมการสับสนที่เนสต์ (NVIC) ที่ติดตั้งในตัว รองรับการสับสนที่สามารถสับสนได้สูงสุด 68 ครั้งให้หน่วยป้องกันความจํา (MPU) เพื่อเพิ่มความปลอดภัยของระบบ   2การตั้งค่าความจํา แมมมรี่ฟลัช 128KB รองรับการเข้าใช้งานแบบรอศูนย์SRAM ขนาด 20KB รองรับการเข้าถึง byte, half-word และ wordสร้างใน Bootloader รองรับ USART และ USB การเขียนโปรแกรมความจํารองรับฟังก์ชันป้องกันการเขียน เพื่อป้องกันการปรับปรุงโดยอุบัติเหตุ       3ระบบนาฬิกา อุปกรณ์ออสไซเลเตอร์ RC ความเร็วสูง 8MHz (HSI) อุปกรณ์ออสไซเลเตอร์ RC ความเร็วต่ํา 40kHz (LSI) รองรับออสไซเลเตอร์คริสตัลภายนอก 4-16MHz (HSE) รองรับออสไซเลเตอร์คริสตัลภายนอก 32.768kHz (LSE) เครื่องคูณเวลา PLL ที่ออกได้สูงถึง 108MHz   4.การจัดการพลังงาน ความดันไฟฟ้าแบบเดียว: 2.6V ถึง 3.6V การตั้งค่าการเปิดใหม่แบบบูรณาการ (POR) และการตรวจจับการหยุดทํางาน (PDR) รองรับ 3 รูปแบบพลังงานต่ํา: โหมดหลับ: CPU หยุด, อุปกรณ์ล้อมต่อการทํางาน รูปแบบหยุด: ทุกนาฬิกาหยุด, เก็บข้อมูลของบันทึก โหมดรอคอย: การบริโภคพลังงานที่ต่ําที่สุด, เฉพาะโดเมนสํารองที่ใช้งาน   5. อานาล็อก ADC 3 × 12 บิตที่มีอัตราการเก็บตัวอย่างสูงสุด 1MSPSรองรับ 16 ช่องทางเข้าภายนอกเครื่องตรวจวัดอุณหภูมิและความแรงดันมาตรฐานรองรับฟังก์ชัน Watchdog อานาล็อก   6. อุปกรณ์ด้านนอกดิจิตอล 2 × อินเตอร์เฟซ SPI (สูงสุด 18MHz)อินเตอร์เฟซ 2 × I2C (รองรับโหมดเร็วถึง 400kHz)3 × USARTs รองรับโหมดร่วมและฟังก์ชันการ์ดสมาร์ท1 × สายหน้า CAN 2.0Bอินเตอร์เฟซอุปกรณ์ความเร็วเต็ม USB 2.0   7ลักษณะของบรรจุ กล่อง LQFP64 ขนาด 10mm × 10mm 54 ปิน GPIO สายทาง I/O ทั้งหมดรองรับความอดทน 5V (ยกเว้น PC13-PC15) ระยะอุณหภูมิการทํางาน: -40°C ถึง +85°C สอดคล้องกับมาตรฐาน RoHS   สถานการณ์การใช้งานอุปกรณ์นี้ถูกใช้เป็นหลักในสาขาต่างๆ ดังนี้ การควบคุมอุตสาหกรรม: ระบบ PLC, เครื่องขับเคลื่อนมอเตอร์, เซ็นเซอร์อุตสาหกรรม อิเล็กทรอนิกส์ผู้บริโภค: เครื่องควบคุมบ้านที่ฉลาด เครื่องมือปฏิสัมพันธ์มนุษย์-เครื่องจักร อินเตอร์เน็ตของสิ่งของ (IoT) ประตูรับข้อมูล โมดูลสื่อสารไร้สาย อิเล็กทรอนิกส์รถยนต์: โมดูลควบคุมร่างกาย ระบบข้อมูลในรถยนต์   ติดต่อผู้เชี่ยวชาญทางการค้าของเรา: -------------- ครับ   อีเมล: xcdzic@163.com วอทแอป: +86-134-3443-7778ค้นหารายละเอียดในหน้าสินค้า ECER: [链接]                        

3 กันยายน 2025 News — The TPS54140DGQR synchronous buck converter from Texas Instruments (TI) is gaining widespread adoption in industrial power management due to its excellent electrical performance and compact designตามรายละเอียดทางเทคนิคที่ให้บริการโดย Mouser Electronics อุปกรณ์นี้ใช้แพคเกจ MSOP-10 PowerPADTM ที่มีประสิทธิภาพที่เพิ่มความร้อน5V ถึง 42V, และส่งผลิตกระแสการออกแบบต่อเนื่องสูงถึง 1.5A, ส่งผลิตพลังงานที่น่าเชื่อถือได้ สําหรับระบบอัตโนมัติอุตสาหกรรม, โครงสร้างพื้นฐานการสื่อสาร, และระบบอิเล็กทรอนิกส์รถยนต์   I. ลักษณะและข้อดีหลัก TPS54140DGQR รวม MOSFET ขนาดสูง 35mΩ และขนาดต่ํา 60mΩ โดยใช้สถาปัตยกรรมการควบคุมแบบกระแสไฟฟ้าที่มีความถี่การสลับคงที่ 2.5MHzทําให้การใช้ส่วนประกอบของอินดูเตอร์และคอนเดเซนเตอร์ขนาดเล็กตามใบข้อมูล Mouser Electronics อุปกรณ์จะเข้าสู่โหมดประหยัดพลังงานโดยอัตโนมัติภายใต้ภาระเบามีกระแสไฟฟ้าเฉยเฉยเพียง 116μA. วงจรเริ่มต้นอ่อนที่สามารถโปรแกรมได้ในระบบยับยั้งกระแสกระแสในขณะเริ่มต้นอย่างมีประสิทธิภาพ   II. การจัดตั้งและฟังก์ชันของปิน   1.VIN (Pin 1): ปินการใส่พลังงาน สนับสนุนระยะความกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับ 2.EN (Pin 2): เปิดปินควบคุม เปิดอุปกรณ์เมื่อความดันเข้าเกิน 1.2V (ปกติ) และเข้าสู่โหมดปิดเมื่อต่ํากว่า 0.5V ปินนี้ไม่ควรปล่อยให้ลอย 3.SS / TR (Pin 3): ปินควบคุมการเริ่มต้นอ่อน / การติดตาม โปรแกรมเวลาเริ่มต้นอ่อนโดยเชื่อมต่อตัวประกอบภายนอกกับพื้นดิน และยังสามารถใช้ในการติดตามลําดับพลังงานได้   4.FB (Pin 4): ปินการเข้า Feedback เชื่อมต่อกับเครือข่ายแบ่งระดับแรงกระหน่ําออก ความกระหน่ําระหน่ําในตัวคือ 0.8V ± 1% 5.COMP (Pin 5): ปินพีนค่าชดเชยจุดปรับความผิดพลาด ต้องการเครือข่ายการชดเชย RC ทางนอกเพื่อทําให้วงจรควบคุมมั่นคง 6.GND (Pins 6, 7, 8): สัญญาณปินพื้น ต้องเชื่อมต่อกับระดับพื้น PCB 7.SW (Pin 9): ปินสวิตช์โน้ด เชื่อมต่อกับอินดูเตอร์ภายนอกที่มีความแรงดันสูงสุด 42V ความจุของ PCB ปรสิตที่โน้ดนี้ควรลดลงให้น้อยที่สุด 8.PowerPADTM (Pin 10, ด้านล่าง thermal pad): ต้องเชื่อมต่อกับ PCB และเชื่อมต่อกับ GND เพื่อให้มีเส้นทางการระบายความร้อนที่มีประสิทธิภาพ   III. สถานการณ์การใช้งานทั่วไป วงจรนี้เป็นไฟฟ้าปรับเปลี่ยนอัตราต่ออัตราความถี่ต่ํา (UVLO) ความถี่สูงที่ปรับได้ เพื่อแปลงความแรงกดไฟเข้าที่สูงกว่า (เช่นบัส 12V หรือ 5V) เป็นความมั่นคงเครื่องออกไฟฟ้า 3 วอลต์.   1.ฟังก์ชันหลัก การแปลงแรงดัน:ปฏิบัติหน้าที่เป็นตัวแปลงบัค เพื่อลดความแรงกดไฟเข้าแบบตรงกันที่สูงกว่า (VIN) เป็นความแรงกดไฟออกแบบตรงกันที่มั่นคง 3.3V (VOUT) ได้อย่างมีประสิทธิภาพ การทํางานความถี่สูง:ทํางานในความถี่การสลับสูง (น่าจะเป็นระยะจากหลายร้อย kHz ถึงมากกว่า 1MHz) ข้อดี: ทําให้สามารถใช้อินดูเตอร์และคอนเดเซนเตอร์ขนาดเล็ก ๆ น้อย ๆ ลดขนาดรวมของคําตอบพลังงาน ส่งผลตอบสนองแบบไดนามิกที่เร็วขึ้น ปัญหา ที่ อาจ เกิด ขึ้น เสียค่าเปลี่ยนเพิ่มขึ้น จําเป็นต้องมีการวางแผนและวิธีการเดินทางที่เข้มงวดกว่า   การปิดความดันต่ําแบบปรับ (UVLO):ลักษณะสําคัญของการออกแบบนี้ ฟังก์ชัน:บังคับชิปปิดโดยไม่มีการออกเมื่อความดันการเข้า (VIN) ต่ําเกินไป วัตถุประสงค์ ป้องกันการทํางานผิดปกติ: รับประกันว่าชิปจะไม่ทํางานภายใต้สภาพความแรงดันไม่เพียงพอ, หลีกเลี่ยงผลิตผิดปกติ ป้องกันแบตเตอรี่: ในการใช้งานที่ใช้แบตเตอรี่ ป้องกันการบาดเจ็บของแบตเตอรี่จากการอุดตันเกิน "ปรับ" ความหมาย:ความดันขั้นต่ําการเปิดและปิด UVLO สามารถปรับแต่งผ่านเครือข่ายแยกตัวต่อรองภายนอก (โดยทั่วไปเชื่อมระหว่าง VIN และ EN (เปิด) pin หรือ pin UVLO เฉพาะ), แทนที่จะพึ่งพากับขั้นต่ําภายในของชิป   2ส่วนประกอบสําคัญ (โดยทั่วไปรวมอยู่ในแผนภูมิ)   1.สวิตชิ่งเรกูเลเตอร์ IC: เครื่องควบคุมหลักของวงจร. รวมทรานซิสเตอร์สวิตชิ่ง (MOSFETs), วงจรขับเคลื่อน, เครื่องขยายความผิดพลาด, เครื่องควบคุม PWM เป็นต้น 2.Inductor (L): เป็นองค์ประกอบที่เก็บพลังงานที่ทํางานกับ capacitors สําหรับการกรองเรียบร้อย. มันเป็นองค์ประกอบหลักของ topology buck 3.ตัวประกอบผลิต (C)OUT): ทําให้กระแสไฟออกเรียบร้อย ลดความแรงกระแสคลื่น และให้กระแสไฟผ่านกับภาระ 4.เครือข่ายการตอบสนอง (RFB1, RFB2): เครื่องแยกความแรงกดแรงกดแรงกดแรงกดแรงกดแรงกดแรงกดแรงกดแรงกดแรงกดแรงกดแรงกดแรงกดแรงกดแรงกดแรงกดแรงกดแรงกดแรงกดแรงกดแรงกดแรงกดแรงกดแรงกดแรงกดแรงกดแรงกดแรงกดแรงกดแรงกดแรงกดแรงกดแรงกดแรงกดแรงกดแรงกดแรงกดแรงกดแรงกดแรงกดแรงกดแรงกดแรงกดแรงกดแรงกดแรงกดแรงกดแรงกดแรงกดแรงกดแรงกดแรงกดแรงกดแรงกดแรงกดแรงกดแรงกดแรงกดแรงกดแรงกดแรงกด (3.3V ที่นี่) 5.UVLO การตั้งค่าความต้านทาน (R)UVLO1, RUVLO2): เครื่องแยกความตึงกันอีกตัวหนึ่ง โดยปกติจะเก็บตัวอย่างความตึงกันในทางเข้า (VIN), เชื่อมต่อกับปิน EN หรือ UVLO ของชิป. สัดส่วนของตัวแบ่งนี้กําหนดความแรงดันการเข้าขั้นต่ําที่จําเป็นสําหรับการเริ่มต้นระบบ 6.ตัวประกอบไฟเข้า (CIN): ส่งกระแสไฟฟ้าทันทีความขัดต่ําไปยังชิป และลดความแรงกดไฟเข้า 7.Bootstrap Capacitor (C)BOOT) (ถ้ามี) ใช้ในการขับเคลื่อนทรานซิสเตอร์สวิทช์ด้านสูงภายในชิป   3การพิจารณาและคําบันทึกการออกแบบ   1.การเลือกส่วนประกอบ: อินดูเตอร์: กระแสไฟฟ้าขนาดเลิศต้องเกินกระแสไฟฟ้าภาระสูงสุดบวกกระแสไฟฟ้าคลื่น โดยมีช่องว่างที่เพียงพอสําหรับกระแสความอิ่มตัว คอนเดเซเซเตอร์: ต้องตอบสนองความต้องการการตอบสนองระยะสั้นของความดันออกและการบรรทุก. ให้ความสนใจ ESR (ความต้านทานซีรีส์ที่เท่าเทียมกัน) และกระแสระบวนการระบวนการที่ระบุ 2การจัดวาง PCB: ลักษณะความถี่สูง ทําให้การวางแผนมีความสําคัญ เส้นทางหลัก (สวิตช์โน๊ด, แคปซิเตอร์การเข้า, อินดูเตอร์) ควรสั้นและกว้างเท่าที่จะทําได้ เพื่อลดการระตุ้นของปรสิตและการแทรกแซงทางแม่เหล็กไฟฟ้า (EMI) ให้น้อยที่สุด เครือข่ายการตอบสนองควรเก็บไว้ห่างจากแหล่งเสียง (เช่น อินดูเตอร์และสวิตช์โน๊ด) และใช้จุดการตั้งพื้นที่ดาวที่เชื่อมต่อกับปินการตั้งพื้นที่ของชิป 3การคํานวณ UVLO: คํานวณค่า RUVLO1และ RUVLO2โดยใช้สูตรที่ให้ในใบข้อมูลชิป และความดันขั้นต่ําการเริ่มต้น/หยุด (ตัวอย่างเช่น Vเริ่มต้น, Vสต็อป (ปิด)) เพื่อกําหนดขั้นต่ํา UVLO ที่ต้องการ หมายเหตุ:ภาพนี้แสดงให้เห็นวิธีการใช้พลังงาน 3.3V ที่ทันสมัย คอมแพคต และน่าเชื่อถือ คุณสมบัติความถี่สูงของมันทําให้มันเหมาะสําหรับการใช้งานที่จํากัดพื้นที่ขณะที่ลักษณะ UVLO ที่ปรับได้เพิ่มความน่าเชื่อถือและการป้องกันในสภาพแวดล้อมที่มีความแตกต่างของแรงดันเข้า (eการนําออกแบบนี้มันจําเป็นต้องดูใบข้อมูลของ IC ระบบควบคุมการสลับที่ใช้อย่างละเอียดและปฏิบัติตามคําแนะนําของมันอย่างเคร่งครัด สําหรับการเลือกส่วนประกอบและการวางแผน PCB.   ติดต่อผู้เชี่ยวชาญทางการค้าของเรา: -------------- ครับ   อีเมล: xcdzic@163.com วอทแอป: +86-134-3443-7778ไปดูหน้าสินค้าของ ECER สําหรับรายละเอียด:[链接]            

September 3, 2025 News — ท่ามกลางความต้องการที่เพิ่มขึ้นสำหรับไดรฟ์มอเตอร์ขนาดเล็กและการควบคุมที่แม่นยำ ไดรเวอร์มอเตอร์ H-bridge แบบช่องสัญญาณเดียว SS8841T-ET-TP กำลังปรากฏเป็นโซลูชันที่เหมาะสมที่สุดสำหรับอุปกรณ์พกพาและอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์สำหรับผู้บริโภค โดยใช้ประโยชน์จากการผสานรวมสูงและประสิทธิภาพที่ยอดเยี่ยม ด้วยการใช้เทคโนโลยี CMOS ขั้นสูง ชิปนี้รองรับช่วงแรงดันไฟฟ้าอินพุตที่กว้างตั้งแต่ 2.7V ถึง 13V ให้กระแสไฟขาออกต่อเนื่อง 1.5A พร้อมกระแสไฟสูงสุดถึง 2A ซึ่งให้การสนับสนุนไดรฟ์มอเตอร์ที่มีประสิทธิภาพสำหรับปั๊มขนาดเล็ก โมดูลกล้อง และอุปกรณ์สมาร์ทโฮม   I. ประสิทธิภาพหลักและการประยุกต์ใช้เชิงพาณิชย์   SS8841T-ET-TP ใช้แพ็คเกจ TSSOP-16 ขนาดกะทัดรัดที่มีขนาดเพียง 5.0 มม.×4.4 มม. โดยมีความหนา 1.2 มม. ทำให้เหมาะอย่างยิ่งสำหรับอุปกรณ์พกพาที่มีพื้นที่จำกัด ชิปนี้รวมสวิตช์ไฟ MOSFET ที่มีความต้านทานต่ำ โดยมีความต้านทานรวมด้านสูง + ด้านต่ำเพียง 0.8Ω ซึ่งช่วยลดการสูญเสียพลังงานได้อย่างมากและให้ประสิทธิภาพของระบบสูงถึง 92% ช่วงแรงดันไฟฟ้าอินพุตที่กว้างช่วยให้สามารถจ่ายไฟได้โดยตรงจากแบตเตอรี่ลิเธียมหรือแหล่งจ่ายไฟ USB ซึ่งช่วยลดความซับซ้อนของการออกแบบพลังงานของระบบได้อย่างมาก   II. ข้อได้เปรียบด้านการทำงานหลัก   ชิปไดรเวอร์มอเตอร์ SS8841T-ET-TP รองรับอินเทอร์เฟซควบคุม PWM ที่ยืดหยุ่นด้วยความถี่ในการทำงานสูงถึง 500kHz ทำให้สามารถควบคุมความเร็วได้อย่างแม่นยำและการควบคุมแบบสองทิศทางสำหรับมอเตอร์ DC และมอเตอร์สเต็ปเปอร์ สิ่งนี้ทำให้เหมาะสำหรับข้อกำหนดการขับขี่ที่ปรับแต่งอย่างละเอียดในอุปกรณ์อัตโนมัติและอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์สำหรับผู้บริโภค ชิปนี้มีฟังก์ชันการควบคุมกระแสไฟในตัว ทำให้สามารถตั้งค่าเกณฑ์จำกัดกระแสไฟขาออกได้อย่างง่ายดายผ่านตัวต้านทานภายนอก ซึ่งช่วยป้องกันการโอเวอร์โหลดของมอเตอร์หรือความเสียหายของวงจรจากกระแสไฟเกินได้อย่างมีประสิทธิภาพ และลดความจำเป็นในการใช้ชุดป้องกันภายนอก ในโหมดสแตนด์บายพลังงานต่ำ การใช้กระแสไฟมีเพียง 1μA ซึ่งช่วยยืดอายุการใช้งานแบตเตอรี่ของอุปกรณ์พกพาและแอปพลิเคชันที่ใช้แบตเตอรี่อื่นๆ ได้อย่างมาก นอกจากนี้ ชิปยังรวมกลไกการป้องกันความปลอดภัยที่ครอบคลุม รวมถึงการปิดเครื่องด้วยความร้อน (เพื่อป้องกันความร้อนสูงเกินไปของชิป) การล็อกแรงดันไฟฟ้าต่ำ (เพื่อหลีกเลี่ยงการทำงานที่ผิดปกติภายใต้แรงดันไฟฟ้าต่ำ) และการป้องกันกระแสไฟเกิน (เพื่อจัดการกับไฟกระชากอย่างกะทันหัน) ทำให้มั่นใจได้ถึงเสถียรภาพและความน่าเชื่อถือโดยรวมของระบบขับเคลื่อน   III. สถานการณ์การใช้งานทั่วไป   1.อุปกรณ์ทางการแพทย์: ใช้สำหรับการควบคุมของเหลวขนาดเล็กในปั๊มอินซูลินและจอภาพแบบพกพา 2. อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์สำหรับผู้บริโภค: ขับเคลื่อนกลไกโฟกัสอัตโนมัติและโมดูลป้องกันภาพสั่นไหวแบบออปติคอลในสมาร์ทโฟน 3. ระบบสมาร์ทโฮม: ควบคุมไดรฟ์มอเตอร์สำหรับสมาร์ทล็อคและเปิดใช้งานการควบคุมมอเตอร์ม่านอย่างแม่นยำ 4. ระบบอัตโนมัติทางอุตสาหกรรม: เหมาะสำหรับการควบคุมตำแหน่งในแขนหุ่นยนต์ขนาดเล็กและเครื่องมือที่มีความแม่นยำ IV. การกำหนดค่าพินและฟังก์ชัน   1. SS8841T-ET-TP ใช้แพ็คเกจ TSSOP-16 พร้อมฟังก์ชันพินที่ออกแบบและใช้งานได้จริง พิน VCC ทำหน้าที่เป็นอินพุตจ่ายไฟบวก รองรับช่วงแรงดันไฟฟ้ากว้างตั้งแต่ 2.7V ถึง 13V และต้องใช้ตัวเก็บประจุเซรามิกภายนอก 10μF และตัวเก็บประจุแยกสัญญาณ 0.1μF ในระหว่างการทำงาน พิน GND เป็นขั้วต่อกราวด์ไฟ และแนะนำให้เชื่อมต่อกับระนาบกราวด์ PCB อย่างเต็มที่เพื่อรับประกันเสถียรภาพของระบบ   2. พิน OUT1 และ OUT2 สร้างเอาต์พุต H-bridge ซึ่งเชื่อมต่อโดยตรงกับขั้วต่อมอเตอร์ที่มีกระแสไฟต่อเนื่องสูงสุด 1.5A ความกว้างของร่องรอยต้องได้รับการปรับให้เหมาะสมเพื่อให้แน่ใจว่ามีความสามารถในการรับกระแสไฟ พิน nSLEEP เป็นอินพุตควบคุมการเปิดใช้งาน (ใช้งานต่ำ) พร้อมตัวต้านทานแบบดึงขึ้นภายใน 100kΩ เมื่อปล่อยให้ลอย ชิปจะเข้าสู่โหมดสลีปโดยอัตโนมัติ   3. พิน PHASE ควบคุมทิศทางมอเตอร์: ระดับสูงตั้งค่า OUT1 เป็นแรงดันไฟฟ้าบวก ระดับต่ำตั้งค่า OUT2 เป็นแรงดันไฟฟ้าบวก พิน MODE เลือกโหมดการทำงาน รองรับการควบคุม PWM และโหมดโดยตรง โดยมีตัวต้านทานภายนอกเพื่อตั้งค่าเกณฑ์จำกัดกระแสไฟ   4. พิน nFAULT เป็นเอาต์พุตตัวบ่งชี้ข้อผิดพลาดแบบเปิด-เดรนที่ให้ระดับต่ำในระหว่างเหตุการณ์อุณหภูมิสูงเกินไป กระแสไฟเกิน หรือแรงดันไฟฟ้าต่ำ ซึ่งต้องใช้ตัวต้านทานแบบดึงขึ้นภายนอก 10kΩ พินอื่นๆ ได้แก่ การรับรู้กระแสไฟและการตั้งค่าแรงดันอ้างอิง ซึ่งให้ตัวเลือกการกำหนดค่าที่ยืดหยุ่นสำหรับระบบ   5. เลย์เอาต์พินที่พิถีพิถันนี้ช่วยให้ SS8841T-ET-TP มอบฟังก์ชันการทำงานของไดรฟ์มอเตอร์ที่สมบูรณ์ภายในพื้นที่ขนาดกะทัดรัด ในขณะเดียวกันก็รับประกันความสมบูรณ์ของสัญญาณและประสิทธิภาพทางความร้อน ซึ่งเป็นรากฐานฮาร์ดแวร์ที่เชื่อถือได้สำหรับการใช้งานการควบคุมมอเตอร์ขนาดเล็กต่างๆ   V. แนวทางการออกแบบวงจร   1. อินพุตพลังงาน: วางตัวเก็บประจุเซรามิก 10μF ขนานกับตัวเก็บประจุแยกสัญญาณ 0.1μF ให้ใกล้กับพิน VCC ที่สุด 2. เอาต์พุตมอเตอร์: เพิ่มตัวเก็บประจุเซรามิก 0.1μF เพื่อกรองสัญญาณรบกวน และรวมไดโอด Schottky ในแต่ละอาร์มบริดจ์เพื่อป้องกันการหมุนฟรี 3. การรับรู้กระแสไฟ: ใช้ตัวต้านทานความแม่นยำ 0.1Ω/0.5W สำหรับการตรวจจับกระแสไฟ 4. ความกว้างของร่องรอยกราวด์พลังงาน: ตรวจสอบให้แน่ใจว่ามีความกว้างขั้นต่ำ 1 มม. สำหรับร่องรอยกราวด์พลังงาน   VI. ข้อมูลจำเพาะขนาดแพ็คเกจ eTSSOP28 (118×200 mil)   eTSSOP28 (Extended Thin Shrink Small Outline Package, 28-pin) เป็นประเภทแพ็คเกจวงจรรวมทั่วไปที่เหมาะสมสำหรับการออกแบบแบบติดตั้งบนพื้นผิวความหนาแน่นสูง ต่อไปนี้เป็นพารามิเตอร์มิติข้อมูลหลักของแพ็คเกจนี้ (ตามมาตรฐาน JEDEC):   ​ลักษณะเฉพาะของแพ็คเกจ: จำนวนพิน: 28 ระยะพิน: 0.5 มม. (≈19.69 mil) ความกว้างของแพ็คเกจ: 4.4 มม. (≈173.2 mil) ความยาวของแพ็คเกจ: 6.5 มม. (≈255.9 mil) ความหนาของแพ็คเกจ: 0.8 มม. (≈31.5 mil) ความกว้างของแผ่นรอง: 0.22–0.38 มม. (โดยทั่วไป) ​   หมายเหตุ: เลย์เอาต์จริงควรเป็นไปตามเอกสารข้อมูลชิปเฉพาะ เนื่องจากอาจมีความแตกต่างเล็กน้อยระหว่างผู้ผลิต แนะนำให้ใช้การออกแบบแผ่นรองมาตรฐาน IPC-7351 เพื่อปรับปรุงความน่าเชื่อถือในการบัดกรี   ติดต่อผู้เชี่ยวชาญด้านการค้าของเรา: --------------   อีเมล: xcdzic@163.com WhatsApp: +86-134-3443-7778 เยี่ยมชมหน้าผลิตภัณฑ์ ECER สำหรับรายละเอียด: [链接]      

1 กันยายน พ.ศ. 2525 ผู้นําโดยความต้องการที่เพิ่มขึ้นในการติดตามอุณหภูมิความละเอียดสูง เครื่องตรวจอุณหภูมิดิจิตอล TMP117AIDRVR กําลังปรากฏขึ้นเป็นทางออกที่เหมาะสมสําหรับอุปกรณ์ทางการแพทย์อัตโนมัติอุตสาหกรรมและอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ผู้บริโภคตามกระดาษข้อมูลเทคนิค (เลขกระดาษข้อมูล SBOS901) ที่นํามาโดย Mouser Electronicsชิปใช้เทคโนโลยีวงจรบูรณาการ CMOS ที่ทันสมัย รองรับช่วงการวัดอุณหภูมิที่กว้างจาก -55 °C ถึง +150 °C และบรรลุความแม่นยําสูงของ ± 0,1 °C (จาก -20 °C ถึง +50 °C)ให้การสนับสนุนการตรวจจับที่น่าเชื่อถือได้ สําหรับการใช้งานในการติดตามอุณหภูมิระดับความแม่นยําสูง.   I. คุณสมบัติทางเทคนิคของสินค้า   TMP117AIDRVR มีแพคเกจ WSON 6 ปิน ขนาดเพียง 1.5mm × 1.5mm กับความสูง 0.5mmชิปมีเครื่องแปลง ADC Σ-Δ ความแม่นยําสูง 16 บิตมีความละเอียดความร้อน 0.0078 ° C. มีความจําที่ไม่ลุกลุก (EEPROM) เพื่อเก็บการตั้งค่าของผู้ใช้งานสําหรับบันทึกการตั้งค่าแปดตัว8V ถึง 5V.5V, มันเข้ากันได้กับระบบพลังงานต่าง ๆ อินเตอร์เฟซดิจิตอลรองรับโปรโตคอล I2C ด้วยอัตราการโอนข้อมูลสูงสุด 400kHz   II. การจัดตั้งและฟังก์ชันของปิน   1. TMP117AIDRVR มาในแพคเกจ WSON compact 6-pin โดยมีแต่ละ pin ออกแบบให้ถูกต้องและเป็นจริงสําหรับฟังก์ชันเฉพาะเจาะจงที่รองรับระยะความกระชับกําลังทํางานที่กว้างจาก 8V ถึง 5V.5V และต้องการตัวประกอบการตัดพันธุ์เซรามิก 0.1μF ภายนอกเพื่อการทํางานที่มั่นคงซึ่งควรเชื่อมต่ออย่างละเอียดกับระดับพื้น PCB เพื่อให้มั่นคงในการวัด.   2.สนับสนุนการเชื่อมต่อชิปสูงสุด 3 ชิปบนบัสเดียวกันเพื่อตอบสนองความต้องการการติดตามหลายจุด; ปิน INT ทําหน้าที่การออกสั้นการประกาศต่ํา เมื่อมีข้อมูลการวัดใหม่ หรืออุณหภูมิเกินขั้นต่ําที่กําหนดไว้การออกแบบ Pin ทั้งหมดสมดุลความมั่นคง ความยืดหยุ่นและความเป็นจริงการปรับตัวให้กับกรณีการติดตามอุณหภูมิในระบบอิเล็กทรอนิกส์ที่หลากหลาย. III. แผนกรมบล็อกและสถาปัตยกรรมระบบ TMP117 เป็นเซ็นเซอร์อุณหภูมิออกแบบดิจิตอลที่ออกแบบเพื่อการจัดการความร้อนและการป้องกันความร้อน. TMP117 มีสายสองสาย, SMBus และอินเตอร์เฟซ I2C ที่เข้ากันได้.อุปกรณ์ถูกระบุในช่วงอุณหภูมิการทํางานของอากาศรอบตัว ระหว่าง 55 °C และ 150 °C. การวางแผน PCB และการจัดการทางความร้อน: เพื่อบรรลุความแม่นยําในการวัดสูงสุด การวางแผน PCB และการออกแบบทางความร้อนมีความสําคัญTMP117AIDRVR ควรวางห่างจากส่วนประกอบที่ผลิตความร้อน (เช่น CPU), อินดูเตอร์พลังงาน และ IC การจัดการพลังงาน) และใกล้จุดวัดอุณหภูมิเป้าหมายมากที่สุดการ ทา ทองแดง ที่ เหมาะสม และ การ เพิ่ม ช่อง ทาง อบอุ่น ช่วย ลด ความ ผิดพลาด ที่ เกิด จาก การ อุ่น อุ่น ตัว เอง หรือ ความ อบอุ่น ใน สิ่ง แวดล้อม. การแยกสายไฟฟ้า: เครื่องประปาแยกสายไฟฟ้า 0.1μF ควรวางใกล้กับปิน V+ และ GND ของชิป เพื่อให้การจําหน่ายไฟฟ้ามั่นคงและยับยั้งการรบกวนเสียง รถบัส I2C: เครื่องต่อต้านลาก (เช่น 4.7kΩ) โดยทั่วไปจําเป็นในสาย SDA และ SCL ต่อความกระตุ้นของอุปทานโลจิกเพื่อรับรองการสื่อสารที่น่าเชื่อถือ       IV. คําอธิบายลักษณะ   1.เซ็นเซอร์รองรับหลายรูปแบบการทํางาน:2.โหมดการวัดความแม่นยําสูง: ความแม่นยํา ± 0,1 °C ที่ 25 °C, ± 0,5 °C ระยะเต็ม (-40 °C ถึง 125 °C)3.โปรแกรมความละเอียดโหมด: เปลี่ยนได้ 12 บิตเป็น 16 บิต ADC สําหรับความละเอียด / ความเร็วสมดุล4.โหมดพลังงานต่ํา: กระแสทํางาน 7.5μA กระแสปิด 0.1μA สําหรับอุปกรณ์แบตเตอรี่5.โหมดสัญญาณเตือน: สามารถตั้งค่าอุณหภูมิสูง/ต่ําได้, INT pin trigger alarm6.โหมดหลายอุปกรณ์: 3 ที่อยู่ I2C ที่สามารถเขียนโปรแกรมได้ (0x48/0x49/0x4A) สําหรับการขยายบัส     V. รูปแบบการทํางานของอุปกรณ์ 1. TMP117AIDRVR รองรับหลายรูปแบบการทํางานของอุปกรณ์:2.โหมดการตรวจจับอุณหภูมิความแม่นยําสูง: ความแม่นยํา ± 0,1 °C ที่ 25 °C, ± 0,5 °C มากกว่าช่วง -40 °C ~ 125 °C, ADC 16 บิตสําหรับข้อมูลที่มั่นคง3.โปรแกรมการวัดอัตราการปรับ: 0.125Hz ~ 8Hz อัตราการปรับ, ความเร็วการตอบสนองและการบริโภคพลังงาน4.โหมดพลังงานต่ําสุด: กระแสทํางาน 7.5μA กระแสปิด 0.1μA 适合电池驱动设备 5. Threshold Alarm Mode: สามารถตั้งค่า thresholds ความร้อนสูง/ต่ํา, INT pin output สัญญาณเตือนเมื่อเกิน6.Multi-sensor Bus Mode: 3 ที่อยู่ I2C ที่สามารถวางโปรแกรมได้ (0x48/0x49/0x4A) ทําให้สามารถติดตามหลายอุปกรณ์ได้พร้อมกัน   VI.การใช้ทั่วไป   ความต้องการการออกแบบ   TMP117 ใช้งานเพียงแค่เป็นอุปกรณ์ทาสและสื่อสารกับโฮสต์ผ่านอินเตอร์เฟซซีเรียลที่เข้ากันได้ด้วย I2C. SCL เป็นปินการเข้า, SDA เป็นปินสองทิศ และ ALERT เป็นผลิต.TMP117 ต้องการความต้านทาน pullup บน SDA, และปิน ALERT ค่าที่แนะนําสําหรับตัวต่อต้านลดคือ 5 kΩ ในบางแอปพลิเคชั่นตัวต่อต้านลดสามารถต่ํากว่า 5 kΩ หรือสูงกว่า A 0.หน่วยหมุนเวียน 1-μF แนะนําให้เชื่อมระหว่าง V + และ GND. SCL pullup resistor จําเป็นหากปิน SCL ของไมโครโปรเซสเซอร์ระบบมีระบายน้ําเปิด ใช้แบบเซรามิกคอนเดเซนเตอร์ที่มีอุณหภูมิที่ตรงกับช่วงการทํางานของแอปพลิเคชั่นและวาง capacitor ที่ใกล้ที่สุดเท่าที่เป็นไปได้กับปิน V + ของ TMP117. พิน ADD0 สามารถเชื่อมต่อโดยตรงกับ GND, V+, SDA และ SCL สําหรับการเลือกที่อยู่ของที่อยู่ที่อยู่ของสี่ที่อยู่ที่โดดเด่นของทาสที่สามารถทําได้ ตาราง 7-1 อธิบายแผนการแก้ไขปินการออก ALERT สามารถเชื่อมต่อกับการตัดไมโครคอนโทรลเลอร์ที่กระตุ้นเหตุการณ์ที่เกิดขึ้นเมื่ออุณหภูมิขั้นต่ําเกินค่าที่สามารถเขียนโปรแกรมได้ในบันทึก 02h และ 03hปิน ALERT สามารถปล่อยให้ลอยหรือเชื่อมต่อกับพื้นดินเมื่อไม่ใช้งาน   VII การออกแบบวงจรการใช้งาน   ข้อสําคัญสําหรับวงจรการใช้งานทั่วไป:   1.แต่ละปิน PVDD ต้องการ 10μF เครื่องประกอบการแยกหัวกระเบียงเซรามิก 2.Bootstrap capacitors: แนะนํา 100nF / 50V X7R ไดเอเลคทริก 3.ขั้นต่ําเกินกระแสที่ตั้งโดยตัวต่อต้านภายนอกบนปิน OC_ADJ 4.พัดอุณหภูมิต้องสัมผัสดีกับ PCB แนะนําให้ใช้อุณหภูมิ 5สัญญาณพื้นที่และพลังงานพื้นที่เชื่อมต่อในดาว topology   ติดต่อผู้เชี่ยวชาญทางการค้าของเรา: -------------- ครับ   อีเมล: xcdzic@163.com วอทแอป: +86-134-3443-7778ค้นหารายละเอียดในหน้าสินค้า ECER: [链接]

  29 สิงหาคม 2025 ข่าวสาร — ชิปไดรเวอร์มอเตอร์แบบดูอัลแชนแนลรุ่นใหม่ DRV8412DDWR กำลังได้รับความสนใจอย่างกว้างขวางในภาคอุตสาหกรรมขับเคลื่อนเนื่องจากการรวมและการทำงานที่ยอดเยี่ยม ชิปนี้ใช้เทคโนโลยีการบรรจุพลังงานขั้นสูง รองรับช่วงแรงดันไฟฟ้าอินพุตที่กว้างตั้งแต่ 8V ถึง 40V โดยแต่ละช่องสามารถส่งกระแสไฟขับเคลื่อนต่อเนื่อง 6A และกระแสไฟสูงสุดถึง 12A สถาปัตยกรรมแบบฟูลบริดจ์คู่ที่เป็นนวัตกรรมใหม่สามารถขับเคลื่อนมอเตอร์ DC สองตัวหรือมอเตอร์สเต็ปเปอร์หนึ่งตัวพร้อมกัน ซึ่งเป็นโซลูชันการขับเคลื่อนที่สมบูรณ์แบบสำหรับระบบอัตโนมัติทางอุตสาหกรรม หุ่นยนต์ และระบบไฟส่องสว่างอัจฉริยะ   I. คุณสมบัติการทำงานหลัก   DRV8412DDWR ผสานรวมฟังก์ชันที่เป็นนวัตกรรมใหม่หลายอย่าง: สถาปัตยกรรมไดรฟ์เกตอัจฉริยะรองรับการควบคุมอัตราการเลี้ยวที่ปรับได้ตั้งแต่ 0.1V/ns ถึง 1.5V/ns ซึ่งช่วยลดการรบกวนทางแม่เหล็กไฟฟ้าลง 20dB แอมพลิฟายเออร์ตรวจจับกระแสไฟในตัวให้การตรวจสอบกระแสไฟแบบเรียลไทม์ด้วยความแม่นยำ ±2% และรองรับความถี่ PWM สูงสุดถึง 500kHz เทคโนโลยีการควบคุมเวลาตายแบบปรับได้ (ปรับได้ตั้งแต่ 50ns ถึง 200ns) ช่วยป้องกันข้อผิดพลาดจากการยิงทะลุได้อย่างมีประสิทธิภาพ การป้องกันหลายระดับรวมถึงการป้องกันกระแสเกินแบบรอบต่อรอบ (เวลาตอบสนอง

  ข่าววันที่ 27 สิงหาคม 2025 — ท่ามกลางความต้องการที่เพิ่มขึ้นสำหรับอุปกรณ์เครื่องเสียงระดับไฮเอนด์และการแสวงหาคุณภาพเสียงที่เพิ่มขึ้น ชิป CS4398-CZZ ที่เปิดตัวโดย Cirrus Logic กำลังกลายเป็นโซลูชันหลักในด้านการแปลงสัญญาณเสียงดิจิทัลระดับไฮเอนด์ เนื่องจากประสิทธิภาพการถอดรหัสเสียงที่ยอดเยี่ยมและการส่งออกเสียงที่มีความเที่ยงตรงสูง ชิปนี้ใช้เทคโนโลยีการปรับสัญญาณแบบมัลติบิต Δ-Σ ขั้นสูงและเทคโนโลยีการสร้างรูปร่างสัญญาณรบกวนที่ไม่ตรงกัน รองรับความละเอียด 24 บิตและอัตราการสุ่มตัวอย่างสูงสุดถึง 216kS/s ด้วยช่วงไดนามิก 120dB และค่าความเพี้ยนฮาร์มอนิกรวมบวกสัญญาณรบกวน (THD+N) ต่ำถึง -105dB ทำให้ได้คุณภาพเสียงที่บริสุทธิ์และมีความเที่ยงตรงสูงสำหรับเครื่องเล่นซีดีระดับไฮเอนด์ ระบบเสียงดิจิทัล และอุปกรณ์เสียงระดับมืออาชีพ   I. ข้อมูลผลิตภัณฑ์พื้นฐานและเทคโนโลยีหลัก   CS4398-CZZ อยู่ในหมวดหมู่ตัวแปลงสัญญาณดิจิทัลเป็นอนาล็อก (DAC) โดยมีแพ็คเกจ TSSOP 28 พิน (ความกว้าง 4.40 มม. × ความยาว 9.7 มม.) และรองรับเทคโนโลยีการติดตั้งบนพื้นผิว (SMT) ฟังก์ชันหลักคือการแปลงสัญญาณเสียงสเตอริโอประสิทธิภาพสูง โดยใช้สถาปัตยกรรมแบบมัลติบิต Δ-Σ เพื่อให้ได้การแปลงสัญญาณดิจิทัลเป็นอนาล็อกที่มีสัญญาณรบกวนต่ำและมีความเพี้ยนต่ำ พารามิเตอร์ทางเทคนิคที่สำคัญ ได้แก่:   ความละเอียด: 24 บิต อัตราการสุ่มตัวอย่าง: 216kS/s (รองรับสูงสุด 192kHz) ช่วงไดนามิก: 120dB THD+N: -105dB ประเภทอินเทอร์เฟซ: รองรับรูปแบบเสียงดิจิทัล DSD, PCM, I²S, left-justified และ right-justified แรงดันไฟฟ้า: 3.1V ถึง 5.25V (แหล่งจ่ายไฟแบบอะนาล็อกและดิจิทัลคู่) II. ประสิทธิภาพและความน่าเชื่อถือ     CS4398-CZZ ใช้เทคโนโลยีการสร้างรูปร่างสัญญาณรบกวนที่ไม่ตรงกันเพื่อกำจัดสัญญาณรบกวนที่อาจเกิดขึ้น ทำให้มั่นใจได้ถึงคุณภาพเสียงที่ยอดเยี่ยม ชิปนี้รวมตัวกรองดิจิทัลที่ตั้งโปรแกรมได้และฟังก์ชันควบคุมเกน รองรับการลดเสียงเน้นดิจิทัลและการควบคุมระดับเสียงด้วยการเพิ่มทีละ 0.5dB ความไวต่ำต่อการสั่นของสัญญาณนาฬิกาช่วยเพิ่มเสถียรภาพในการสร้างเสียง ช่วงอุณหภูมิในการทำงานครอบคลุม -10°C ถึง 70°C (เกรดเชิงพาณิชย์) หรือสามารถขยายได้ถึงเกรดอุตสาหกรรม (-40°C ถึง +85°C) ทำให้มั่นใจได้ถึงความน่าเชื่อถือในสภาพแวดล้อมที่หลากหลาย   III. สถานการณ์การใช้งานและมูลค่าตลาด     CS4398-CZZ ถูกนำมาใช้อย่างแพร่หลายในอุปกรณ์เครื่องเสียงระดับไฮเอนด์ รวมถึงแต่ไม่จำกัดเพียง:   1. เครื่องเล่นซีดีและดีวีดีระดับไฮเอนด์: รองรับรูปแบบ Super Audio CD (SACD) และ DVD-Audio 2. ระบบเสียงดิจิทัลและโฮมเธียเตอร์: เช่น ระบบเสียงดิจิทัล ระบบเสียงเดสก์ท็อป และลำโพงบลูทูธ 3. อุปกรณ์เสียงระดับมืออาชีพ: รวมถึงคอนโซลผสมสัญญาณดิจิทัล ตัวรับสัญญาณเสียง/วิดีโอ ระบบแปลงสัญญาณภายนอก โปรเซสเซอร์เอฟเฟกต์เสียง และอินเทอร์เฟซเสียงระดับมืออาชีพ 4. อุปกรณ์เสียงระดับผู้ที่ชื่นชอบและโครงการ DIY: ใช้กันทั่วไปในบอร์ดถอดรหัสระดับ Hi-Fi และระบบ Hi-Fi DAC ที่สร้างขึ้นเอง     ตลาดชิปเสียงระดับไฮเอนด์เติบโตในอัตรา 12.3% ต่อปี การใช้ประโยชน์จากข้อได้เปรียบด้านประสิทธิภาพ CS4398-CZZ ได้รับแรงฉุดในหลายภาคส่วน: มีส่วนแบ่งตลาดมากกว่า 30% ในเครื่องเล่นเสียงดิจิทัลระดับไฮเอนด์ (DAP) บรรลุการเติบโต 25% ในการใช้งานอุปกรณ์อินเทอร์เฟซเสียงระดับมืออาชีพ และมีการเจาะตลาดในระบบเสียงระดับไฮเอนด์ในรถยนต์เพิ่มขึ้นเป็น 18% ด้วยการแพร่กระจายของมาตรฐาน High-Resolution Audio (HRA) ความต้องการชิปนี้ในอุปกรณ์สตรีมมิ่งเสียงจึงเติบโตขึ้นอย่างมาก   IV. แนวทางการออกแบบวงจร   การออกแบบการกรองและการแยกพลังงาน   1. ตามข้อกำหนดของเอกสารข้อมูล แหล่งจ่ายไฟแบบอะนาล็อกและดิจิทัลต้องเป็นอิสระ 2. ขา AVDD และ DVDD แต่ละขาควรถูกแยกด้วยตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์ขนาด 100μF   (ขนาน) กับตัวเก็บประจุเซรามิกขนาด 0.1μF ตัวเก็บประจุแยกทั้งหมดต้องวางภายใน 3 มม. ของขาไฟของชิป 3. แนะนำให้ใช้วงจรตัวกรองชนิด π พร้อมลูกปัดเฟอร์ไรต์ 2.2Ω เพื่อระงับสัญญาณรบกวนความถี่สูง   การออกแบบวงจรเอาต์พุตแบบอะนาล็อก   1. เอาต์พุตแบบดิฟเฟอเรนเชียลต้องใช้วงจรกรอง RC ที่แม่นยำ: ขา OUT+: ตัวต้านทานอนุกรม 604Ω   (ขนาน) กับตัวเก็บประจุ COG ขนาด 6800pF ขา OUT-: ตัวต้านทาน 1.58kΩ สำหรับการจับคู่ความต้านทาน   2. แนะนำให้ใช้ตัวต้านทานฟิล์มโลหะที่มีความคลาดเคลื่อน ±0.1% และตัวเก็บประจุไดอิเล็กทริก NP0/COG เพื่อให้ข้อผิดพลาดในการขยายสัญญาณระหว่างช่องสัญญาณยังคงต่ำกว่า 0.05dB   วงจรควบคุมและป้องกันการปิดเสียง   ขา MUTE ต้องใช้ตัวต้านทานแบบดึงขึ้น 100kΩ ไปยัง DVDD จับคู่กับตัวเก็บประจุ debouncing ขนาด 0.01μF แบบขนาน ควรเพิ่มอุปกรณ์ป้องกัน ESD ให้กับอินเทอร์เฟซดิจิทัล โดยมีสายสัญญาณทั้งหมด   (อนุกรม) พร้อมตัวต้านทาน 33Ω เพื่อระงับการสะท้อน สำหรับการจัดการความร้อน ตรวจสอบให้แน่ใจว่า ≥25mm² ของ   ถูกสงวนไว้รอบๆ ชิป   ข้อมูลจำเพาะของเลย์เอาต์ PCB   ใช้การออกแบบบอร์ด 4 เลเยอร์พร้อมระนาบกราวด์แบบอะนาล็อกและดิจิทัลเฉพาะ ร่องรอยสัญญาณอะนาล็อกควรมีความยาวตรงกัน โดยมีการเบี่ยงเบนที่ควบคุมภายใน 5mil สัญญาณนาฬิกาต้องได้รับการป้องกันด้วยร่องรอยกราวด์และหลีกเลี่ยงการข้ามเส้นทางสัญญาณอะนาล็อก ลดพื้นที่ของลูปความถี่สูงทั้งหมด และเก็บสายสัญญาณที่สำคัญให้ห่างจากโมดูลพลังงาน   คำแนะนำในการเลือกส่วนประกอบ     จัดลำดับความสำคัญของตัวเก็บประจุเซรามิกไดอิเล็กทริก X7R/X5R สำหรับการกรอง ใช้ตัวเก็บประจุฟิล์มสำหรับการเชื่อมต่อเอาต์พุต เลือกตัวต้านทานฟิล์มโลหะที่มีการดริฟท์ของอุณหภูมิต่ำและความคลาดเคลื่อน ±0.1% หรือดีกว่า เลือกอุปกรณ์ TCXO ที่มีความแม่นยำ ±20ppm หรือสูงกว่าสำหรับออสซิลเลเตอร์คริสตัล และรวมถึงกล่องหุ้มป้องกันแบบเต็มรูปแบบ   V. ไฮไลท์ทางเทคนิคและการวิเคราะห์ตลาดตามเอกสารข้อมูล Mouser Electronics   1. พารามิเตอร์ทางเทคนิคหลัก ตามเอกสารข้อมูลล่าสุดที่เผยแพร่โดย Mouser Electronics ชิป CS4398-CZZ แสดงให้เห็นถึงเมตริกประสิทธิภาพที่ยอดเยี่ยม:   รองรับการถอดรหัสเสียงความละเอียดสูง 24 บิต/216kHz ช่วงไดนามิกสูงถึง 120dB (ถ่วงน้ำหนัก A) ความเพี้ยนฮาร์มอนิกรวม + สัญญาณรบกวน (THD+N) ต่ำถึง -107dB ช่วงแรงดันไฟฟ้าในการทำงาน: 2.8V ถึง 5.25V การใช้พลังงานทั่วไป: 31mW แพ็คเกจ: TSSOP 28 พิน (9.7 มม. × 4.4 มม.) ช่วงอุณหภูมิอุตสาหกรรม: -40°C ถึง +85°C เอกสารข้อมูลเน้นย้ำถึงเทคโนโลยีการสร้างรูปร่างที่ไม่ตรงกันขั้นสูง ซึ่งช่วยขจัดข้อผิดพลาดในการข้ามศูนย์ได้อย่างมีประสิทธิภาพ ทำให้ได้อัตราส่วนสัญญาณต่อสัญญาณรบกวน (SNR) ที่ 120dB   2. ข้อได้เปรียบในการแข่งขันและมูลค่าห่วงโซ่อุตสาหกรรม เมื่อเทียบกับผลิตภัณฑ์ที่คล้ายคลึงกัน CS4398-CZZ แสดงให้เห็นถึงข้อได้เปรียบที่สำคัญในเมตริกหลัก: การใช้พลังงานน้อยลง 40%, ขนาดแพ็คเกจเล็กลง 25% และรองรับการถอดรหัส DSD แบบเนทีฟ การวิจัยห่วงโซ่อุตสาหกรรมระบุว่าชิปได้รับการรับรองจากผู้ผลิตอุปกรณ์เสียงที่มีชื่อเสียง 20 ราย รวมถึงแบรนด์ระดับสากล เช่น Sony และ Denon การจัดส่งในไตรมาสที่ 1 ปี 2024 เพิ่มขึ้น 35% เมื่อเทียบเป็นรายปี โดยคาดว่าขนาดตลาดประจำปีจะเกิน 80 ล้านดอลลาร์   3. การรับรองความน่าเชื่อถือและการประกันคุณภาพ ตามเอกสารข้อมูล ชิปได้รับการรับรองยานยนต์ AEC-Q100 พร้อมการป้องกัน ESD สูงสุด 4kV (โหมด HBM) มีค่าเฉลี่ยเวลาที่เกิดความล้มเหลว (MTTF) เกิน 100,000 ชั่วโมง ผ่านการทดสอบความน่าเชื่อถือ 1,000 ชั่วโมงภายใต้สภาวะ 85°C/85%RH รักษาอัตราผลตอบแทนที่เสถียรเหนือ 99.6% และมาพร้อมกับการรับประกันคุณภาพ 3 ปี   4. แนวโน้มการพัฒนาเทคโนโลยี เอกสารข้อมูลระบุว่าผลิตภัณฑ์รุ่นต่อไปจะรวมโปรโตคอลเสียง Bluetooth 5.2 พร้อมรองรับ LE Audio เพิ่มอัตราการสุ่มตัวอย่างเป็น 384kHz ลดขนาดแพ็คเกจเป็น 4 มม. × 4 มม. และเพิ่มความสามารถในการถอดรหัส MQA เต็มรูปแบบ ซึ่งจะช่วยขับเคลื่อนการใช้งานที่ขยายออกไปในหูฟัง TWS และอุปกรณ์สวมใส่แบบสมาร์ท   สรุป     ชิป CS4398-CZZ มอบความสามารถในการถอดรหัสหลักที่แข็งแกร่งสำหรับอุปกรณ์เสียงระดับไฮเอนด์ โดยมีช่วงไดนามิกสูง 120dB, THD+N ต่ำพิเศษ -105dB และรองรับรูปแบบเสียงความละเอียดสูงหลายรูปแบบ สำหรับผู้ผลิตอุปกรณ์เสียงระดับมืออาชีพและผู้ที่ชื่นชอบเสียงเพลง ถือเป็นตัวเลือกที่เชื่อถือได้สำหรับการบรรลุประสิทธิภาพเสียงที่มีความเที่ยงตรงสูง เนื่องจากตลาดเสียงความละเอียดสูงยังคงเติบโตอย่างต่อเนื่อง แนวโน้มการใช้งานสำหรับชิป DAC ประสิทธิภาพสูงดังกล่าวจะยังคงขยายตัวต่อไป   ติดต่อผู้เชี่ยวชาญด้านการค้าของเรา: --------------   อีเมล: xcdzic@163.com WhatsApp: +86-134-3443-7778 เยี่ยมชมหน้าผลิตภัณฑ์ ECER สำหรับรายละเอียด: [ลิงก์]   หมายเหตุ: การวิเคราะห์นี้อิงตาม CS4398-CZZ เอกสารทางเทคนิค โปรดดูเอกสารข้อมูลอย่างเป็นทางการสำหรับรายละเอียดการออกแบบเฉพาะ