A1P50S65M2-F
รายละเอียด
หมวดหมู่:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด):
50 A
สถานะผลิตภัณฑ์:
คล่องแคล่ว
ประเภทการติดตั้ง:
ติดแชสซี
บรรจุุภัณฑ์:
صينية
ชุด:
-
แพ็คเกจ / เคส:
โมดูล
Vce(เปิด) (สูงสุด) @ Vge, Ic:
2.3V @ 15V, 50A
แรงดัน - การแยกอิมิตเตอร์ของตัวสะสม (สูงสุด):
650 โวลต์
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์:
เอซแพ็ค™ 1
MFR:
STMicroelectronics เครื่องอิเล็กทรอนิกส์
อุณหภูมิการทำงาน:
-40°C ~ 150°C (TJ)
ปัจจุบัน - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด):
100 µa
ประเภท IGBT:
สนามเพลาะหยุด
พลัง - สูงสุด:
208 วัตต์
ป้อนข้อมูล:
มาตรฐาน
ความจุอินพุต (Cies) @ Vce:
4.15nF @ 25 โวลต์
การกำหนดค่า:
อินเวอร์เตอร์สามเฟส
กทช เทอร์มิสเตอร์:
ใช่
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน:
A1P50
คําแนะนํา
โมดูล IGBT กรุงสนามหยุดสามเฟส Inverter 650 V 50 A 208 W ชาซี Mount ACEPACK TM 1
ส่ง RFQ
สต็อค:
In Stock
MOQ: