Τελευταία εισαγόμενη γνήσια IRFP260N TO-247 MOS FET με υψηλή ισχύ 200V/50A
Περιγραφή:
Τελευταία εισαγόμενη γνήσια IRFP260N TO-247 MOS FET με υψηλή ισχύ 200V/50A
Κατηγορία:
Κρυσταλλολυχνία MOS
Τιμή:
CN¥0.1431/pieces
Μέθοδος πληρωμής:
Λ/Κ, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Προδιαγραφές
Θερμοκρασία Λειτουργίας:
-55°C ~ 175°C
Σειρά:
HEXFET
Περιγραφή:
Κρυσταλλολυχνία
Τύπος:
MOSFET
Δ/Κ:
Πάνω από 23
Τύπος Πακέτου:
Σε όλη την τρύπα
Εφαρμογή:
Γενικός σκοπός, Όλα τα είδη ηλεκτρονικών προϊόντων
Τύπος προμηθευτή:
Αρχικός κατασκευαστής, ODM, Οργανισμός, Λιανικός πωλητής
Διασταυρούμενες αναφορές:
-
Διαθέσιμα μέσα:
φύλλο δεδομένων, φωτογραφία
Τρόπος - Συλλέκτης (Ic) (μέγιστο):
200V
Η τάση - διάσπαση του συλλέκτη εκπομπής (μέγιστη):
200V
Vce κορεσμός (Max) @ Ib, Ic:
κανονική
Τρέχων - Περιορισμός συλλέκτη (μέγιστο):
50Α
Διορθωτικό μέτρο για την παρακολούθηση των διακυμάνσεων:
κανονική
Δύναμη - Max:
κανονική
Συχνότητα - Μεταβατική περίοδος:
κανονική
Τύπος στερέωσης:
Μέσα από τρύπα, μέσα από τρύπα
Πακέτο / Κουτί:
ΤΟ-247
Αντίσταση - Βάση (R1):
κανονική
Αντίσταση - βάση εκδότη (R2):
κανονική
Τύπος FET:
κανονική
Χαρακτηριστικό γνώρισμα FET:
κανονική
Τεχνική μέθοδος:
200V
ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25°C:
κανονική
Επικεφαλής (Max) @ Id, Vgs:
κανονική
Vgs(th) (Max) @ Id:
κανονική
Δυνατότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds:
κανονική
Συχνότητα:
κανονική
Διορισμός ρεύματος (άμπερες):
50Α
Αριθμός θορύβου:
κανονική
Δύναμη - Απόδοση:
κανονική
Τεχνική διάταξη:
200V
Τάση Οδήγησης (Μέγιστο Rds On, Ελάχιστο Rds On):
κανονική
Vgs (μέγιστο):
κανονική
Τύπος IGBT:
MOSFET
Διαμόρφωση:
κανονική
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
κανονική
Είσοδος:
κανονική
Τρέχων - κοιλάδα (iv):
κανονική
Τρέχουσα - Μέγιστη:
50Α
Τύπος Τρανζίστορ:
MOSFET κρυσταλλολυχνία
Αριθμός τμήματος:
IRFP260N
Ποιότητα:
Υψηλής Ποιότητας
Χρονοδιάγραμμα:
1-3 ημέρες
Πληρωμή:
PayPal\TT\Western Union\Ασφάλιση Εμπορίου
Αποστολή με:
DHL\UPS\Fedex\EMS\HK Post\Περισσότερα
Προμηθευτής:
Πρωτότυπο
MOQ:
10 ΤΕΜ
Detalis:
Παρακαλώ επικοινωνήστε μαζί μας.
Αρχικό από:
Αρχική Μάρκα
Επισημαίνω:
νέο τρανζίστορ mos
,Νέος τρανζίστορ mos fet
,πρωτότυπο τρανζίστορ mos
Εισαγωγή
Περιγραφή Προϊόντος
Τύπος προϊόντος: | MOS field effect transistor υψηλής ισχύος |
Αριθμός μοντέλου: | IRFP260N |
Σειρά: | HEXFET |
Προμηθευτής: | INFINEON |
Συσκευασία: | TO-247 |
Στυλ εγκατάστασης: | Διάτρηση |
Νέο και αυθεντικό |
IRFP260NTO-247 MOS field effect transistor υψηλής ισχύοςείναι ένα από τα IC chips με τις καλύτερες πωλήσεις μας
Υπεύθυνος επικοινωνίας: | κ. Guo | ||
Τηλ: | +86 13434437778 | ||
Email: | XCDZIC@163.COM | ||
Wechat: | 0086 13434437778 | ||
Συσκευασία & Παράδοση
Ποσότητα (τεμάχια) | 1-100 | 100-1000 | 1000-10000 |
Χρόνος παράδοσης (ημέρες) | 3-5 | 5-8 | Προς διαπραγμάτευση |
Εταιρικό Προφίλ
Συχνές ερωτήσεις
Στείλετε το RFQ
Αποθέματα:
MOQ:
1000