NXH100B120H3Q0SG
คําอธิบาย:
พิม 60-80KW Q0BOOST-L57 1200V, 1
ประเภท:
โมดูล IGBT
มีสินค้า:
ในสต็อก
วิธีการจ่ายเงิน:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union,
วิธีการขนส่ง:
LCL, AIR, FCL, Express
รายละเอียด
หมวดหมู่:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด):
61 อ
สถานะผลิตภัณฑ์:
คล่องแคล่ว
ประเภทการติดตั้ง:
ติดแชสซี
บรรจุุภัณฑ์:
صينية
ชุด:
-
แพ็คเกจ / เคส:
โมดูล
Vce(เปิด) (สูงสุด) @ Vge, Ic:
2.3V @ 15V, 50A
แรงดัน - การแยกอิมิตเตอร์ของตัวสะสม (สูงสุด):
1200 โวลต์
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์:
22-PIM/Q0BOOST (55x32.5)
MFR:
ออนเซมิ
อุณหภูมิการทำงาน:
-40°C ~ 150°C (TJ)
ปัจจุบัน - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด):
200 µA
ประเภท IGBT:
สนามเพลาะหยุด
พลัง - สูงสุด:
186 ว
ป้อนข้อมูล:
มาตรฐาน
ความจุอินพุต (Cies) @ Vce:
9.075nF @ 20 โวลต์
การกำหนดค่า:
2 อิสระ
กทช เทอร์มิสเตอร์:
เลขที่
คําแนะนํา
IGBT โมดูล กรัง สต็อปสนาม 2 อินเดpendent 1200 V 61 A 186 W แชสซี่ Mount 22-PIM/Q0BOOST (55x32.5)
ส่ง RFQ
สต็อค:
In Stock
MOQ: