FZ1800R17HP4B29BOSA2
รายละเอียด
หมวดหมู่:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด):
1800 ก
สถานะผลิตภัณฑ์:
คล่องแคล่ว
ประเภทการติดตั้ง:
ติดแชสซี
บรรจุุภัณฑ์:
صينية
ชุด:
ไอเอชเอ็ม-บี
แพ็คเกจ / เคส:
โมดูล
Vce(เปิด) (สูงสุด) @ Vge, Ic:
2.25V @ 15V, 1.8kA
แรงดัน - การแยกอิมิตเตอร์ของตัวสะสม (สูงสุด):
1700 โวลต์
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์:
AG-IHMB190
MFR:
อินฟินไอน เทคโนโลยี
อุณหภูมิการทำงาน:
-40°C ~ 150°C (TJ)
ปัจจุบัน - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด):
5 mA
ประเภท IGBT:
สนามเพลาะหยุด
พลัง - สูงสุด:
11500 วัตต์
ป้อนข้อมูล:
มาตรฐาน
ความจุอินพุต (Cies) @ Vce:
145 nF @ 25 โวลต์
การกำหนดค่า:
สวิตช์เดี่ยว
กทช เทอร์มิสเตอร์:
เลขที่
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน:
FZ1800
คําแนะนํา
โมดูล IGBT กรังฟิลด์สต็อป สวิทช์เดียว 1700 V 1800 A 11500 W ชาซีมอนท์ AG-IHMB190
ส่ง RFQ
สต็อค:
In Stock
MOQ: