2N5551 TO-92 Single Bipolar Direct Inserted Power Transistor 160V/0.6A อิเล็กทรอนิกส์ทรานซิสเตอร์
ผู้ผลิต:
เอสเค ไฮนิกซ์
คําอธิบาย:
2N5551 TO-92 Bipolar Direct-Inserted Transerted Copper Pin 160V/0.6A Transistor Power Transistor ส่ว
ประเภท:
ไอจีบีที
ราคา:
CN¥1.44/bags
รายละเอียด
อุณหภูมิการทํางาน:
-55°C ~ 150°C
ซีรีย์:
2N/2/3/4/5
คําอธิบาย:
5551 TO-92 160V/0.6A Power Transistor
ประเภท:
มอสเฟต
กระแสตรง:
23+
ประเภทของแพคเกจ:
รูทะลุ
การใช้งาน:
การบริโภคอุตสาหกรรมผลิตภัณฑ์อิเล็กทรอนิกส์ทุกชนิด
ประเภทของผู้ให้บริการ:
อื่นๆ
การอ้างอิงข้าม:
-
สื่อที่มี:
อื่นๆ
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด):
600mA
แรงดัน - การแยกอิมิตเตอร์ของตัวสะสม (สูงสุด):
160v
ความอิ่มตัวของ Vce (สูงสุด) @ Ib, Ic:
200mV ที่ 5mA, 50mA
ปัจจุบัน - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด):
50nA (ไอซีบีโอ)
กระแส DC เพิ่มขึ้น (hFE) (ต่ำสุด) @ Ic, Vce:
80 @ 10mA, 5V
กำลัง - สูงสุด:
625mW
ความถี่ - การเปลี่ยน:
300MHz
ประเภทการติดตั้ง:
ผ่านหลุมผ่านหลุม
กล่อง / กระเป๋า:
TO-92
ตัวต้านทาน - ฐาน (R1):
มาตรฐาน
ตัวต้านทาน - ฐานอิมิตเตอร์ (R2):
มาตรฐาน
ประเภท FET:
มาตรฐาน
คุณสมบัติ FET:
มาตรฐาน
ระบายไปยังแหล่งจ่ายแรงดัน (Vdss):
มาตรฐาน
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) @ 25°C:
มาตรฐาน
ถ.บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:
-
Vgs(th) (สูงสุด) @ รหัส:
มาตรฐาน
ค่าเกท (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:
มาตรฐาน
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds:
มาตรฐาน
ความถี่:
มาตรฐาน
พิกัดกระแสไฟ (แอมป์):
600mA
รูปเสียงรบกวน:
มาตรฐาน
เพาเวอร์-เอาท์พุต:
มาตรฐาน
แรงดันไฟฟ้า - พิกัด:
160v
แรงดันไดรฟ์ (เปิด Max Rds เปิด Min Rds):
มาตรฐาน
Vgs (สูงสุด):
มาตรฐาน
ประเภท IGBT:
มาตรฐาน
การตั้งค่า:
มาตรฐาน
Vce(เปิด) (สูงสุด) @ Vge, Ic:
มาตรฐาน
ความจุอินพุต (Cies) @ Vce:
มาตรฐาน
หน่วยงาน:
มาตรฐาน
กทช เทอร์มิสเตอร์:
มาตรฐาน
แรงดัน - พัง (V(BR)GSS):
มาตรฐาน
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำ (Idss) @ Vds (Vgs=0):
StandardStandard
ท่อระบายน้ำปัจจุบัน (รหัส) - สูงสุด:
มาตรฐาน
แรงดันไฟฟ้า - การตัด (ปิด VGS) @ รหัส:
มาตรฐาน
ความต้านทาน - RDS (เปิด):
มาตรฐาน
แรงดัน-เอาท์พุต:
มาตรฐาน
แรงดันไฟฟ้า - ออฟเซ็ต (Vt):
มาตรฐาน
ปัจจุบัน - การรั่วไหลของประตูสู่ขั้วบวก (Igao):
มาตรฐาน
ปัจจุบัน - หุบเขา (Iv):
มาตรฐาน
ปัจจุบัน - สูงสุด:
มาตรฐาน
ประเภททรานซิสเตอร์:
-
แพ็คเกจ:
TO-92
จัดส่งโดย:
DHL\UPS\Fedex\EMS\HK โพสต์
การบรรจุ:
Tube & Reel & Tray
คุณภาพ:
ต้นฉบับคุณภาพสูง
รายละเอียด:
กรุณาติดต่อเรา
ต้นฉบับจากม:
ยี่ห้อเดิม
การรับประกัน:
365 วัน
การจ่ายเงิน:
Paypal Western Union T/T
ปริมาณการสั่งซื้อขั้นต่ำ:
1 ตัว
เน้น:
2N5551 ทรานซิสเตอร์พลังงาน
,160V/0.6A อิเล็กทรอนิกส์ทรานซิสเตอร์
,ทรานซิสเตอร์พลังงานที่ใส่ตรง
คําแนะนํา
คําอธิบายสินค้า
|
ประเภทสินค้า:
|
ทรีโอเดสเครื่องขยายพลังงานต่ํา
|
|
เลขรุ่น:
|
2N5551
|
|
ซีรี่ย์:
|
2N/2/3/4/5
|
|
ผู้ขาย:
|
เปิด
|
|
การบรรจุ:
|
TO-92
|
|
ติดตั้งสไตล์:
|
ช่องเจาะ
|
|
|
ใหม่และเดิม
|
2N5551TO-92 ทรีโอเดสเครื่องขยายพลังงานต่ําเป็นชิป IC ที่ขายดีที่สุดของเรา
|
ผู้ติดต่อ:
|
คุณกู
|
|
|
|
โทร:
|
+86 13434437778
|
|
|
|
อีเมล:
|
XCDZIC@163.COM
|
|
|
|
Wechat:
|
0086 13434437778
|
|
|
การบรรจุและการส่ง
|
จํานวน ((ชิ้น)
|
1-100
|
100-1000
|
1000-10000
|
|
ระยะเวลาการดําเนินงาน (วัน)
|
3-5
|
5-8
|
ต้องเจรจา
|
โปรไฟล์บริษัท
FAQ
คําอธิบายสินค้า
|
ประเภทสินค้า:
|
FPGA - แฟลด์โปรแกรม Gate Array
|
|
เลขรุ่น:
|
EP3C40F484I7N
|
|
ซีรี่ย์:
|
ไซโคลน III EP3C40
|
|
ผู้ขาย:
|
อินเทล / อัลเทร่า
|
|
การบรรจุ:
|
FGBA-484
|
|
ติดตั้งสไตล์:
|
SMD/SMT
|
|
|
ใหม่และเดิม
|
EP3C40F484I7N EP3C40F484C6N EP3C40F484C8N เป็นชิป IC ที่ขายดีที่สุดของเรา
|
ผู้ติดต่อ:
|
คุณกู
|
|
|
|
โทร:
|
+86 13434437778
|
|
|
|
อีเมล:
|
XCDZIC@163.COM
|
|
|
|
Wechat:
|
0086 13434437778
|
|
|
การบรรจุและการส่ง
|
จํานวน ((ชิ้น)
|
1-100
|
100-1000
|
1000-10000
|
|
ระยะเวลาการดําเนินงาน (วัน)
|
3-5
|
5-8
|
ต้องเจรจา
|
โปรไฟล์บริษัท
FAQ
สินค้าที่เกี่ยวข้อง
| ภาพ | ส่วนหนึ่ง # | คําอธิบาย | |
|---|---|---|---|
|
|
FGH60N60UFD TO-247 อินเวอร์เตอร์ IGBT ท่อเดียว 60A600V สําหรับเครื่องปั่น |
FGH60N60UFD TO-247 Inverter Welding Machine IGB Single Tube 60A600V
|
ส่ง RFQ
สต็อค:
MOQ: