APT75GN120JDQ3
รายละเอียด
หมวดหมู่:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด):
124 ก
สถานะผลิตภัณฑ์:
คล่องแคล่ว
ประเภทการติดตั้ง:
ติดแชสซี
บรรจุุภัณฑ์:
หลอด
ชุด:
-
แพ็คเกจ / เคส:
ไอโซโทป
Vce(เปิด) (สูงสุด) @ Vge, Ic:
2.1V @ 15V, 75A
แรงดัน - การแยกอิมิตเตอร์ของตัวสะสม (สูงสุด):
1200 โวลต์
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์:
ไอโซโทป®
MFR:
เทคโนโลยีไมโครชิป
อุณหภูมิการทำงาน:
-55°C ~ 150°C (TJ)
ปัจจุบัน - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด):
200 µA
ประเภท IGBT:
สนามเพลาะหยุด
พลัง - สูงสุด:
379 วัตต์
ป้อนข้อมูล:
มาตรฐาน
ความจุอินพุต (Cies) @ Vce:
4.8 nF @ 25 โวลต์
การกำหนดค่า:
เดี่ยว
กทช เทอร์มิสเตอร์:
เลขที่
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน:
APT75GN120
คําแนะนํา
IGBT Module Trench Field Stop Single 1200 V 124 A 379 W Chassis Mount ISOTOP®
ส่ง RFQ
สต็อค:
In Stock
MOQ: