VS-GB100DA60UP
รายละเอียด
หมวดหมู่:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด):
125 ก
สถานะผลิตภัณฑ์:
ปราศการ
ประเภทการติดตั้ง:
ติดแชสซี
บรรจุุภัณฑ์:
จำนวนมาก
ชุด:
-
แพ็คเกจ / เคส:
SOT-227-4 มินิบล็อก
Vce(เปิด) (สูงสุด) @ Vge, Ic:
2.8V @ 15V, 100A
แรงดัน - การแยกอิมิตเตอร์ของตัวสะสม (สูงสุด):
600 โวลต์
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์:
สทศ-227
MFR:
Vishay General Semiconductor - ดิโอเดส ดิวิชั่น
ปัจจุบัน - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด):
100 µa
ประเภท IGBT:
-
พลัง - สูงสุด:
447 วัตต์
ป้อนข้อมูล:
มาตรฐาน
อุณหภูมิการทำงาน:
-40°C ~ 150°C (TJ)
การกำหนดค่า:
เดี่ยว
กทช เทอร์มิสเตอร์:
เลขที่
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน:
GB100
คําแนะนํา
โมดูล IGBT หน่วยเดียว 600 V 125 A 447 W หม้อตั้ง SOT-227
ส่ง RFQ
สต็อค:
In Stock
MOQ: