VS-ETF150Y65U
คําอธิบาย:
IGBT MOD 650V 142A EMIPAK-2B
ประเภท:
โมดูล IGBT
มีสินค้า:
ในสต็อก
วิธีการจ่ายเงิน:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union,
วิธีการขนส่ง:
LCL, AIR, FCL, Express
รายละเอียด
หมวดหมู่:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด):
142 ก
สถานะผลิตภัณฑ์:
ปราศการ
ประเภทการติดตั้ง:
ติดแชสซี
บรรจุุภัณฑ์:
صينية
ชุด:
-
แพ็คเกจ / เคส:
อีมิปัก-2B
Vce(เปิด) (สูงสุด) @ Vge, Ic:
2.06V @ 15V, 100A
แรงดัน - การแยกอิมิตเตอร์ของตัวสะสม (สูงสุด):
650 โวลต์
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์:
อีมิปัก-2B
MFR:
Vishay General Semiconductor - ดิโอเดส ดิวิชั่น
อุณหภูมิการทำงาน:
175°C (ทีเจ)
ปัจจุบัน - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด):
100 µa
ประเภท IGBT:
ร่องลึก
พลัง - สูงสุด:
417 วัตต์
ป้อนข้อมูล:
มาตรฐาน
ความจุอินพุต (Cies) @ Vce:
6.6 nF @ 30 โวลต์
การกำหนดค่า:
อินเวอร์เตอร์สามระดับ
กทช เทอร์มิสเตอร์:
เลขที่
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน:
อีทีเอฟ150
คําแนะนํา
IGBT Module Trench Three Level Inverter 650 V 142 A 417 W Chassis Mount EMIPAK-2B
ส่ง RFQ
สต็อค:
In Stock
MOQ: