APT47GA60JD40
รายละเอียด
หมวดหมู่:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด):
87 อ
สถานะผลิตภัณฑ์:
คล่องแคล่ว
ประเภทการติดตั้ง:
ติดแชสซี
บรรจุุภัณฑ์:
หลอด
ชุด:
พาวเวอร์ MOS 8™
แพ็คเกจ / เคส:
SOT-227-4 มินิบล็อก
Vce(เปิด) (สูงสุด) @ Vge, Ic:
2.5V@15V,47A
แรงดัน - การแยกอิมิตเตอร์ของตัวสะสม (สูงสุด):
600 โวลต์
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์:
ไอโซโทป®
MFR:
เทคโนโลยีไมโครชิป
อุณหภูมิการทำงาน:
-55°C ~ 150°C (TJ)
ปัจจุบัน - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด):
275 ไมโครเอ
ประเภท IGBT:
PT
พลัง - สูงสุด:
283 วัตต์
ป้อนข้อมูล:
มาตรฐาน
ความจุอินพุต (Cies) @ Vce:
6.32nF @ 25 โวลต์
การกำหนดค่า:
เดี่ยว
กทช เทอร์มิสเตอร์:
เลขที่
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน:
APT47GA60
คําแนะนํา
โมดูล IGBT PT Single 600 V 87 A 283 W ชาซิมอนท์ ISOTOP®
ส่ง RFQ
สต็อค:
In Stock
MOQ: