A1P50S65M2-F
仕様
カテゴリ:
離散半導体製品
トランジスタ
IGBT
IGBT モジュール
現在 - コレクター(IC)(最大):
50 a
製品ステータス:
アクティブ
取り付けタイプ:
シャーシマウント
パッケージ:
トレイ
シリーズ:
-
パッケージ /ケース:
モジュール
vce(on)(max) @ vge、ic:
2.3V @ 15V、50A
電圧 - コレクターエミッタの分解(最大):
650 V
サプライヤーデバイスパッケージ:
ACEPACKTM 1
MFR:
STMマイクロ電子機器
動作温度:
-40°C〜150°C(TJ)
現在 - コレクターカットオフ(最大):
100 µA
IGBTタイプ:
トレンチフィールドストップ
パワー - マックス:
208W
入力:
標準
入力容量(CIES) @ VCE:
4.15 nF @ 25V
構成:
3相インバーター
NTCサーミスタ:
はい
基本製品番号:
A1P50
紹介
IGBTモジュール トレンチフィールドストップ 三相インバーター 650 V 50 A 208 W シャーシマウント ACEPACKTM 1
RFQを送りなさい
ストック:
In Stock
MOQ: