APT30GP60JDQ1
รายละเอียด
หมวดหมู่:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด):
67 อ
สถานะผลิตภัณฑ์:
คล่องแคล่ว
ประเภทการติดตั้ง:
ติดแชสซี
บรรจุุภัณฑ์:
หลอด
ชุด:
พาวเวอร์ MOS 7®
แพ็คเกจ / เคส:
SOT-227-4 มินิบล็อก
Vce(เปิด) (สูงสุด) @ Vge, Ic:
2.7V @ 15V, 30A
แรงดัน - การแยกอิมิตเตอร์ของตัวสะสม (สูงสุด):
600 โวลต์
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์:
ไอโซโทป®
MFR:
บริษัทไมโครเซมี
อุณหภูมิการทำงาน:
-55°C ~ 150°C (TJ)
ปัจจุบัน - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด):
500 µA
ประเภท IGBT:
PT
พลัง - สูงสุด:
245 ว
ป้อนข้อมูล:
มาตรฐาน
ความจุอินพุต (Cies) @ Vce:
3.2 nF @ 25 โวลต์
การกำหนดค่า:
เดี่ยว
กทช เทอร์มิสเตอร์:
เลขที่
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน:
APT30GP60
คําแนะนํา
โมดูล IGBT PT Single 600 V 67 A 245 W ชาซิ มอนท์ ISOTOP®
ส่ง RFQ
สต็อค:
In Stock
MOQ: