VS-GT120DA65U
คําอธิบาย:
IGBT MOD 650V 167A 577W SOT227
ประเภท:
โมดูล IGBT
มีสินค้า:
ในสต็อก
วิธีการจ่ายเงิน:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union,
วิธีการขนส่ง:
LCL, AIR, FCL, Express
รายละเอียด
หมวดหมู่:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด):
167 อ
สถานะผลิตภัณฑ์:
ปราศการ
ประเภทการติดตั้ง:
ติดแชสซี
บรรจุุภัณฑ์:
จำนวนมาก
ชุด:
เฟรด Pt®
แพ็คเกจ / เคส:
SOT-227-4 มินิบล็อก
Vce(เปิด) (สูงสุด) @ Vge, Ic:
2V @ 15V, 100A
แรงดัน - การแยกอิมิตเตอร์ของตัวสะสม (สูงสุด):
650 โวลต์
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์:
สทศ-227
MFR:
Vishay General Semiconductor - ดิโอเดส ดิวิชั่น
อุณหภูมิการทำงาน:
-40°C ~ 175°C (TJ)
ปัจจุบัน - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด):
50 μA
ประเภท IGBT:
ร่องลึก
พลัง - สูงสุด:
577 ว
ป้อนข้อมูล:
มาตรฐาน
ความจุอินพุต (Cies) @ Vce:
6.6 nF @ 30 โวลต์
การกำหนดค่า:
สวิตช์เดี่ยว
กทช เทอร์มิสเตอร์:
เลขที่
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน:
GT120
คําแนะนํา
โมดูล IGBT ช่องสวิทช์เดียว 650 V 167 A 577 W ชาซี Mount SOT-227
ส่ง RFQ
สต็อค:
In Stock
MOQ: