VS-GB55NA120UX
รายละเอียด
หมวดหมู่:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด):
84 ก
สถานะผลิตภัณฑ์:
ปราศการ
ประเภทการติดตั้ง:
ติดแชสซี
บรรจุุภัณฑ์:
หลอด
ชุด:
เฮ็กซ์เฟรด®
แพ็คเกจ / เคส:
SOT-227-4 มินิบล็อก
แรงดัน - การแยกอิมิตเตอร์ของตัวสะสม (สูงสุด):
1200 โวลต์
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์:
สทศ-227
MFR:
Vishay General Semiconductor - ดิโอเดส ดิวิชั่น
ปัจจุบัน - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด):
50 μA
ประเภท IGBT:
NPT
พลัง - สูงสุด:
431 ว
ป้อนข้อมูล:
มาตรฐาน
อุณหภูมิการทำงาน:
-40°C ~ 150°C (TJ)
การกำหนดค่า:
เดี่ยว
กทช เทอร์มิสเตอร์:
เลขที่
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน:
GB55
คําแนะนํา
โมดูล IGBT NPT ตัวเดียว 1200 V 84 A 431 W หม้อตั้ง SOT-227
ส่ง RFQ
สต็อค:
In Stock
MOQ: