Nuovo prodotto importato IRFP260N TO-247 MOS FET con alta potenza di 200V/50A
Descrizione:
Nuovo prodotto importato IRFP260N TO-247 MOS FET con alta potenza di 200V/50A
Categoria:
MOS Transistor
Prezzo:
CN¥0.1431/pieces
Specificità
Temperatura di funzionamento:
-55°C ~ 175°C
Serie:
HEXFET
Descrizione:
Transistor
Tipo:
MOSFET
D/C:
23+
Tipo di pacchetto:
In tutto il foro
Applicazione:
Oggetto generale, tutti i tipi di prodotti elettronici
Tipo di fornitore:
Produttore originale, ODM, Agenzia, Rivenditore
Riferimenti incrociati:
-
Media disponibili:
foglio dati, foto
Corrente - Collettore (Ic) (Max):
200 V
Voltaggio - ripartizione dell'emittente del collettore (max):
200 V
Vce saturazione (max) @ Ib, Ic:
Norme
Corrente - limite del collettore (massimo):
50A
Cfr. la tabella di cui al punto 6.2.:
Norme
Potenza - Max:
Norme
Frequenza - Transizione:
Norme
Tipo di montaggio:
Through Hole, through-hole
Confezione / Cassa:
TO-247
Resistenza - Base (R1):
Norme
Resistenza - Base dell'emittente (R2):
Norme
Tipo di FET:
Norme
Caratteristica del FET:
Norme
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):
200 V
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C:
Norme
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
Norme
Vgs(th) (Max) @ Id:
Norme
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs:
Norme
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
Norme
Frequenza:
Norme
Corrente nominale (ampere):
50A
Figura del rumore:
Norme
Potenza - Output:
Norme
Voltaggio nominale:
200 V
Tensione di controllo (Max Rds On, Min Rds On):
Norme
Vgs (Max):
Norme
Tipo IGBT:
MOSFET
Configurazione:
Norme
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
Norme
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce:
Norme
Input:
Norme
Termistor NTC:
Norme
Tensione - ripartizione (V (BR) GSS):
Norme
Corrente - scolo (Idss) @ Vds (Vgs=0):
Norme
Scolo corrente (identificazione) - massima:
Norme
Tensione - identificazione di taglio (VGS fuori) @:
Norme
Resistenza - RDS (sopra):
Norme
Voltaggio - uscita:
Norme
Tensione - contrappeso (VT):
Norme
Corrente - portone a perdita dell'anodo (Igao):
Norme
Corrente - valle (iv):
Norme
Corrente - picco:
50A
Tipo di transistor:
Transistor del MOSFET
Numero della parte:
IRFP260N
Qualità:
Di alta qualità
tempo di consegna:
1-3 giorni
Pagamento:
Paypal\TT\Western Union\Assicurazione commerciale
Spedizione da::
DHL\UPS\Fedex\EMS\HK Post\Più
fornitore:
originario
MOQ:
10 PCS
Detalis:
Si prega di contattarci
Originale da:
Marca originale
Evidenziare:
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,transistor mos originale
Introduzione
Descrizione del prodotto
Tipo di prodotto: | Transistor ad effetto campo MOS ad alta potenza |
Numero di modello: | IRFP260N |
Serie: | HEXFET |
Venditore: | INFINEON |
Imballaggio: | TO-247 |
Installare lo stile: | perforazione |
Nuovo e originale |
IRFP260NTO-247 Transistor ad effetto campo MOS ad alta potenzaè uno dei nostri chip IC più venduti
Persona di contatto: | Signor Guo. | ||
Telefono: | +86 13434437778 | ||
Email: | XCDZIC@163.COM | ||
Wechat: | 0086 13434437778 | ||
Imballaggio e consegna
Quantità (piezze) | 1-100 | 100-1000 | 1000-10000 |
Tempo di consegna (giorni) | 3-5 | 5-8 | Da negoziare |
Profilo aziendale
Domande frequenti
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Stoccaggio:
MOQ: