FF300R17KE3HOSA1
รายละเอียด
หมวดหมู่:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT
ปัจจุบัน - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด):
3 มิลลิแอมป์
สถานะผลิตภัณฑ์:
คล่องแคล่ว
ประเภทการติดตั้ง:
ติดแชสซี
บรรจุุภัณฑ์:
صينية
ชุด:
C
Vce(เปิด) (สูงสุด) @ Vge, Ic:
2.45V @ 15V, 300A
แรงดัน - การแยกอิมิตเตอร์ของตัวสะสม (สูงสุด):
1700 โวลต์
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์:
โมดูล
MFR:
อินฟินไอน เทคโนโลยี
อุณหภูมิการทำงาน:
-40 ° C ~ 125 ° C
พลัง - สูงสุด:
1450 วัตต์
ประเภท IGBT:
สนามเพลาะหยุด
แพ็คเกจ / เคส:
โมดูล
ป้อนข้อมูล:
มาตรฐาน
ความจุอินพุต (Cies) @ Vce:
27 nF @ 25 โวลต์
การกำหนดค่า:
2 อิสระ
กทช เทอร์มิสเตอร์:
เลขที่
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน:
FF300R17
คําแนะนํา
โมดูล IGBT ช่องปิดสนาม 2 ติดต่ออิสระ 1700 V 1450 W โมดูลการติดตั้งชัสซี่
ส่ง RFQ
สต็อค:
In Stock
MOQ: