Τελευταία εισαγόμενη γνήσια IRFP260N TO-247 MOS FET με υψηλή ισχύ 200V/50A
Περιγραφή:
Τελευταία εισαγόμενη γνήσια IRFP260N TO-247 MOS FET με υψηλή ισχύ 200V/50A
Κατηγορία:
Κρυσταλλολυχνία MOS
Τιμή:
CN¥0.1431/pieces
Προδιαγραφές
Θερμοκρασία λειτουργίας:
-55°C ~ 175°C
Σειρά:
HEXFET
Περιγραφή:
Κρυσταλλολυχνία
Τύπος:
MOSFET
Δ/Κ:
23+
Τύπος συσκευασίας:
Σε όλη την τρύπα
Εφαρμογή:
Γενικός σκοπός, Όλα τα είδη ηλεκτρονικών προϊόντων
Τύπος προμηθευτή:
Αρχικός κατασκευαστής, ODM, Οργανισμός, Λιανικός πωλητής
Διασταυρούμενες αναφορές:
-
Διαθέσιμα μέσα:
φύλλο δεδομένων, φωτογραφία
Τρόπος - Συλλέκτης (Ic) (μέγιστο):
200V
Η τάση - διάσπαση του συλλέκτη εκπομπής (μέγιστη):
200V
Vce κορεσμός (Max) @ Ib, Ic:
Τύπος
Τρέχων - Περιορισμός συλλέκτη (μέγιστο):
50Α
Διορθωτικό μέτρο για την παρακολούθηση των διακυμάνσεων:
Τύπος
Δύναμη - Max:
Τύπος
Συχνότητα - Μεταβατική περίοδος:
Τύπος
Τύπος στερέωσης:
Μέσα από τρύπα, μέσα από τρύπα
Πακέτο / Κουτί:
ΤΟ-247
Αντίσταση - Βάση (R1):
Τύπος
Αντίσταση - βάση εκδότη (R2):
Τύπος
Τύπος FET:
Τύπος
Χαρακτηριστικό γνώρισμα FET:
Τύπος
Τεχνική μέθοδος:
200V
ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25°C:
Τύπος
Επικεφαλής (Max) @ Id, Vgs:
Τύπος
Vgs(th) (Max) @ Id:
Τύπος
Τεχνική διάταξη:
Τύπος
Δυνατότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds:
Τύπος
Συχνότητα:
Τύπος
Διορισμός ρεύματος (άμπερες):
50Α
Αριθμός θορύβου:
Τύπος
Δύναμη - Απόδοση:
Τύπος
Τεχνική διάταξη:
200V
Τάση κίνησης (ανώτατο RDS επάνω, λ. RDS επάνω):
Τύπος
Vgs (μέγιστο):
Τύπος
Τύπος IGBT:
MOSFET
Διαμόρφωση:
Τύπος
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
Τύπος
Δυνατότητα εισόδου (Cies) @ Vce:
Τύπος
Εισαγωγή:
Τύπος
Θερμοστήρας NTC:
Τύπος
Τάση - διακοπή (Β (BR) GSS):
Τύπος
Τρέχων - αγωγός (Idss) @ Vds (Vgs=0):
Τύπος
Τρέχων αγωγός (ταυτότητα) - Max:
Τύπος
Τάση - ταυτότητα διακοπών (VGS μακριά) @:
Τύπος
Αντίσταση - RDS (επάνω):
Τύπος
Τεχνολογία:
Τύπος
Τάση - που αντισταθμίζεται (VT):
Τύπος
Τρέχων - πύλη στη διαρροή ανόδων (Igao):
Τύπος
Τρέχων - κοιλάδα (iv):
Τύπος
Τρέχων - αιχμή:
50Α
Τύπος τρανζίστορα:
MOSFET κρυσταλλολυχνία
Αριθμός τμήματος:
IRFP260N
Ποιότητα:
Υψηλής Ποιότητας
χρόνος προετοιμασίας:
1-3 ημέρες
Πληρωμή:
PayPal\TT\Western Union\Ασφάλιση Εμπορίου
Μεταφορά από::
DHL\UPS\Fedex\EMS\HK Post\Περισσότερα
προμηθευτής:
πρωτότυπο
MOQ:
10 PCS
Detalis:
Παρακαλώ επικοινωνήστε μαζί μας.
Αρχικός από:
Αρχικό εμπορικό σήμα
Επισημαίνω:
νέο τρανζίστορ mos
,Νέος τρανζίστορ mos fet
,πρωτότυπο τρανζίστορ mos
Εισαγωγή
Περιγραφή Προϊόντος
Τύπος προϊόντος: | MOS field effect transistor υψηλής ισχύος |
Αριθμός μοντέλου: | IRFP260N |
Σειρά: | HEXFET |
Προμηθευτής: | INFINEON |
Συσκευασία: | TO-247 |
Στυλ εγκατάστασης: | Διάτρηση |
Νέο και αυθεντικό |
IRFP260NTO-247 MOS field effect transistor υψηλής ισχύοςείναι ένα από τα IC chips με τις καλύτερες πωλήσεις μας
Υπεύθυνος επικοινωνίας: | κ. Guo | ||
Τηλ: | +86 13434437778 | ||
Email: | XCDZIC@163.COM | ||
Wechat: | 0086 13434437778 | ||
Συσκευασία & Παράδοση
Ποσότητα (τεμάχια) | 1-100 | 100-1000 | 1000-10000 |
Χρόνος παράδοσης (ημέρες) | 3-5 | 5-8 | Προς διαπραγμάτευση |
Εταιρικό Προφίλ
Συχνές ερωτήσεις
Στείλετε το RFQ
Αποθέματα:
MOQ: