MG75UZ12MRGJ
คําอธิบาย:
ทรานซิสเตอร์ - IGBT - โมดูล GJ
ประเภท:
โมดูล IGBT
มีสินค้า:
ในสต็อก
วิธีการจ่ายเงิน:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union,
วิธีการขนส่ง:
LCL, AIR, FCL, Express
รายละเอียด
หมวดหมู่:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด):
75 ก
สถานะผลิตภัณฑ์:
คล่องแคล่ว
ประเภทการติดตั้ง:
ติดแชสซี
บรรจุุภัณฑ์:
จำนวนมาก
ชุด:
-
Vce(เปิด) (สูงสุด) @ Vge, Ic:
-
แรงดัน - การแยกอิมิตเตอร์ของตัวสะสม (สูงสุด):
1200 โวลต์
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์:
สทศ-227
MFR:
เทคโนโลยี Yangjie
ประเภท IGBT:
-
แพ็คเกจ / เคส:
สทศ-227-4
ป้อนข้อมูล:
มาตรฐาน
อุณหภูมิการทำงาน:
-
การกำหนดค่า:
เดี่ยว
กทช เทอร์มิสเตอร์:
เลขที่
คําแนะนํา
โมดูล IGBT ตัวเดียว 1200 V 75 A มอนท์ชัสซี่ SOT-227
ส่ง RFQ
สต็อค:
In Stock
MOQ: