logo
خونه > محصولات > مدار مجتمع > BSS138LT1G SOT-23-3 تراشه با کیفیت بالا مدار مجتمع قطعه الکترونیکی MOS ترانزیستور اثر میدان

BSS138LT1G SOT-23-3 تراشه با کیفیت بالا مدار مجتمع قطعه الکترونیکی MOS ترانزیستور اثر میدان

توضیحات:
BSS138LT1G SOT-23-3 تراشه با کیفیت بالا مدار مجتمع قطعه الکترونیکی MOS ترانزیستور اثر میدان
دسته بندی:
مدار مجتمع
قیمت:
CN¥1.44/pieces
مشخصات
درخواست:
مصرف صنعتی
نوع تکمیل محصول:
استاندارد
سری:
BSS138L
ویژگی ها:
استاندارد
نوع نصب:
نوع نصب سطحی
توضیحات:
لوله مجهز به میدان
کد تاریخ ساخت:
23+
کاربرد کاربردی:
استاندارد
ولتاژ خروجی:
استاندارد
نوع خروجی:
استاندارد
تضمین:
90 روز
شرایط:
برند نیواند اورجینال
کیفیت:
کیفیت بالا
برند:
برند اورجینال
بسته بندی:
بسته بندی جدید*اصل
زمان پیشرو:
۱ تا ۳ روز کاری
پرداخت:
Paypal\TT\Western Union\Trade Assurance
حمل و نقل:
پست DHL\UPS\Fedex\EMS\HK
نام محصول:
قطعات الکترونیک مدار مجتمع اصلی
شماره بخش:
ICchip
برجسته کردن:

مدار یکپارچه استاندارد,تراشه مدیریت برق استاندارد,مدار یکپارچه نصب سطح

,

standard power management chip

,

surface mount integrated circuit

مقدمه
توضیحات محصول
نوع محصول:
لوله اثر میدان ماس
شماره مدل:
BSS138LT1G 
سری:
BSS138L
فروشنده:
Onsemi
بسته بندی:
SOT-23-3
نصب سبک:
نوع نصب سطحی
جدید و اصلی
BSS138LT1G SOT-23-3 لوله اثر میدان ماس یکی از پرفروش ترین تراشه های IC ما است
شخص تماس:
آقای گو
تلفن:
+86 13434437778
ایمیل:
XCDZIC@163.COM
ویچت:
0086 13434437778
بسته بندی و تحویل
تعداد (قطعات)
1-100
100-1000
1000-10000
زمان تحویل (روز)
3-5
5-8
باید مذاکره شود
BSS138LT1G SOT-23-3 تراشه با کیفیت بالا مدار مجتمع قطعه الکترونیکی MOS ترانزیستور اثر میدان
BSS138LT1G SOT-23-3 تراشه با کیفیت بالا مدار مجتمع قطعه الکترونیکی MOS ترانزیستور اثر میدان
BSS138LT1G SOT-23-3 تراشه با کیفیت بالا مدار مجتمع قطعه الکترونیکی MOS ترانزیستور اثر میدان
BSS138LT1G SOT-23-3 تراشه با کیفیت بالا مدار مجتمع قطعه الکترونیکی MOS ترانزیستور اثر میدان
مشخصات شرکت
BSS138LT1G SOT-23-3 تراشه با کیفیت بالا مدار مجتمع قطعه الکترونیکی MOS ترانزیستور اثر میدان
BSS138LT1G SOT-23-3 تراشه با کیفیت بالا مدار مجتمع قطعه الکترونیکی MOS ترانزیستور اثر میدان
BSS138LT1G SOT-23-3 تراشه با کیفیت بالا مدار مجتمع قطعه الکترونیکی MOS ترانزیستور اثر میدان
BSS138LT1G SOT-23-3 تراشه با کیفیت بالا مدار مجتمع قطعه الکترونیکی MOS ترانزیستور اثر میدان
BSS138LT1G SOT-23-3 تراشه با کیفیت بالا مدار مجتمع قطعه الکترونیکی MOS ترانزیستور اثر میدان
BSS138LT1G SOT-23-3 تراشه با کیفیت بالا مدار مجتمع قطعه الکترونیکی MOS ترانزیستور اثر میدان
BSS138LT1G SOT-23-3 تراشه با کیفیت بالا مدار مجتمع قطعه الکترونیکی MOS ترانزیستور اثر میدان
BSS138LT1G SOT-23-3 تراشه با کیفیت بالا مدار مجتمع قطعه الکترونیکی MOS ترانزیستور اثر میدان
BSS138LT1G SOT-23-3 تراشه با کیفیت بالا مدار مجتمع قطعه الکترونیکی MOS ترانزیستور اثر میدان
BSS138LT1G SOT-23-3 تراشه با کیفیت بالا مدار مجتمع قطعه الکترونیکی MOS ترانزیستور اثر میدان
BSS138LT1G SOT-23-3 تراشه با کیفیت بالا مدار مجتمع قطعه الکترونیکی MOS ترانزیستور اثر میدان
سوالات متداول
BSS138LT1G SOT-23-3 تراشه با کیفیت بالا مدار مجتمع قطعه الکترونیکی MOS ترانزیستور اثر میدان
ارسال RFQ
ذخایر:
مقدار تولیدی: