VS-GT55LA120UX
รายละเอียด
หมวดหมู่:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด):
68 ก
สถานะผลิตภัณฑ์:
คล่องแคล่ว
ประเภทการติดตั้ง:
ติดแชสซี
บรรจุุภัณฑ์:
หลอด
ชุด:
-
แพ็คเกจ / เคส:
SOT-227-4 มินิบล็อก
Vce(เปิด) (สูงสุด) @ Vge, Ic:
2.8V @ 15V, 50A
แรงดัน - การแยกอิมิตเตอร์ของตัวสะสม (สูงสุด):
1200 โวลต์
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์:
สทศ-227
MFR:
Vishay General Semiconductor - ดิโอเดส ดิวิชั่น
ปัจจุบัน - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด):
50 μA
ประเภท IGBT:
สนามเพลาะหยุด
พลัง - สูงสุด:
291 ว
ป้อนข้อมูล:
มาตรฐาน
อุณหภูมิการทำงาน:
-40°C ~ 150°C (TJ)
การกำหนดค่า:
ชอปเปอร์ตัวเดียว
กทช เทอร์มิสเตอร์:
เลขที่
คําแนะนํา
IGBT โมดูล ทรานช์ ฟิลด์ สต็อป โฮปเปอร์เดี่ยว 1200 V 68 A 291 W ชาซีมอนท์ SOT-227
ส่ง RFQ
สต็อค:
In Stock
MOQ: