FF200R12KT3HOSA1
Περιγραφή:
Μονάδα IGBT 1200V 1050W
Κατηγορία:
Ενότητες IGBT
-απόθεμα:
Σε απόθεμα
Μέθοδος πληρωμής:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union,
Μέθοδος αποστολής:
LCL, AIR, FCL, Express
Προδιαγραφές
Κατηγορία:
Διακριτά προϊόντα ημιαγωγών
Τρανζίστορες
Ειδικές συσκευές IGBT
Μονούλες IGBT
Current - Collector Cutoff (MAX):
5 Μα
Κατάσταση προϊόντος:
Όχι για νέα σχέδια
Τύπος τοποθέτησης:
Στήριγμα πλαισίου
Πακέτο:
δίσκος
Σειρά:
ντο
VCE (on) (max) @ vge, ic:
2.15V @ 15V, 200A
Τάση - Καταστροφή εκπομπού συλλέκτη (μέγιστο):
1200 V
Πακέτο συσκευών προμηθευτή:
Μονάδα μέτρησης
MFR:
Τεχνολογίες Infineon
Θερμοκρασία λειτουργίας:
-40 ° C ~ 125 ° C
Ισχύς - Max:
1050 W
Τύπος IGBT:
Στάση πεδίου τάφρου
Πακέτο / θήκη:
Μονάδα μέτρησης
Εισαγωγή:
Πρότυπο
Χωρητικότητα εισόδου (CIES) @ VCE:
14 nF @ 25 V
Διαμόρφωση:
2 ανεξάρτητο
Θερμίστορ NTC:
ΟΧΙ
Αριθμός προϊόντος βάσης:
FF200R12
Εισαγωγή
IGBT Module Trench Field Stop 2 Independent 1200 V 1050 W Chassis Mount Module
Στείλετε το RFQ
Αποθέματα:
In Stock
MOQ: