Фильтры
Категории
Фильтры
Keywords [ field effect transistor ] Match 19 продукты.
| Изображение | Часть # | Описание | производитель | Запасы | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
NCEP15T14LL TOLL N Channel MOSFET Транзистор 150V 170A Транзистор с эффектом поля |
NCEP15T14LL TOLL n-канал 150V 170A мощность MOSFET транзистор эффекта поля
|
|
|
|
|
|
|
NTTFS4C10NTAG WDFN-8 Транзистор с эффектом поля 30V 8.2A N-Channel Screen Printing 4C10 |
NTTFS4C10NTAG WDFN-8 эффект поля MOSFET 30V 8.2A N-канальная экрановая печать 4C10
|
|
|
|
|
|
|
IRF8714TRPBF SOP-8 N Channel MOS Field Effect Transistor IC Электронные компоненты |
IRF8714TRPBF SOP-8 N-канальный полевой МОП-транзистор ИС Электронные компоненты Абсолютно новый ориг
|
|
|
|
|
|
|
NCE2030K TO-252 20V 30A N-канальный MOS-транзистор полевого эффекта |
NCE2030K TO-252 20V 30A N-канальный MOS-транзисторный чип с эффектом поля
|
|
|
|
|
|
|
Полупроводниковый N-канал 40V90A MOS Транзистор с эффектом поля IPD036N04L SOT-252 SMPS Fast Switching MOSFET |
Полупроводниковый N-канал 40V90A MOS Транзистор с эффектом поля IPD036N04L SOT-252 SMPS Fast Switchi
|
|
|
|
|
|
|
Полупроводниковый N-канал 40V90A MOS Транзистор с эффектом поля IPD036N04L SOT-252 SMPS Fast Switching MOSFET |
Полупроводниковый N-канал 40V90A MOS Транзистор с эффектом поля IPD036N04L SOT-252 SMPS Fast Switchi
|
|
|
|
|
|
|
IRF7905TRPBF SOIC-8 Транзистор Монолитическая интегральная схема IC MOS Эффект поля Транзистор N-канал |
IRF7905TRPBF SOIC-8 Транзистор Монолитическая интегральная схема IC MOS Эффект поля Транзистор N-кан
|
|
|
|
|
|
|
BSS138LT1G SOT-23-3 Высококачественный микросхема интегральной схемы электронный компонент MOS Транзистор с эффектом поля |
BSS138LT1G SOT-23-3 Высококачественный микросхема интегральной схемы электронный компонент MOS Транз
|
|
|
|
|
|
|
AP3010 SOP-8 Транзистор MOS FET с печатным экраном, выдерживающий напряжение 30 В 10 А |
AP3010 SOP-8 3010 N-канальный MOS FET с экрановой печатью с выдержкой напряжения 30V 10A
|
|
|
|
|
|
|
Новый оригинальный транзистор с N-канальной поверхностью SOT-23 AO3400A MOS FET 2.5A |
Новый оригинальный транзистор с N-канальной поверхностью SOT-23 AO3400A MOS FET 2.5A
|
|
|
|
|
|
|
Оригинальный MOSFET инвертор MOS Power Transistor HY3912W TO-247 190A 125V N Channel Улучшенный MOSFET |
Оригинальный MOSFET инвертор MOS Power Transistor HY3912W TO-247 190A 125V N Channel Улучшенный MOSF
|
|
|
|
|
|
|
Оригинальный транзистор BT136 TO-220 800 высокопроизводительный двунаправленный тиристор электронный компонент |
Оригинальный транзистор BT136 TO-220 800 высокопроизводительный двунаправленный тиристор электронный
|
|
|
|
|
|
|
Оригинальный тиристор мосфета TO-252-3 n-канальный 150V 3A полупроводниковая труба из оксида металла IRFR4615TRLPBF |
Оригинальный тиристор мосфета TO-252-3 n-канальный 150V 3A полупроводниковая труба из оксида металла
|
|
|
|
|
|
|
Совершенно новый импортный оригинальный IRFP260N TO-247 MOS FET с высокой мощностью 200V/50A |
Совершенно новый импортный оригинальный IRFP260N TO-247 MOS FET с высокой мощностью 200V/50A
|
|
|
|
|
|
|
Новый оригинальный транзистор FDP18N50 TO-220-3 18A/500V мощность Мосфета IC чип |
Новый оригинальный транзистор FDP18N50 TO-220-3 18A/500V мощность Мосфета IC чип
|
|
|
|
|
|
|
SIR422DP-T1-GE3 QFN8 SMD MOSFET транзисторный чип N канал 40V/20.5A |
SIR422DP-T1-GE3 QFN8 N Канал 40V/20.5A SMD MOSFET чип
|
|
|
|
|
|
|
C3M0016120K TO-247-4 Силиконовый карбид мощность N-тип MOSFET электронный компонент Силиконовый карбид SIC FET IC чип |
C3M0016120K TO-247-4 Силиконовый карбид мощность N-тип MOSFET электронный компонент Силиконовый карб
|
|
|
|
|
|
|
SI2301CDS-T1-GE3 P Канал MOSFET FET Чип Электронные компоненты IC SOT-23 Упаковка |
SI2301CDS-T1-GE3 SOT-23 P канал патч MOSFET FET чип IC электронные компоненты
|
|
|
|
|
|
|
TGAN40N60F2DS TO-3P интегральная схема IC электронный компонент IC |
TGAN40N60F2DS TO-3P Интегрированные схемы Новый оригинальный запас Lc Чипы Электронные компоненты Bo
|
|
|
|
1