logo

FZ1800R45HL4S7BPSA1

คําอธิบาย:
โมดูล IGBT
ประเภท:
โมดูล IGBT
มีสินค้า:
ในสต็อก
วิธีการจ่ายเงิน:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union,
วิธีการขนส่ง:
LCL, AIR, FCL, Express
รายละเอียด
หมวดหมู่:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด):
1800 ก
สถานะผลิตภัณฑ์:
คล่องแคล่ว
ประเภทการติดตั้ง:
ติดแชสซี
บรรจุุภัณฑ์:
صينية
ชุด:
ไอเอชเอ็ม-บี
แพ็คเกจ / เคส:
โมดูล
Vce(เปิด) (สูงสุด) @ Vge, Ic:
2.6V @ 25V, 1800A
แรงดัน - การแยกอิมิตเตอร์ของตัวสะสม (สูงสุด):
4500 โวลต์
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์:
เอจี-IHVB190
MFR:
อินฟินไอน เทคโนโลยี
อุณหภูมิการทำงาน:
-40°C ~ 150°C (TJ)
ปัจจุบัน - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด):
5 mA
ประเภท IGBT:
สนามเพลาะหยุด
พลัง - สูงสุด:
4000000 วัตต์
ป้อนข้อมูล:
มาตรฐาน
ความจุอินพุต (Cies) @ Vce:
297 nF @ 25 โวลต์
การกำหนดค่า:
-
กทช เทอร์มิสเตอร์:
เลขที่
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน:
FZ1800
คําแนะนํา
โมดูล IGBT กรังสนามหยุด 4500 V 1800 A 4000000 W ชาซี Mount AG-IHVB190
ส่ง RFQ
สต็อค:
In Stock
MOQ: