logo
Дом > продукты > интегральная схемаа > BSS138LT1G SOT-23-3 Высококачественный микросхема интегральной схемы электронный компонент MOS Транзистор с эффектом поля

BSS138LT1G SOT-23-3 Высококачественный микросхема интегральной схемы электронный компонент MOS Транзистор с эффектом поля

Описание:
BSS138LT1G SOT-23-3 Высококачественный микросхема интегральной схемы электронный компонент MOS Транз
Категория:
интегральная схемаа
Цена:
CN¥1.44/pieces
Спецификации
Применение:
Промышленное потребление
Тип завершения продукции:
Стандартный
Серия:
BSS138L
Особенности:
Стандартный
Тип установки:
Поверхностный тип держателя
Описание:
Трубка с эффектом поля MOS
Код даты производства:
23+
Функциональное применение:
Стандартный
Выходное напряжение:
Стандартный
Тип выхода:
Стандартный
Гарантия:
90 дней
Состояние:
Совершенно новый и оригинальный
Качество:
Высокое качество
Бренд:
Первоначальный бренд
Упаковка:
Упаковка New*original
Время выполнения:
1-3 рабочих дня
Оплата:
Paypal\TT\Western Union\Обеспечение торговли
Перевозка:
DHL\UPS\Fedex\EMS\HK Почта
Наименование продукта:
Оригинальные электронные компоненты интегральных схем
Номер детали:
ICchip
Выделить:

стандартная интегральная схема

,

стандартный чип управления питанием

,

поверхностная интегральная схемаа держателя

Введение
Описание продукта
Тип продукта:
MOS полевой транзистор
Номер модели:
BSS138LT1G 
Серия:
BSS138L
Поставщик:
Onsemi
Упаковка:
SOT-23-3
Стиль установки:
Поверхностный монтаж
Новый и оригинальный
BSS138LT1G SOT-23-3 MOS полевой транзистор является одним из наших самых продаваемых микросхем
Контактное лицо:
Г-н Го
Тел:
+86 13434437778
Электронная почта:
XCDZIC@163.COM
Wechat:
0086 13434437778
Упаковка и доставка
Количество (штук)
1-100
100-1000
1000-10000
Время выполнения (дней)
3-5
5-8
По договоренности
BSS138LT1G SOT-23-3 Высококачественный микросхема интегральной схемы электронный компонент MOS Транзистор с эффектом поля
BSS138LT1G SOT-23-3 Высококачественный микросхема интегральной схемы электронный компонент MOS Транзистор с эффектом поля
BSS138LT1G SOT-23-3 Высококачественный микросхема интегральной схемы электронный компонент MOS Транзистор с эффектом поля
BSS138LT1G SOT-23-3 Высококачественный микросхема интегральной схемы электронный компонент MOS Транзистор с эффектом поля
Профиль компании
BSS138LT1G SOT-23-3 Высококачественный микросхема интегральной схемы электронный компонент MOS Транзистор с эффектом поля
BSS138LT1G SOT-23-3 Высококачественный микросхема интегральной схемы электронный компонент MOS Транзистор с эффектом поля
BSS138LT1G SOT-23-3 Высококачественный микросхема интегральной схемы электронный компонент MOS Транзистор с эффектом поля
BSS138LT1G SOT-23-3 Высококачественный микросхема интегральной схемы электронный компонент MOS Транзистор с эффектом поля
BSS138LT1G SOT-23-3 Высококачественный микросхема интегральной схемы электронный компонент MOS Транзистор с эффектом поля
BSS138LT1G SOT-23-3 Высококачественный микросхема интегральной схемы электронный компонент MOS Транзистор с эффектом поля
BSS138LT1G SOT-23-3 Высококачественный микросхема интегральной схемы электронный компонент MOS Транзистор с эффектом поля
BSS138LT1G SOT-23-3 Высококачественный микросхема интегральной схемы электронный компонент MOS Транзистор с эффектом поля
BSS138LT1G SOT-23-3 Высококачественный микросхема интегральной схемы электронный компонент MOS Транзистор с эффектом поля
BSS138LT1G SOT-23-3 Высококачественный микросхема интегральной схемы электронный компонент MOS Транзистор с эффектом поля
BSS138LT1G SOT-23-3 Высококачественный микросхема интегральной схемы электронный компонент MOS Транзистор с эффектом поля
Часто задаваемые вопросы
BSS138LT1G SOT-23-3 Высококачественный микросхема интегральной схемы электронный компонент MOS Транзистор с эффектом поля
Отправьте RFQ
Запасы:
МОК: