NXH100B120H3Q0SG
仕様
カテゴリ:
離散半導体製品
トランジスタ
IGBT
IGBT モジュール
現在 - コレクター(IC)(最大):
61A
製品ステータス:
アクティブ
取り付けタイプ:
シャーシマウント
パッケージ:
トレイ
シリーズ:
-
パッケージ /ケース:
モジュール
vce(on)(max) @ vge、ic:
2.3V @ 15V、50A
電圧 - コレクターエミッタの分解(最大):
1200 v
サプライヤーデバイスパッケージ:
22-PIM/Q0BOOST (55×32.5)
MFR:
onsemi
動作温度:
-40°C〜150°C(TJ)
現在 - コレクターカットオフ(最大):
200μA
IGBTタイプ:
トレンチフィールドストップ
パワー - マックス:
186 W
入力:
標準
入力容量(CIES) @ VCE:
9.075 nF @ 20V
構成:
2独立
NTCサーミスタ:
いいえ
紹介
IGBTモジュール トレンチフィールドストップ 2 独立 1200 V 61 A 186 W シャーシマウント 22-PIM/Q0BOOST (55x32.5)
RFQを送りなさい
ストック:
In Stock
MOQ: