MSCGTQ100HD65C1AG
คําอธิบาย:
PM-IGBT-TFS-SBD~-SP1F
ประเภท:
โมดูล IGBT
มีสินค้า:
ในสต็อก
วิธีการจ่ายเงิน:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union,
วิธีการขนส่ง:
LCL, AIR, FCL, Express
รายละเอียด
หมวดหมู่:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด):
80 อ
สถานะผลิตภัณฑ์:
คล่องแคล่ว
ประเภทการติดตั้ง:
ติดแชสซี
บรรจุุภัณฑ์:
หลอด
ชุด:
วท.ม
Vce(เปิด) (สูงสุด) @ Vge, Ic:
-
แรงดัน - การแยกอิมิตเตอร์ของตัวสะสม (สูงสุด):
650 โวลต์
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์:
เอสพี1
MFR:
เทคโนโลยีไมโครชิป
ปัจจุบัน - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด):
80 อ
ประเภท IGBT:
ร่องลึก
แพ็คเกจ / เคส:
โมดูล
ป้อนข้อมูล:
มาตรฐาน
อุณหภูมิการทำงาน:
-
การกำหนดค่า:
ฮาล์ฟบริดจ์
กทช เทอร์มิสเตอร์:
เลขที่
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน:
MSCGTQ100
คําแนะนํา
IGBT Module Trench Half Bridge 650 V 80 A Chassis Mount SP1
ส่ง RFQ
สต็อค:
In Stock
MOQ: