Filtros
Categoria
Filtros
Keywords [ field effect transistor ] Match 19 produtos.
| Imagem | parte # | Descrição | fabricante | Resíduos | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
NCEP15T14LL TOLL N Canal MOSFET Transistor 150V 170A Transistor de Efeito de Campo |
NCEP15T14LL TOLL transistor de efeito de campo MOSFET de potência 150V 170A de canal n
|
|
|
|
|
|
|
NTTFS4C10NTAG WDFN-8 Transistor de Efeito de Campo 30V 8.2A Impressão de Ecrã N-Channel 4C10 |
NTTFS4C10NTAG WDFN-8 efeito de campo MOSFET 30V 8.2A N-canal impressão de tela 4C10
|
|
|
|
|
|
|
IRF8714TRPBF SOP-8 N Canal MOS Efeito de Campo Transistor IC Componentes Eletrônicos |
IRF8714TRPBF SOP-8 N Canal MOS Efeito de Campo Transistor IC Componentes Eletrônicos Completamente N
|
|
|
|
|
|
|
NCE2030K TO-252 20V 30A N Channel MOS Chip Transistor de Efeito de Campo |
NCE2030K TO-252 20V 30A chip de transistor de efeito de campo MOS de canal N
|
|
|
|
|
|
|
Transistor de efeito de campo MOS semicondutor N-canal 40V90A de IPD036N04L SOT-252 SMPS MOSFET de comutação rápida |
Transistor de efeito de campo MOS semicondutor N-canal 40V90A de IPD036N04L SOT-252 SMPS MOSFET de c
|
|
|
|
|
|
|
Transistor de efeito de campo MOS semicondutor N-canal 40V90A de IPD036N04L SOT-252 SMPS MOSFET de comutação rápida |
Transistor de efeito de campo MOS semicondutor N-canal 40V90A de IPD036N04L SOT-252 SMPS MOSFET de c
|
|
|
|
|
|
|
IRF7905TRPBF SOIC-8 Transistor Circuito Integrado Monolítico IC MOS Efeito de Campo Transistor N-canal |
IRF7905TRPBF SOIC-8 Transistor Circuito Integrado Monolítico IC MOS Efeito de Campo Transistor N-can
|
|
|
|
|
|
|
BSS138LT1G SOT-23-3 Chip de alta qualidade Circuito Integrado Componente Eletrônico MOS Transistor de Efeito de Campo |
BSS138LT1G SOT-23-3 Chip de alta qualidade Circuito Integrado Componente Eletrônico MOS Transistor d
|
|
|
|
|
|
|
AP3010 SOP-8 Transistor MOS FET Impresso em Tela Resiste a Tensão de 30V 10A |
AP3010 SOP-8 3010 MOS FET de canal N impressos em tela com resistência a tensão de 30V 10A
|
|
|
|
|
|
|
Novo Transistor Original de N-canal de superfície montado SOT-23 AO3400A MOS FET 2.5A |
Novo Transistor Original de N-canal de superfície montado SOT-23 AO3400A MOS FET 2.5A
|
|
|
|
|
|
|
MOSFET original Inverter MOS Power Transistor HY3912W TO-247 190A 125V MOSFET melhorado de canal N |
MOSFET original Inverter MOS Power Transistor HY3912W TO-247 190A 125V MOSFET melhorado de canal N
|
|
|
|
|
|
|
Componente eletrónico de transistores bi-direcionais de alta potência BT136 TO-220 800 |
Componente eletrónico de transistores bi-direcionais de alta potência BT136 TO-220 800
|
|
|
|
|
|
|
Tiristor MOSFET original TO-252-3 canal N 150V 3A tubo semicondutor de óxido metálico IRFR4615TRLPBF |
Tiristor MOSFET original TO-252-3 canal N 150V 3A tubo semicondutor de óxido metálico IRFR4615TRLPBF
|
|
|
|
|
|
|
MOS FET IRFP260N TO-247 genuíno importado, novo em folha, com alta potência de 200V/50A |
MOS FET IRFP260N TO-247 genuíno importado, novo em folha, com alta potência de 200V/50A
|
|
|
|
|
|
|
Novo transistor original FDP18N50 TO-220-3 18A/500V de potência Mosfet IC chip |
Novo transistor original FDP18N50 TO-220-3 18A/500V de potência Mosfet IC chip
|
|
|
|
|
|
|
SIR422DP-T1-GE3 QFN8 SMD MOSFET Transistor Chip Canal N 40V/20,5A |
SIR422DP-T1-GE3 QFN8 N Canal 40V/20.5A Chip MOSFET SMD
|
|
|
|
|
|
|
C3M0016120K TO-247-4 MOSFET do tipo N de potência de carburo de silício Componente eletrônico |
C3M0016120K TO-247-4 MOSFET do tipo N de potência de carburo de silício Componente eletrônico
|
|
|
|
|
|
|
SI2301CDS-T1-GE3 P Canal MOSFET FET Chip Componentes Eletrônicos IC SOT-23 Embalagem |
SI2301CDS-T1-GE3 SOT-23 P canal patch MOSFET FET chip IC componentes electrónicos
|
|
|
|
|
|
|
Circuito Integrado IC Componente Eletrônico IC TGAN40N60F2DS TO-3P |
TGAN40N60F2DS TO-3P Circuitos Integrados Novo Original Stock Lc Chips Componente Eletrônico Bom Forn
|
|
|
|
1