MG12300D-BN3MM
รายละเอียด
หมวดหมู่:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด):
450 ก
สถานะผลิตภัณฑ์:
ปราศการ
ประเภทการติดตั้ง:
ติดแชสซี
บรรจุุภัณฑ์:
จำนวนมาก
ชุด:
-
แพ็คเกจ / เคส:
โมดูล D-3
Vce(เปิด) (สูงสุด) @ Vge, Ic:
3.2V @ 15V, 300A
แรงดัน - การแยกอิมิตเตอร์ของตัวสะสม (สูงสุด):
1200 โวลต์
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์:
D3
MFR:
ลิตเทลฟิวส์อินค
อุณหภูมิการทำงาน:
-40°C ~ 125°C (TJ)
ปัจจุบัน - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด):
2 MA
ประเภท IGBT:
-
พลัง - สูงสุด:
1450 วัตต์
ป้อนข้อมูล:
มาตรฐาน
ความจุอินพุต (Cies) @ Vce:
22nF @ 25 โวลต์
การกำหนดค่า:
ฮาล์ฟบริดจ์
กทช เทอร์มิสเตอร์:
เลขที่
คําแนะนํา
IGBT Module Half Bridge 1200 V 450 A 1450 W Chassis Mount D3
ส่ง RFQ
สต็อค:
In Stock
MOQ: