LNK364PN ช่วยให้การออกแบบมีประสิทธิภาพสูง ประหยัดพลังงาน สำหรับแหล่งจ่ายไฟกำลังไฟต่ำ

^{9 ตุลาคม 2525 ด้วยอุปกรณ์ใช้ในบ้านที่ฉลาด อุปกรณ์ IoT และเครื่องควบคุมอุตสาหกรรมที่ต้องการประสิทธิภาพด้านพลังงานและการออกแบบที่คอมแพคต์มากขึ้นชิปพลังงานสวิตช์ที่มีประสิทธิภาพสูงและเรียบง่าย กลายเป็นองค์ประกอบสําคัญในการพัฒนาสินค้าเมื่อไม่นานมานี้ บริษัทเชนเจน แอนชินรู โทคโนโลยี จํากัด ผู้ให้บริการในประเทศที่รู้จักกันดีของคําตอบวงจรบูรณาการแนะนําผลิตภัณฑ์สาย LinkSwitch-XT2 ที่ได้รับการนํามาใช้อย่างแพร่หลายชิปนี้นําเสนอการแก้ไขการนําเสนอที่พิเศษสําหรับการใช้งานที่หลากหลาย ด้วยพลังงานออกสูงถึง 10Wและลักษณะการป้องกันที่แข็งแรง.}

^{I. ชิปแนะนํา: LNK364PN}

^{LNK364PN เป็นวงจรบูรณาการที่ทํางานได้ดี และเป็นเครื่องเชื่อมต่อไฟฟ้าออฟไลน์จากสาย LinkSwitch-XT2 โดยมีการออกแบบที่นวัตกรรมออสซิลเลาเตอร์, เครื่องควบคุมสภาวะเปิด /ปิด และวงจรป้องกันครบวงจรภายในแพคเกจ DIP-8C เดียว, ส่งผลให้เป็นคําตอบที่คอมแพคต์และมีประสิทธิภาพสูงสําหรับการออกแบบการจําหน่ายพลังงานต่ํา.}

^{ลักษณะและข้อดีหลัก}

^{ประสิทธิภาพการใช้พลังงานสูง: ใช้พลังงานน้อยกว่า 70mW ในสภาพไม่มีภาระที่ 265VAC การเข้า, ได้อย่างง่ายดายตอบสนองมาตรฐานการใช้พลังงานที่เข้มงวดระดับโลก}

^{การออกแบบที่เรียบง่าย: การออกแบบที่บูรณาการสูงต้องการองค์ประกอบภายนอกอย่างน้อยกําจัดความต้องการสําหรับ optocouplers และวงจรการตอบสนองรองขณะที่ส่งผลิตความแรงดันคงที่แม่นยํา / ปัจจุบัน, ลดค่าใช้จ่ายและขนาดของระบบอย่างสําคัญ}

^{ความน่าเชื่อถือสูง: มีลักษณะการป้องกันภายในครบครัน รวมถึงการป้องกันวงจรสั้น, วงจรเปิด, อุณหภูมิเกิน, และความแรงเกินผลิต, เสริมความแข็งแกร่งของปั๊มพลังงานได้อย่างมาก}

^{สินเชื่อมความแรงกดสูง: รองรับ 85VAC ถึง 265AC สินเชื่อมความแรงกดสูง เหมาะสําหรับการใช้งานในตลาดโลก}

II. คําอธิบายของวงจรประจําการใช้งาน

^{โครงสร้างและกระแสการทํางานของแกนวงจร}

^{1.Input Stage และด้านหลัก}

^{การเข้าและการแก้ไข AC: การเข้า AC ถูกแก้ไขแบบคลื่นเต็มโดยเครื่องแก้ไขสะพาน BR1 และกรองโดยตัวประกอบไฟฟ้า C1 เพื่อผลิต DC ความดันสูง}

^{ครับLNK364PN คอร์}

^{การระบายน้ํา: การระบายน้ําของ MOSFET 700V ที่บูรณาการภายในเชื่อมต่อโดยตรงกับการล่อหลักของแปลงความถี่สูง T1นี้เป็นแกน "การปรับเปลี่ยนพลังงาน" ของการปรับเปลี่ยนพลังงานทั้งหมด.}

^{การออกแบบแบบ "ไม่มีคลัมป์" ที่พิเศษ: ใช้ MOSFET 700V ที่บูรณาการภายใน และเทคโนโลยีการตรวจจับระบายระบายระบายระบายระบายระบายของ LNK364PNการออกแบบนี้กําจัดความจําเป็นของวงจร RCD clamp หรือ Zener clamp แบบดั้งเดิมที่ต้องการในแบบ flyback. นี้ไม่เพียงแค่ประหยัดค่าส่วนประกอบและพื้นที่พาน แต่ยังดีขึ้นความน่าเชื่อถือ. ชิปสามารถทนความกระชับกําลังสูงที่เกิดจาก inductance การรั่วแปลง.}

^{2ระยะการผลิตและการตอบสนอง}

^{การแก้ไขและกรองระดับรอง:
เมื่อ MOSFET ภายในปิด, พลังงานที่เก็บไว้ในสายลมรองของทรานฟอร์เมอร์จะถูกปรับปรุงโดยไดโอเดส D1 และกรองโดยคอนเดเซนเตอร์ C2 เพื่อผลิตความกระชับกําลังการออกแบบ DC แบบเรียบ (เช่น + 12V).}

^{กลไกการตอบสนองที่เรียบง่าย
ความตึงเครียดการออกจะนําตัวอย่างโดยตัวแบ่งความตึงเครียดประกอบด้วยตัวต่อต้าน R1 และ R2 สัญญาณตัวอย่างนี้ขับ LED ภายในตัวประกอบไฟฟ้าราคาถูก (เช่น PC817) โดยตรงโดยส่งข้อมูลความดันด้านออกผ่านกั้นการแยกออกจากด้านหลัก.}

^{3.Feedback และ Control Loop การตรวจสอบ}

^{ด้านทรานซิสเตอร์ของออปโตคัพเลอร์เชื่อมต่อกับปินการตอบสนอง (FB) ของ LNK364PN}

^{โดยใช้สัญญาณการตอบสนองนี้ ชิปจะควบคุมเวลาเปิดและปิดสวิตช์พลังงาน ผ่านโหมดควบคุมเปิด/ปิดทําให้ความดันการออกคงที่อย่างแม่นยําและบรรลุความดันคงที่ (CV).}

^{ข้อดีหลักในการออกแบบ}

^{ความเรียบง่ายสุด: การออกแบบ IC แบบโมโนลิธที่บูรณาการสูง ร่วมกับสถาปัตยกรรมที่ไม่มีเครม ทําให้จํานวนองค์ประกอบภายนอกที่ต้องการลดลงอย่างน้อย}

_{ประสิทธิภาพในเรื่องค่าใช้จ่าย: หลีกเลี่ยงความจําเป็นของการใช้วงจรแคลมป์และอัตรามาตรฐานความแรงดันระดับระดับรอง (เช่น TL431) ส่งผลให้มีค่าใช้จ่าย BOM ระบบที่มีความแข่งขันสูง}

_{ความน่าเชื่อถือสูง: ฟังก์ชันการเริ่มต้นใหม่แบบอัตโนมัติที่ติดตั้งปิดผลิตและเริ่มการพยายามอีกครั้งในระหว่างสถานการณ์ความผิดพลาดวงจรสั้นหรือวงจรเปิด, ป้องกันทั้งชิปและภาระการป้องกันอุณหภูมิสูงเกิน จะยังคงรับประกันความปลอดภัยของระบบในสภาพผิดปกติ.}

^{การปฏิบัติตามมาตรฐานประหยัดพลังงานโดยไม่ใช้ความพยายาม: เทคโนโลยี EcoSmart® รับประกันการใช้พลังงานที่ต่ํามาก (< 70 mW) โดยสะดวกที่จะตอบสนองกฎหมายประหยัดพลังงานระดับโลก}

^{III. คําอธิบายรายละเอียดของโมดูลการทํางานภายใน}

^{สถาปัตยกรรมหลัก:
LNK364PN ใช้สถาปัตยกรรมการบูรณาการพลังงานที่ฉลาดประกอบด้วยสามโมดูลหลัก: MOSFET พลังงาน, กลยุทธ์การควบคุม, และวงจรป้องกัน.}

^{โมดูลการทํางานหลัก:}

^{1.5เครื่องควบคุมความละเอียด.8V}

^{ให้ความตึงเครียดการทํางานที่มั่นคงสําหรับวงจรภายใน}

^{รวมกัน 4.8V ป้องกันความดันต่ํา (UVLO)}

^{2. หัวข้อควบคุมที่ฉลาด}

^{คอนเตอร์การเริ่มต้นใหม่โดยอัตโนมัติ: พยายามฟื้นฟูในช่วงเวลาที่ผิดปกติ}

^{ออสซิลเลอเตอร์นาฬิกา: เทคโนโลยีการกระตุ้นความถี่ที่บูรณาการ ปรับปรุงผลงาน EMI}

^{Leading Edge Blanking: กําจัดความผิดพลาดในการเก็บตัวอย่างระหว่างการเปลี่ยนการเปลี่ยน}

^{3.กลไกป้องกันหลายประการ}

^{การป้องกันการปิดอุณหภูมิ: หยุดการทํางานโดยอัตโนมัติเมื่ออุณหภูมิเกินขั้นต่ํา}

^{การเปรียบเทียบขีดความแรงปัจจุบัน: ติดตามและขีดความแรงปัจจุบันสูงสุดในเวลาจริง}

^{วงจรตรวจสอบการตอบสนอง: ทําให้การควบคุมความแรงดัน / กระแสแม่นยําผ่าน FB pin}

^{ลักษณะการทํางาน:}

^{ใช้การควบคุมการเปิด/ปิด เพื่อให้มีประสิทธิภาพสูงในภาระเบา}

^{รวม MOSFET ความแรง 700V}

^{รองรับการข้ามวงจรสําหรับการกําหนดความแรงกดออก}

^{ข้อดีทั่วไป:
การออกแบบที่บูรณาการนี้ทําให้วงจรด้านนอกง่ายขึ้นอย่างมาก ขณะที่การันตีความสามารถและการให้บริการกับคุณสมบัติการป้องกันที่ครบวงจรทําให้มันเหมาะสมสําหรับการแก้ไขการจําหน่ายพลังงานที่คอมแพคต์และมีประสิทธิภาพสูง.}

^{IV แผนภาพแผนภูมิของวงจรทดสอบทั่วไป}

^{วงจรทดสอบทั่วไปสําหรับ LNK364PN ใช้โทปโลยี flyback แบบปกติ เหมาะสําหรับการรับรองผลงานพื้นฐานของชิปและดําเนินการตรวจสอบการออกแบบ}

^{โครงสร้างทอปโลยีวงจร:}

^{ขั้นตอนการเข้า: 85-265VAC การเข้า AC ระยะยาว}

^{การปรับปรุงและกรอง: เครื่องปรับปรุงสะพาน + การกรองตัวประกอบไฟฟ้า}

^{Core Power Stage: โทปโลยีการแปลง Flyback}

^{ขั้นตอนการผลิต: การปรับปรุงระดับสอง + การกรอง LC}

^{เครือข่ายการตอบสนอง: การตอบสนองแบบแยกแยกของ Optocoupler}

^{การตั้งค่าจุดทดสอบหลัก:}

^{1.จุดทดสอบลักษณะ input}

^{TP1: จุดการติดตามความแรงดันเข้า AC}

^{TP2: จุดทดสอบความดันแบบตรง}

^{2จุดทดสอบสถานะการทํางานชิป}

^{TP3: ความดัน pin BYPASS (ช่วงปกติ: 5.8V ± 0.5V)}

^{TP4: ความดันปิน Feedback (สะท้อนสถานะภาระการออก)}

^{3จุดทดสอบผลิต}

^{TP5: การทดสอบความแม่นยําของแรงดันออก}

^{TP6: การวัดคลื่นออกและเสียง}

^{ระยะวัดปารามิเตอร์ส่วนประกอบหลัก:}

^{คอนเดเซนเตอร์เข้า C1: 4.7-22 μF / 400 V}

^{คอนเดสเตอร์การออก C2: เลือกตามความต้องการพลังงานการออก}

^{เครื่องต่อรองการแยกความกระชับกลับ: ปรับแต่งตามความต้องการความกระชับกําลังออก}

^{อัตราการหมุนของทรานฟอร์เมอร์: คํานวณจากช่วงความกระชับกําลังเข้าและออก}

V. การวิเคราะห์รายละเอียดของวงจรปรับอัตราต่อเนื่องไฟฟ้าเข้าทั่วไป 2W (CV)

^{สถาปัตยกรรมวงจรโดยรวม การออกแบบนี้ใช้ทอปโลจี Buck ที่ไม่แยกกัน โดยนําผลประโยชน์จากการบูรณาการสูงของ LNK364PN เพื่อสร้างคําตอบแอดป์ความดันคงที่ 2W ที่คอมแพคตและมีประสิทธิภาพ}

^{การวิเคราะห์โมดูลวงจร}

^{1. โมดูลกรองป้องกันและแก้ไขการเข้า}

^{RF1: เครื่องกันไฟฟิวส์ที่ให้ความคุ้มกันความแรงเกินในทางเข้าและจํากัดกระแสไฟเข้า}

^{D1-D4: รูปแบบวงจรปรับสายพานแปลง input AC เป็น DC}

^{C1, C2: เครื่องบดกรองเข้าที่ทําให้ความกระชับกําลังไฟฟ้า DC ที่ถูกปรับปรุงเรียบ}

^{L2: อินดูเตอร์เก็บพลังงานแบบบัค ทอปโลจี, สร้างเครือข่ายกรอง LC ด้วยวงจรต่อเนื่อง}

^{2. แบค พลังงานแปลงโมดูล}

^{การควบคุมการสลับ: MOSFET 700V ที่รวมอยู่ใน LNK364PN ทําการสลับความถี่สูง}

^{การถ่ายทอดพลังงาน: พลังงานถูกเก็บและปล่อยผ่านตัวผลักดัน L2}

^{ความดันออก: กําหนดโดยทั้งวงจรการทํางานการสลับและสัญญาณการตอบสนอง}

^{3. Feedback และ โมดูลการควบคุมแรงดัน}

^{VR1: ไดโอเดสเซนเนอร์ความแม่นยํา 5.1V ที่ให้ความเข้มข้นมาตรฐาน
R1: ตัวต่อรองจํากัดกระแส ป้องกันปิน FB
FB Pin: รับสัญญาณการตอบสนองเพื่อปรับวงจรการทํางานการสลับ}

^{4สรุปรายละเอียดการทํางาน}

^{การวิเคราะห์ฟังก์ชันสําคัญ}

^{ระบบควบคุมความดันคงที่}

^{เมื่อความดันการออกเกิน 5.1V, ไดโอเดส Zener VR1 นํา}

^{ความดันของปิน FB เพิ่มขึ้น ทําให้ชิปลดวงจรการทํางานการสลับ}

^{ความดันออกกลับไปที่ค่าที่กําหนดไว้ เพื่อบรรลุการควบคุมความดันที่แม่นยํา}

^{การดําเนินงานหน้าที่ป้องกัน}

^{การป้องกันความแรงเกิน: เครื่องเปรียบเทียบขีดจํากัดความแรงภายในให้การติดตามในเวลาจริง}

^{ป้องกันอุณหภูมิเกิน: ปิดอัตโนมัติเมื่ออุณหภูมิแยกเกินขั้นต่ํา}

^{การป้องกันความดันต่ําในทางเข้า: การติดตามความดันของปิน BP รับประกันการเริ่มต้นที่เหมาะสม}

^{ลักษณะการปรับปรุงประสิทธิภาพ}

^{การควบคุมการเปิด/ปิด: ละเว้นวงจรการเปลี่ยนภายใต้ภาระเบา เพื่อลดการบริโภคพลังงาน}

^{การกระตุ้นความถี่: กระจายความถี่ EMI เพื่อทําให้การออกแบบกรองง่ายขึ้น}

^{พลังงานการรอคอยต่ํา: < 70mW การบริโภคที่ไม่มีภาระในการเข้า 265VAC}

^{รายละเอียดการทํางาน}

^{ระยะการเข้า: 85-265VAC (ทั่วไป)}

^{ความดันออก 5.1V ± 2%}

^{พลังงานออก: 2W (ต่อเนื่องสูงสุด)}

^{ประสิทธิภาพ: > 70% (ช่วงความดันเต็ม)}

^{การป้องกัน: การป้องกันการกระจายอากาศสูงเกินความสูง, อากาศสูงเกินความสูง, การป้องกันการเปิดวงจร}

^{สถานการณ์การใช้งาน:}

^{พลังงานไฟฟ้าสําหรับบอร์ดควบคุมเครื่องใช้ครัวเรือนขนาดเล็ก}

^{แอดป์เตอร์พลังงานสําหรับอุปกรณ์ IoT}

^{พลังงานไฟฟ้าสําหรับเซ็นเซอร์บ้านฉลาด}

^{การแก้ไขเครื่องชาร์จราคาถูก}

VI. คู่มือการวางแผน PCB ของเครื่องแปลง Flyback

^{การวางแผนการวางแผนชั้นบน}

^{การจัดทําเขตพื้นที่แยกความปลอดภัย}

^{พื้นที่อันตรายด้านหลัก: พื้นที่การใส่ไฟฟ้าแรงดันสูงทางด้านซ้าย}

^{เครื่องปรับกรองเข้า}

^{เส้นทางการล่อตัวหลักของแปลง}

^{พื้นที่ความปลอดภัยด้านรอง: พื้นที่ออกแรงดันต่ําทางด้านขวา
องค์ประกอบการปรับผลิต
เครื่องปรับกรองออก}
 

^{ป้องกันการแยก: ช่องแยก optocoupler กลาง}

^{รายละเอียดการจัดวางองค์ประกอบหลัก}
 

^{1เส้นทางพลังงานด้านหลัก}

^{ลดพื้นที่วงจรพลังงานให้น้อยที่สุด}

^{ปินแหล่งเชื่อมต่อตรงกับพัดทองแดงร้อน}

^{2. เส้นทางการออกทางด้านรอง}

^{รักษาวงจรออกที่สั้นและตรง}

^{วางตัวปรับกรองใกล้กับปลายการออก}

^{3. การตอบสนองและการควบคุมรอย}

^{วาง optocoupler ใกล้กับแปลง}

^{ระยะทางสัญญาณ FB ห่างจากแหล่งเสียง}

^{การติดตั้ง BP bypass capacitor โดยตรงที่ปินชิป}

^{การออกแบบการจัดการความร้อน}

^{การระบายความร้อน การปรับปรุงทองแดง}

^{ทองแดงขนาดใหญ่หลั่งที่ปินแหล่ง (พื้นที่ที่เงาในแผนภูมิ)}

^{ความหนาของทองแดงที่แนะนํา: 2 oz}

^{เพิ่มช่องทางความร้อนเมื่อจําเป็น}

^{กลยุทธ์การกระจายความร้อน}

^{การกระจายส่วนประกอบพลังงาน}

^{การป้องกันความเข้มข้นทางความร้อน}

^{สถานที่ระวังการไหลของอากาศ}

^{มาตรการปราบปราม EMI}

^{1การควบคุมเสียง}

^{ติดต่อ Y-Capacitor ที่จุดใกล้ที่สุด}

^{การเชื่อมโยงจุดเดียวระหว่างเหตุผลหลักและเหตุผลรอง}

^{การป้องกันการป้องกันสัญญาณที่มีความรู้สึก}

^{2. การปรับปรุงการวางแผน}

^{ลดพื้นที่วงจรความถี่สูงให้น้อยที่สุด}

^{สถานที่ดิจิตอลและแอนาล็อกแยกกัน}

^{สัญญาณนาฬิกาเส้นทางห่างจากส่วนแบบแอนลาจ}

^{3ความต้องการระยะความปลอดภัย}

^{ระยะว่างจากพื้นที่หลักไปยังพื้นที่รอง: ≥6.4mm}

^{ระยะความกระชับกําลังสูง: ≥3.2mm}

^{ระยะคลานที่สอดคล้องกับ IEC 60950}

^{4การออกแบบเพื่อการผลิต}

^{ระยะระหว่างส่วนประกอบที่สอดคล้องกับความต้องการการผลิตแบบอัตโนมัติ}

^{จุดทดสอบที่เข้าถึงสําหรับการทดสอบในวงจร}

^{หลีกเลี่ยงการใช้หน้ากากผสมบนพื้นที่ระบายความร้อน}

^{5การตรวจสอบผลประกอบการทางไฟฟ้า}

^{อุปทานวงจรพลังงาน}

^{ความสมบูรณ์แบบของสัญญาณ}

^{ความสมบูรณ์แบบของพลังงาน}

^{โซลูชั่นการวางแผนนี้รับประกันผลงานที่ดีที่สุดของ LNK364PN ในเครื่องแปลง flyback ผ่านการวางส่วนประกอบที่ปรับปรุง, การจัดการความร้อน, และการออกแบบ EMIในขณะที่ตอบสนองกฎหมายความปลอดภัยและความต้องการการผลิต.}

^{VII. การวิเคราะห์เวลาที่สามารถผลิตได้}

^{การวิเคราะห์สัญญาณสําคัญในแผนภูมิเวลา}

^{1. Feedback (FB) ระยะเวลาความดัน}

^{เปิดขีดขวาง: การเปิดออกจะเปิดเมื่อความแรงไฟฟ้า FB ลดเหลือ 1.3V}

^{ปริมาณขั้นต่ําปิด: การเปิดออกจะปิดเมื่อความกระชับไฟฟ้า FB เพิ่มขึ้นถึง 1.5V}

^{หน้าต่าง Hysteresis: 200mV Hysteresis ป้องกันการเปลี่ยนการพูด}

^{2สัญญาณภายใน DCMAX}

^{การควบคุมวงจรการทํางานสูงสุด: DCMAX จํากัดเวลาในการทํางานสูงสุด}

^{การป้องกันความปลอดภัย: ป้องกันการอิ่มแปรและความเครียดเกินส่วนประกอบ}

^{การปรับแบบไดนามิก: ปรับปรุงอัตโนมัติตามความกระชับไฟเข้า}

^{3. ความกระชับกระแส (VDRAIN) รูปแบบคลื่น}

^{เปลี่ยนการเริ่มต้น: เริ่มการเปลี่ยนการดําเนินงานหลังจาก FB เอนกประสงค์}

^{ปิดการสลับ: หยุดการสลับทันทีหลังจาก FB ปิด}

^{คุณลักษณะของลม: ลมเปลี่ยนแบบ Flyback แบบปกติ}

^{รายละเอียดเครื่องควบคุม:}

^{เปิดกระบวนการ:}

^{ความดัน FB ลดลงถึงขั้น 1.3V เนื่องจากความต้องการผลิต}

^{ชิปเริ่มต้นการทํางานสลับทันที}

^{รูปแบบคลื่น PWM แสดงที่ VDRAIN}

^{ความดันออกเริ่มเพิ่มขึ้น}

^{ปิดการทํางาน:}

^{ความดันออกถึงค่าตั้งค่า ความดัน FB เพิ่มขึ้น 1.5V}

^{ชิปทันทีหยุดการทํางานสลับ}

^{VDRAIN รักษาภาวะอัดแรงสูง}

^{ระบบเข้าสู่โหมดการรอคอยพลังงานต่ํา}

^{สิ่งสําคัญของการออกแบบ:}

^{การปรับปรุงเครือข่าย Feedback}

^{รับประกันความเร็วการตอบสนองของ FB ให้ตรงกับความต้องการของภาระแบบไดนามิก}

^{กําหนดความตึงเครียดส่วนแยก resistors อย่างเหมาะสมเพื่อหลีกเลี่ยงการกระตุ้นผิด}

^{เพิ่มการกรองที่เหมาะสมเพื่อเพิ่มความคุ้มกันเสียง}

^{การบูรณาการหน้าที่ป้องกัน}

^{การป้องกันความอ้วนมีความสําคัญมากกว่าการควบคุม}

^{การป้องกันความร้อนจะปิดการออกทันที}

^{สังเคราะห์วงจรการเริ่มต้นใหม่โดยอัตโนมัติ ด้วยการเปิดเวลา}

^{ปัจจัยที่ส่งผลกระทบต่อผลงาน}

^{ความชันของสัญญาณ FB มีผลต่อความเร็วการตอบสนอง}

^{การกําหนดคุณสมบัติของภาระที่ผ่าน}

^{ความแตกต่างของแรงดันเข้าส่งผลต่อวงจรทํางานสูงสุด}

^{กลไกเวลานี้ทําให้ LNK364PN สามารถตอบสนองความแตกต่างของภาระได้อย่างรวดเร็วในขณะที่ยังคงประสิทธิภาพและความมั่นคงสูง}

VIII การจัดตั้ง Pin และการวิเคราะห์ฟังก์ชัน

1. ฟังก์ชัน pin ทั่วไป (ทั่วไปในแพคเกจทั้งหมด)
ปิ้นการทํางานหลักของสาย LinkSwitch-XT รักษาความเป็นไปตามในทุกประเภทของแพคเกจ, โดยมีความแตกต่างเพียงแค่การวางแผนทางกายภาพ. ปิ้นกุญแจและฟังก์ชันของพวกเขาประกอบด้วย:

^{S (แหล่งข่าว):
ปลายแหล่งของสวิทช์พลังงาน, โดยทั่วไปเชื่อมต่อกับพื้นดิน, เป็นพื้นฐานของการอ้างอิงสําหรับวงจรพลังงานและพื้นฐานร่วมสําหรับวงจรภายใน.จิ้น "S" หลายตัวที่แสดงในแผนภูมิแสดงให้เห็น จิ้นแหล่งที่เชื่อมต่อพร้อมกัน, ซึ่งลดความต้านทานในสภาพเปิดและเพิ่มความสามารถในการแบ่งปันกระแสไฟฟ้า}

^{BP (ไบปาส)
ปินนี้เชื่อมต่อกับคอนเดเซเตอร์บายพาสภายนอก (โดยทั่วไป 0.1μF) เพื่อให้ความตึงเครียดเบี้ยวที่มั่นคงสําหรับวงจรภายในชิปการประกันการทํางานที่น่าเชื่อถือของส่วนประกอบภายใน (e(เช่น ออสซิลเลาเตอร์และเครื่องเปรียบเทียบ)}

^{FB (Feedback)
ปินนี้รับสัญญาณการตอบสนองความแรงกดออก โดยการติดตามการเปลี่ยนแปลงของความแรงกดออกชิปปรับความถี่การสลับ / วงจรทํางานอย่างไดนามิคเพื่อบรรลุการควบคุมแรงดัน (ใช้เป็นอินทุ้นหลักในการควบคุมแรงดันในวงจรปิด).}

^{D (ระบายน้ํา)
ปลายระบายของสวิทช์พลังงาน เชื่อมต่อกับสายลมหลักของทรานฟอร์มหรือปลายการเข้าไฟฟ้าแรงสูงการควบคุมการถ่ายทอดพลังงานจากปริมาณการเข้าสู่ปริมาณการออก.}

^{2การอธิบาย Package Variation
แพ็คเกจ P (DIP-8B):
แพ็คเกจในเส้นสอง (DIP) เหมาะสําหรับกระบวนการผสมผ่านรูแบบดั้งเดิม. ปินขยายจากทั้งสองด้านของชิป, โดย "3a" ในแผนภูมิแสดงลักษณะการจัดวางปินของมัน,สะดวกในการผสมและแก้ไขข้อผิดพลาดด้วยมือ.}

^{แพ็คเกจ G (SMD-8B):
แพคเกจอุปกรณ์ติดตั้งบนพื้นผิว (SMD) พร้อมสายไฟปีกกวาง เหมาะสําหรับสายการผลิต SMT อัตโนมัติการทํางานของมันเหมือนกับแพคเกจ P.}

^{กล่อง D (SO-8C):
แพ็คเกจขนาดเล็ก (SOIC) แผ่นฉลาก "3b" แสดงการวางแผนปินของมัน เป็นแพ็คเกจที่ติดอยู่บนพื้นผิวที่คอมพัคค็อตมากขึ้น มันถูกใช้อย่างแพร่หลายในอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ผู้บริโภคและปัสดุพลังงานที่จํากัดพื้นที่}

^{ความสําคัญของ LNK364PN}

^{LNK364PN ใช้พัสดุ P (DIP-8B) ซึ่งหมายความว่า}

^{การวางแผนปินที่ติดป้าย "3a" ในแผนภูมิ (ตําแหน่งของ S, BP, FB, D) ตรงกับปินทางกายภาพของ LNK364PN}

^{วิศวกรสามารถใช้แผนภูมินี้ เพื่อระบุได้อย่างรวดเร็วว่า "ปิ้นไหนเชื่อมต่อกับการตอบสนอง" และ "ปิ้นไหนเชื่อมต่อกับการเข้าระดับความดันสูง"การป้องกันการจัดสรร pin ที่ผิดพลาด.}

^{ค่าแนะนําการออกแบบ}
 

^{สัญลักษณ์การตั้งค่าปินนี้เป็น "พจนานุกรมการออกแบบฮาร์ดแวร์"}

^{ระหว่างการออกแบบแบบแผนภูมิภาพ ภาพนี้กําหนดความสัมพันธ์การเชื่อมโยงระหว่างพินชิปและองค์ประกอบด้านนอก (เช่น เครื่องต่อรองการตอบสนอง เครื่องต่อรองบายพาส และเครื่องแปลง)}

^{ระหว่างการวางแผน PCB การเรียงลําดับปินในแผนภูมินี้ต้องตรงกัน เพื่อให้แน่ใจว่าชิปทํางานอย่างเหมาะสมหลังจากผสม}

^{ระหว่างการแก้ไขปัญหา หากการออกกําลังผิดปกติ รูปร่างนี้สามารถระบุปัญหาอย่างรวดเร็ว เช่น "การติดต่อผสมที่ไม่ดีกับปินการตอบสนอง" หรือ "การเชื่อมต่อปินระบายที่ไม่ถูกต้อง"}

^{การเชื่อมต่อแอปพลิเคชั่นทั่วไป}

^{High-voltage DC input → Transformer → D pin (power input) Output voltage sampling → Optocoupler → FB pin (feedback control) BP pin → 100nF capacitor → S pin (internal power supply) S pin → Large-area copper pour → Power ground (thermal path)}

^{การปรับปรุงปินนี้ทําให้ LNK364PN สามารถแปลงพลังงานได้อย่างมีประสิทธิภาพ พร้อมให้คุณสมบัติการป้องกันที่ครบวงจรและตัวเลือกการออกแบบที่ยืดหยุ่นทําให้มันเป็นตัวเลือกที่เหมาะสมสําหรับการอ}