VS-50MT060WHTAPBF
รายละเอียด
หมวดหมู่:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด):
114 ก
สถานะผลิตภัณฑ์:
ปราศการ
ประเภทการติดตั้ง:
ติดแชสซี
บรรจุุภัณฑ์:
صينية
ชุด:
-
แพ็คเกจ / เคส:
โมดูล 12-MTP
Vce(เปิด) (สูงสุด) @ Vge, Ic:
3.2V @ 15V, 100A
แรงดัน - การแยกอิมิตเตอร์ของตัวสะสม (สูงสุด):
600 โวลต์
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์:
เอ็มทีพี
MFR:
Vishay General Semiconductor - ดิโอเดส ดิวิชั่น
อุณหภูมิการทำงาน:
-40°C ~ 150°C (TJ)
ปัจจุบัน - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด):
400 µA
ประเภท IGBT:
-
พลัง - สูงสุด:
658 วัตต์
ป้อนข้อมูล:
มาตรฐาน
ความจุอินพุต (Cies) @ Vce:
7.1nF @ 30 โวลต์
การกำหนดค่า:
ฮาล์ฟบริดจ์
กทช เทอร์มิสเตอร์:
เลขที่
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน:
50MT060
คําแนะนํา
โมดูล IGBT ครึ่งสะพาน 600 V 114 A 658 W แชสซี่มอนท์ MTP
ส่ง RFQ
สต็อค:
In Stock
MOQ: