FS150R17KE3GBOSA1
รายละเอียด
หมวดหมู่:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด):
240 ก
สถานะผลิตภัณฑ์:
ไม่ใช่สำหรับการออกแบบใหม่
ประเภทการติดตั้ง:
ติดแชสซี
บรรจุุภัณฑ์:
صينية
ชุด:
อีโคโนแพ็ค™+
แพ็คเกจ / เคส:
โมดูล
Vce(เปิด) (สูงสุด) @ Vge, Ic:
2.45V @ 15V, 150A
แรงดัน - การแยกอิมิตเตอร์ของตัวสะสม (สูงสุด):
1700 โวลต์
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์:
โมดูล
MFR:
อินฟินไอน เทคโนโลยี
อุณหภูมิการทำงาน:
-40 ° C ~ 125 ° C
ปัจจุบัน - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด):
3 มิลลิแอมป์
ประเภท IGBT:
สนามเพลาะหยุด
พลัง - สูงสุด:
1050 W
ป้อนข้อมูล:
มาตรฐาน
ความจุอินพุต (Cies) @ Vce:
13.5nF @ 25 โวลต์
การกำหนดค่า:
สะพานเต็ม
กทช เทอร์มิสเตอร์:
ใช่
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน:
FS150R17
คําแนะนํา
โมดูล IGBT ช่องขวาง สต็อปสนาม สะพานเต็ม 1700 V 240 A 1050 W โมดูลติดชัสซี่
ส่ง RFQ
สต็อค:
In Stock
MOQ: