FF100R12KS4HOSA1
Especificações
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos
Transistores
IGBTs
Módulos IGBT
Corrente - Coletor (IC) (Max):
150 A
Status do produto:
ativo
Tipo de montagem:
Montagem do chassi
Pacote:
bandeja
Série:
C
Pacote / caso:
Módulo
Vce (on) (max) @ vge, ic:
3.7V @ 15V, 100A
Tensão - colapso do emissor de colecionador (max):
1200 v
Pacote de dispositivo de fornecedor:
Módulo
Mfr:
Tecnologias Infineon
Temperatura operacional:
-40 ° C ~ 125 ° C.
Corrente - Corte de colecionador (MAX):
5 MA
Tipo IGBT:
-
Poder - máx:
780 W
Entrada:
Padrão
Capacitância de entrada (CIES) @ VCE:
650 nF @ 25 V
Configuração:
2 Independente
NTC Termistor:
NÃO
Número do produto base:
FF100R12
Introdução
Módulo IGBT 2 Módulo independente montado no chassi de 1200 V 150 A 780 W
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Resíduos:
In Stock
MOQ: