APT50GP60J
คําอธิบาย:
IGBT MOD 600V 100A 329W ไอโซโทป
ประเภท:
โมดูล IGBT
มีสินค้า:
ในสต็อก
วิธีการจ่ายเงิน:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union,
วิธีการขนส่ง:
LCL, AIR, FCL, Express
รายละเอียด
หมวดหมู่:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด):
100 ก
สถานะผลิตภัณฑ์:
คล่องแคล่ว
ประเภทการติดตั้ง:
ติดแชสซี
บรรจุุภัณฑ์:
หลอด
ชุด:
พาวเวอร์ MOS 7®
แพ็คเกจ / เคส:
SOT-227-4 มินิบล็อก
Vce(เปิด) (สูงสุด) @ Vge, Ic:
2.7V @ 15V, 50A
แรงดัน - การแยกอิมิตเตอร์ของตัวสะสม (สูงสุด):
600 โวลต์
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์:
ไอโซโทป®
MFR:
เทคโนโลยีไมโครชิป
อุณหภูมิการทำงาน:
-55°C ~ 150°C (TJ)
ปัจจุบัน - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด):
500 µA
ประเภท IGBT:
PT
พลัง - สูงสุด:
329 วัตต์
ป้อนข้อมูล:
มาตรฐาน
ความจุอินพุต (Cies) @ Vce:
5.7 nF @ 25 โวลต์
การกำหนดค่า:
เดี่ยว
กทช เทอร์มิสเตอร์:
เลขที่
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน:
APT50GP60
คําแนะนํา
โมดูล IGBT PT Single 600 V 100 A 329 W ชาซิมอนท์ ISOTOP®
ส่ง RFQ
สต็อค:
In Stock
MOQ: