FF100R12KS4HOSA1
Προδιαγραφές
Κατηγορία:
Διακριτά προϊόντα ημιαγωγών
Τρανζίστορες
Ειδικές συσκευές IGBT
Μονούλες IGBT
Τρέχων - Συλλέκτης (IC) (Max):
150 Α
Κατάσταση προϊόντος:
ενεργός
Τύπος τοποθέτησης:
Στήριγμα πλαισίου
Πακέτο:
δίσκος
Σειρά:
ντο
Πακέτο / θήκη:
Μονάδα μέτρησης
VCE (on) (max) @ vge, ic:
3.7V @ 15V, 100A
Τάση - Καταστροφή εκπομπού συλλέκτη (μέγιστο):
1200 V
Πακέτο συσκευών προμηθευτή:
Μονάδα μέτρησης
MFR:
Τεχνολογίες Infineon
Θερμοκρασία λειτουργίας:
-40 ° C ~ 125 ° C
Current - Collector Cutoff (MAX):
5 Μα
Τύπος IGBT:
-
Ισχύς - Max:
780 W
Εισαγωγή:
Πρότυπο
Χωρητικότητα εισόδου (CIES) @ VCE:
650 nF @ 25 V
Διαμόρφωση:
2 ανεξάρτητο
Θερμίστορ NTC:
ΟΧΙ
Αριθμός προϊόντος βάσης:
FF100R12
Εισαγωγή
Μονάδα IGBT 2 Ανεξάρτητη 1200 V 150 A 780 W μονάδα τοποθέτησης πλαισίου
Στείλετε το RFQ
Αποθέματα:
In Stock
MOQ: