logo
Дом > продукты > интегральная схемаа > BSS138LT1G SOT-23-3 Высококачественный микросхема интегральной схемы электронный компонент MOS Транзистор с эффектом поля

BSS138LT1G SOT-23-3 Высококачественный микросхема интегральной схемы электронный компонент MOS Транзистор с эффектом поля

Описание:
BSS138LT1G SOT-23-3 Высококачественный микросхема интегральной схемы электронный компонент MOS Транз
Категория:
интегральная схемаа
Цена:
¥1.44/pieces
Способ оплаты:
L/C,D/A,D/P,T/T,Western Union,MoneyGram
bss138lt1-d.pdf
Спецификации
Features:
standard
Application:
Industrial consumption
Product Completion Type:
standard
Series:
BSS138L
Mounting Type:
Surface mount type
Description:
MOS field-effect tube
Manufacturing Date Code:
23+
Functional Application:
standard
Output Voltage:
standard
Output Type:
Standard
Warranty:
90 Days
Condition:
Brand Newand Original
Quality:
High-quality
Brand:
Orignal Brand
Packing:
New*original Packing
Lead time:
1-3 Working Days
Payment:
Paypal\TT\Western Union\Trade Assurance
Shipping by:
DHL\UPS\Fedex\EMS\HK Post
Product Name:
Original Integrated Circuit Electronics Components
Part number:
IC chip
Выделить:

стандартная интегральная схема

,

стандартный чип управления питанием

,

поверхностная интегральная схемаа держателя

Введение

Описание продукта
Тип продукта:
MOS-транзистор
Номер модели:
BSS138LT1G 
Серия:
BSS138L
Поставщик:
Onsemi
Упаковка:
SOT-23-3
Стиль установки:
Поверхностный монтаж

Новый и оригинальный
BSS138LT1G SOT-23-3 MOS-транзистор - один из наших самых продаваемых микросхем
Контактное лицо:
Г-н Го

Тел.:
+86 13434437778

Электронная почта:
XCDZIC@163.COM

Wechat:
0086 13434437778

Упаковка и доставка
Количество (штук)
1-100
100-1000
1000-10000
Время выполнения (дней)
3-5
5-8
По договоренности
BSS138LT1G SOT-23-3 Высококачественный микросхема интегральной схемы электронный компонент MOS Транзистор с эффектом поляBSS138LT1G SOT-23-3 Высококачественный микросхема интегральной схемы электронный компонент MOS Транзистор с эффектом поляBSS138LT1G SOT-23-3 Высококачественный микросхема интегральной схемы электронный компонент MOS Транзистор с эффектом поляBSS138LT1G SOT-23-3 Высококачественный микросхема интегральной схемы электронный компонент MOS Транзистор с эффектом поля
Профиль компании
BSS138LT1G SOT-23-3 Высококачественный микросхема интегральной схемы электронный компонент MOS Транзистор с эффектом поля
BSS138LT1G SOT-23-3 Высококачественный микросхема интегральной схемы электронный компонент MOS Транзистор с эффектом поля
BSS138LT1G SOT-23-3 Высококачественный микросхема интегральной схемы электронный компонент MOS Транзистор с эффектом поля
BSS138LT1G SOT-23-3 Высококачественный микросхема интегральной схемы электронный компонент MOS Транзистор с эффектом поля
BSS138LT1G SOT-23-3 Высококачественный микросхема интегральной схемы электронный компонент MOS Транзистор с эффектом поля
BSS138LT1G SOT-23-3 Высококачественный микросхема интегральной схемы электронный компонент MOS Транзистор с эффектом поля
BSS138LT1G SOT-23-3 Высококачественный микросхема интегральной схемы электронный компонент MOS Транзистор с эффектом поля
BSS138LT1G SOT-23-3 Высококачественный микросхема интегральной схемы электронный компонент MOS Транзистор с эффектом поля
BSS138LT1G SOT-23-3 Высококачественный микросхема интегральной схемы электронный компонент MOS Транзистор с эффектом поля
BSS138LT1G SOT-23-3 Высококачественный микросхема интегральной схемы электронный компонент MOS Транзистор с эффектом поля
BSS138LT1G SOT-23-3 Высококачественный микросхема интегральной схемы электронный компонент MOS Транзистор с эффектом поля
FAQ
BSS138LT1G SOT-23-3 Высококачественный микросхема интегральной схемы электронный компонент MOS Транзистор с эффектом поля
Отправьте RFQ
Запасы:
МОК:
1000pieces