APTGL475U120D4G
รายละเอียด
หมวดหมู่:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด):
610 อ
สถานะผลิตภัณฑ์:
คล่องแคล่ว
ประเภทการติดตั้ง:
ติดแชสซี
บรรจุุภัณฑ์:
จำนวนมาก
ชุด:
-
แพ็คเกจ / เคส:
D4
Vce(เปิด) (สูงสุด) @ Vge, Ic:
2.2V @ 15V, 400A
แรงดัน - การแยกอิมิตเตอร์ของตัวสะสม (สูงสุด):
1200 โวลต์
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์:
D4
MFR:
เทคโนโลยีไมโครชิป
อุณหภูมิการทำงาน:
-40°C ~ 175°C (TJ)
ปัจจุบัน - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด):
4 ม
ประเภท IGBT:
สนามเพลาะหยุด
พลัง - สูงสุด:
2082 ว
ป้อนข้อมูล:
มาตรฐาน
ความจุอินพุต (Cies) @ Vce:
24.6 nF @ 25 โวลต์
การกำหนดค่า:
เดี่ยว
กทช เทอร์มิสเตอร์:
เลขที่
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน:
APTGL475
คําแนะนํา
IGBT Module Trench Field Stop Single 1200 V 610 A 2082 W Chassis Mount D4
ส่ง RFQ
สต็อค:
In Stock
MOQ: